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界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响: 2023年; 为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真探讨了测试频率、固定电荷、4H-SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对准静态C-V特性曲线的影响。实验和仿真结果表明:电子和空穴界面陷阱分别影响准静态C-V曲线的右半部分和左半部分;界面陷阱的E0、Es、N0(E0为陷阱能级中心与导带底能级或价带顶能级之差,Es为陷阱能级分布的宽度,N0为陷阱能级分布的密度峰值)对准静态C-V曲线的影响是综合的;当E0为0 eV,Es为0.2 eV,电子和空穴捕获截面均为1×10^(-18) cm^(2),电子和空穴界面陷阱的N0分别为5×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)和2×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)时,4H-SiC DIMOSFET准静态C-V仿真曲线和实测曲线相近。; 高秀秀王勇志胡兴豪周维刘洪伟戴小平; 关键词：4H-SIC

退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响: 2022年; 采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面固定正电荷,200℃和300℃退火处理可有效减小慢界面态密度,利用Terman法得到了禁带界面态密度分布,表明200℃退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小。同时文章对C-V曲线滞回的原因进行了分析,认为Al_(2)O_(3)介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素。实验证明了200℃~300℃的退火处理可有效改善InSb/Al_(2)O_(3)界面质量。; 周伟佳龚晓霞陈冬琼肖婷婷尚发兰杨文运; 关键词：锑化铟 C-V特性原子层沉积

阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的误差分析及调控方法被引量：2: 2022年; 功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性(C_(GS)-V_(G)、C_(GD)-V_(G))的准确测量对于器件的建模及栅氧可靠性的评估十分重要。阻抗分析仪是测量C_(GS)-V_(G)、C_(GD)-V_(G)的关键设备。在利用阻抗分析仪测量三端器件的某个参数时,需对非测量的第三端进行屏蔽以消除其引入的并联阻抗误差。而功率MOSFET器件在栅压超过阈值电压时呈导通态,影响测量电路拓扑,进而引入其他测量误差。该文针对阻抗分析仪测量功率MOSFET器件的C_(GS)-V_(G)、C_(GD)-V_(G)进行详细的误差分析,揭示测量误差产生的原因;建立测量的等效电路,给出测量误差的解析表达式;结合实验和数值分析量化误差分析,验证了等效电路模型的有效性;最后,提出三种可实现C-V特性准确测量的调控方法并予以实验验证。结果表明,测量误差发生在器件导通后,此时器件漏源极间由电容态转变为低阻态,屏蔽端的寄生电感(L_(5))与自动平衡电桥的等效输入阻抗(L_(3))分流,引入误差。当L_(3)和L_(5)满足一定的匹配关系时,可实现不同频率下的准确测量。; 蔡雨萌赵志斌徐子珂孙鹏李学宝; 关键词：阻抗分析仪误差分析

石墨烯/硅光电探测器的I-V及C-V特性被引量：5: 2019年; 设计并制备了基于石墨烯/n型硅肖特基结的光电探测器,并从能带角度研究和分析了其I-V及C-V特性.结果表明,石墨烯/氮化硅/硅(金属-绝缘层-半导体)电容器对器件的I-V及C-V特性有较大影响.在808 nm近红外光的照射下,器件反向电流和正向电流大小接近,归因于氮化硅/硅界面堆积的光生空穴向石墨烯/硅肖特基结的扩散,器件光响应度为0.26 A/W.基于热发射模型从I-V暗电流曲线提取的肖特基势垒高度及理想因子分别为0.859 eV和2.3.利用肖特基二极管耗尽层电容公式从C-2-V曲线提取的势垒高度随着频率的增加而增加并趋于稳定在0.82 eV.由于界面态的影响,石墨烯/硅肖特基结耗尽层宽度随频率增加而增加,而硅施主原子的掺杂浓度及器件电容则随频率增加而减小.; 方昕宇陈俊; 关键词：石墨烯光电探测器界面态

InP基器件C--V特性的研究: 本论文主要针对In P基相关半导体光电器件尤其是Ti W/p-In P肖特基器件和In P/In Ga As/In P PIN光电探测器的C-V特性进行了较为深入的研究。采用了实验与物理建模相结合的方法进行了研究。先设计...; 王一栋; 关键词：磷化铟肖特基接触红外探测器界面态; 文献传递

氧化铪MIS器件C-V特性及辐照效应研究: 随着集成电路的不断发展,集成电路特征尺寸不断减小导致漏电流增加,需要采用高介电常数栅介质材料来代替氧化硅材料。因此,针对铪基MIS器件的电学特性及其辐照效应开展深入研究对于铪基MIS器件在航空航天等高辐射环境下的安全应用...; 陈雪薇; 关键词：C-V特性辐照效应; 文献传递

具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器: 本发明涉及具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器，下极板、驱动电极和锚点设置于介质衬底上，上极板的两端部通过扭转梁支撑固定于锚点上，上极板的中间部与下极板相对，上极板的端部与驱动电极相对；驱动电极上施加线性增...; 刘泽文刘慧梁; 文献传递

具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器: 本实用新型涉及具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器，下极板、驱动电极和锚点设置于介质衬底上，上极板的两端部通过扭转梁支撑固定于锚点上，上极板的中间部与下极板相对，上极板的端部与驱动电极相对；驱动电极上施加线...; 刘泽文刘慧梁; 文献传递

ZnO/p-Si异质结的I-V及C-V特性研究被引量：1: 2013年; 通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/p-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。由于在ZnO/p-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过1V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时,研究表明ZnO/p-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态进一步提高其光电特性。; 熊超袁洪春徐安成陈磊陆兴中姚若河; 关键词：I-V特性 C-V特性界面态

ZnO/n-Si异质结的I-V、C-V特性研究: 2012年; 本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域。由于在ZnO/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过0.8 V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时研究表明ZnO/n-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态可以进一步提高其光电特性。; 熊超肖进丁丽华陈磊袁洪春徐安成周详才朱锡芳潘雪涛; 关键词：ZNO 界面态

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