公共文化服务平台

搜索到1256篇“ CVD法“的相关文章

一种CVD法气流分配装置: 本发明涉及一种CVD法气流分配装置，包括反应腔室、进气装置、固定装置以及出气装置。反应腔室具有腔室外壁与腔室内壁，腔室内壁上均匀开设有多个通孔，腔室外壁一端为密封状，另一端具有开口，腔室内壁的两端分别设置在腔室外壁的两端...; 包天杰蒙彩思张姚徐春辉廖关兵

一种CVD法制备多层碳化钽涂层的方法及产品: 本发明属于半导体技术领域，涉及半导体基底的制备，具体涉及一种CVD法制备多层碳化钽涂层的方法及产品。以钽盐和反应气为原料采用CVD法在基底材料表面制备碳化钽涂层的过程中，在载体气流不变的条件下，将钽盐载气、烷烃和氢气通过...; 王丽焕冯翔宇徐现刚

一种预处理生长源CVD法制备的二维GaS: 本发明公开了一种预处理生长源CVD法制备的二维GaS，所述的预处理生长源CVD法包括：1）预处理生长源Ga2S3：Ga2S3粉末在A...; 辛星赵云帆辛巍陈佳美石玉洁徐海阳

一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备: 本发明公开一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体、气液输送装置、炉腔加热装置、工件放置装置、真空抽气装置以及电气控制系统，其中：所述气液输送装置包括气液混合预热装置以及进气管网，所述进气管网一端与气液混合预热装...; 林培英黄洪福周玉燕朱佰喜

雾化辅助CVD法制备SnO2薄膜及其光电特性研究: 金红石相SnO作为一种常见的宽禁带氧化物半导体,禁带宽度达3.6 e V、电子迁移率高。因此,在薄膜晶体管、太阳能电池和光电探测器等应用领域具有应用前景,并获得了广泛的关注。采用传统的磁控溅射、喷雾热解和溶胶凝胶等方法制...; 秦源涛; 关键词：SNO2薄膜 CU掺杂

一种用于CVD法合成金刚石粉的收集装置: 本实用新型公开了一种用于CVD法合成金刚石粉的收集装置，包括支架、收集驱动机构、收集筛分机构和收集清洗机构，支架：其上端通过铆钉设置有收集器外壳，收集器外壳上端的进料口处固定连接有进料斗，支架中部的开口处设有出料斗，出料...; 杨鹏许坤段向阳丁佩

一种基于等离子CVD法制取纳米羰基铁粉的装置: 本实用新型提供了一种基于等离子CVD法制取纳米羰基铁粉的装置，包括球形反应器，所述球形反应器设有真空泵和电机，所述球形反应器内部设有电极，所述球形反应器端部分别设有压缩空气进口管和压缩空气出口管，所述球形反应器的侧部设有...; 罗世铭甄超兴李登瑞马海峰郭万举高辉王良许浩善魏兴鹏

氮化硼包覆碳化硅纤维表面CVD法生长碳纳米管研究: 2024年; 目的通过调节化学气相沉积(CVD)的工艺参数,实现碳纳米管(CNTs)在氮化硼(BN)包覆的碳化硅纤维(SiCf)表面的可控生长。方法通过控制单一变量,采用扫描电子显微镜、热重分析、X射线光电子能谱等表征手段,系统地研究了CVD工艺参数和BN表面改性对CNTs形貌、长度、含量的影响。结果通过改变CVD工艺参数,实现了对CNTs形貌、长度、含量的调节与控制,获得了CNTs和BN协同改性的SiC纤维(SiC@BN-CNTs)。其中,SiC@BN-OH在反应温度为700℃、反应时间为20 min等参数下具有最大的CNTs产率(质量分数为10.6%),且形貌良好、含量较高。结论浸渍催化剂和缩短碳源与载体的距离对生长CNTs有积极影响,增加了CNTs的长度和生长密度;通过调节反应温度和时间能够实现对CNTs长度、含量的精确控制,从而获得高质量、高结晶度的CNTs;在反应器中,气体和催化剂的含量相互影响,在制备过程中需要考虑气体和催化剂的比例,按比例同时增加气体和催化剂的流入速率能够获得更好的结果。BN表面羟基化改性处理增强了BN对催化剂的吸附,促进了催化剂颗粒的分散,提高了CNTs的产率。; 闫兵岳建岭邹杨君楼嘉伟杜作娟刘愚黄小忠; 关键词：六方氮化硼碳纳米管

一种基于CVD法的碳化铬涂层沉积设备及方法: 本发明涉及化学气相沉积设备技术领域，公开了一种基于CVD法的碳化铬涂层沉积设备及方法，包括反应沉积系统、载气系统、加热系统、真空系统和控制系统；所述反应沉积系统包括用于进行碳化铬涂层沉积的反应沉积室、用于监测反应沉积室中...; 吴春涛李洪林薛峰谢明强赵炯夏营闫宁吴孟玥

相关作者