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3D CFC/GWs/Au电极 结合DNAzyme逻辑门控生物传感平台及其应用 电极 结合DNAzyme逻辑门控生物传感平台及其应用，该传感平台包括电化学检测装置、DNA四面体结构、Zr‑MOF‑Au‑Fc‑H1信标探针以及逻辑门模块；该平台利用低背景信号的CFC...A/NP-Au电极 及基于该电极 的电解合成对苯二酚中间产物对苯醌在线监测的方法 电极 及基于该电极 的电解合成对苯二酚中间产物对苯醌在线监测的方法。所述A/NP‑Au电极 的制备方法包括如下步骤：(1)将金丝表面进行预处理以除去表面的油污以及氧化层，得到光亮的金丝电极 表面；(...一种基于In/Au电极 的硒化铟忆阻器的制备方法 电极 的硒化铟忆阻器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备铟金电极 的铟硒忆阻器的方法包括如下步骤：先利用机械剥离技术分别得到少层的InSe和h‑BN薄膜；之后通过干法转移技术将h‑B...以多孔Au电极 为传感界面的酶标记免疫传感器双底物研究 2021年 电极 为传感界面,构建夹心结构的电化学免疫传感器.采用双底物法对甲胎蛋白(AFP)进行检测,得到甲胎蛋白浓度在1~100 ng/mL范围内,邻苯二胺(OPD)和对氨基苯酚(PAP)的差分脉冲伏安法(DPV)响应电流线性回归方程及相关系数,检出限为0.1 ng/mL.结果发现,在双底物体系下,DPV响应电流与AFP浓度之间的线性范围和检测限基本一致,且用PAP为底物时检测的结果更明显,线性范围更宽一些.关键词：甲胎蛋白 免疫传感器 在GaAs基电注入阴极中的Ti/Pt/Au电极 制备工艺研究 2020年 电极 。实验中,分别采用正性光刻胶AZ5214和负性光刻胶RPN1150作为掩膜层,利用热阻蒸发法和电子束蒸发法在材料表面沉积Ti/Pt/Au薄膜,通过薄膜剥离技术去除多余的金属薄膜,形成基极电极 。实验结果表明采用负性光刻胶制备的电极 质量更好,正性光刻胶制备的电极 边缘粗糙,合理地沉积Ti/Pt/Au薄膜厚度可提高电注入阴极的基极电极 质量,从而提升电注入阴极的性能。关键词：光刻胶 一种能提高PI柔性衬底与Au电极 粘结性能的Cr层 电极 粘结性能的Cr层，所述Cr层包括以下重量份数配比的原料：60‑75g纳米Cr粉、5‑8g玻璃粉、2‑5mL水性环氧树脂、2‑4g聚乙烯醇、1‑...文献传递 一种能增强与Au电极 和PI衬底粘结性能的PDADMAC复合敏感膜 电极 和PI衬底粘结性能的PDADMAC复合敏感膜，所述PDADMAC复合敏感膜包括以下重量份数配比的原料：15‑30mLPDADMAC、...文献传递 一种能增强与Au电极 粘结性能的PDADMAC-SnO<Sub>2</Sub>复合敏感膜 电极 粘结性能的PDADMAC‑SnO<Sub>2</Sub>复合敏感膜，所述PDADMAC‑SnO<Sub>2</Sub>复合敏感膜包括以下重量份数配比的...文献传递 CdZnTe晶体表面Au电极 薄膜的制备及其欧姆接触性质 2018年 电极 欧姆接触特性的影响,分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极 ,通过测试样品的SEM、I-V曲线及交流阻抗谱,研究了不同电极 制备工艺及退火处理对Au薄膜电极 的微观结构及欧姆接触特性的影响。结果表明化学沉积法制备的Au薄膜表面更加平整、致密,接触势垒的高度较低,电极 欧姆接触特性最好。退火处理可以改善电极 的欧姆接触特性,100℃退火后,化学沉积法制备的Au电极 的欧姆系数由0.883提高至0.915,势垒高度由0.492降低至0.487 e V。交流阻抗谱分析表明,化学沉积法制备电极 具有最低的接触势垒,这与界面处晶片表面的掺杂及缺陷的变化有关。关键词：碲锌镉 欧姆接触 交流阻抗谱 Au电极 与CdMnTe晶体的表面接触电阻率研究 2016年 电极 与碲锰镉(CdMnTe)晶体的欧姆接触特性,Au电极 采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率。实验探讨了表面处理和退火对Au/CdMnTe接触电阻率的影响。结果表明,CdMnTe晶体经过化学抛光和化学机械抛光后Au/CdMnTe的接触电阻率分别为544.5和89.0Ω·cm2。通过AFM与XPS分析了晶体表面的形貌与成分,发现表面粗糙度和富Te成分对CdMnTe薄层电阻和载流子传输长度有较大的影响,决定了接触电阻率的大小。在150℃空气气氛退火1h后,经CP和CMP表面处理的样品,Au/CdMnTe接触电阻率均减小,分别为313.6和30.2Ω·cm2。退火促进了Au向CdMnTe晶体的扩散,使接触电阻率进一步降低,欧姆接触性能提高。关键词：接触电阻率 化学抛光 化学机械抛光
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