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异质栅介质双栅隧穿场效应晶体管TCAD仿真研究
2024年
采用异质栅介质结构,加入高k介质Pocket区,对双栅隧穿场效应晶体管进行了改进。通过搭建不同模型,分析了栅介质的长度、介电常数以及Pocket区厚度等参数对器件开态电流Ion、双极性特性、亚阈值摆幅等的影响。TACD仿真结果表明,Ion随介电常数的增大可提升至5.17×10-5A/μm,且双极性电流也有极大的增幅,亚阈值摆幅因开态电流的改善降低至28.3 mV/dec,而异质栅介质的不同长度对器件性能并无明显影响;在双极性上,Pocket区厚度的增加使得栅漏隧穿宽度增大,双极性电流减小至1.0×10-17A/μm,抑制了双极性导通,同时对器件其他特性未产生明显影响。
谭淏升
定量可调式吸尘斗&同步错开式双弧形闸门设计探讨
2023年
本文针对现有机械化筒、方仓装车楼卸料伸缩管装置和闸门装置存在的问题,对其结构进行新的设计。新设计的定量可调式吸尘斗和同步错开式双弧形闸门具有操作简便、降尘、节能降耗的优点,促成了新的机械化筒、方仓装车漏斗及移动式漏斗的降尘卸料工艺。
林亚松朱金秋
基于方位机扫雷达的机动目标双波门跟踪方法
2023年
点迹-航迹处理是雷达航迹跟踪过程中的重要一环,是把雷达探测到的点迹与已知航迹进行比较,然后正确关联配对的过程。复杂环境下的目标跟踪要求点迹-航迹关联处理、目标航迹跟踪的滤波和预测都要可靠,正确的点迹-航迹关联结果会产生较为准确的滤波和预测,而准确的滤波预测又会促进点迹-航迹的正确关联,二者之间是相辅相成的。常规跟踪法在目标机动尤其是悬停情况下的跟踪难度较大,多次掉点后不易重新正确关联,容易出现掉批、误关联等情况的发生。本文提出了一种基于前后双波门的机动目标跟踪法,可以使方位机扫雷达较好地连续跟踪机动目标。
吴源昭许刚程泉
关键词:航迹处理
一种新型双扉挡潮闸在海花岛1#桥闸中的应用被引量:2
2022年
近年来,随着全球气候变暖加剧,极端天气日益频发,滨海地区一线挡潮闸承担了愈发重要的防洪防潮功能。由于直面风浪袭击,风浪强,潮差高,跨度大,受力条件复杂,一线挡潮闸的设计难度较大。以海南自贸港海花岛1#桥闸工程为例,介绍了一种新型的上下双扉门型闸门,在确保防潮安全的前提下,优化了水闸的受力结构,改善了水闸的景观效果,降低了工程投资,值得进一步推广应用。
游孟陶胡添翼常智慧
关键词:挡潮闸
一种带有斜向扩展源的双栅隧穿场效应晶体管
2022年
设计并研究了一种带有轻掺杂漏(LDD)和斜向扩展源(OES)的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET),并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩展源长度等关键参数进行了仿真分析。对比了该器件与传统TFET的亚阈值摆幅、关态电流和开关电流比,并从器件的带带隧穿概率分析其优势。仿真结果表明,该器件的最佳数值开关电流比及亚阈值摆幅分别可达3.56×10^(12)和24.5 mV/dec。另外,该DG-TFET在双极性电流和接触电阻方面性能良好,且具有较快的转换速率和较低的功耗。
熊承诚孙亚宾石艳玲
一种新型异质结双栅隧穿场效应晶体管
2022年
文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(GP_Si/Ge_DGTFET)。该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构,禁带宽度较窄的Ge材料可以使器件拥有更低的亚阈值摆幅和更大的开态电流,同时pocket结构的引入可以进一步降低隧穿势垒。基于Sentaurus TCAD仿真软件,将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(Si/Ge_DGTFET)进行对比。仿真结果表明,该新器件拥有更好的亚阈值摆幅和开关特性,其开态电流为6.0×10^(-5) A/μm,关态电流约为10^(-14) A/μm,平均亚阈值摆幅达到35.36 mV/dec。
江瑞
关键词:异质结
一个圆柱形双栅场效应晶体管的物理模型
2021年
圆柱形双栅场效应晶体管(CSDG MOSFET)是在围栅MOSFET器件增加内部控制栅而形成,与双栅、三栅及围栅MOSFET器件相比,圆柱形双栅MOSFET提供了更好的栅控性能和输出特性.本文通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程,得到了圆柱形双栅MOSFET的电势模型;进一步对反型电荷沿沟道积分,建立其漏源电流模型.分析讨论了圆柱形双栅MOSFET器件的电学特性,结果表明:圆柱形双栅MOSFET外栅沿沟道的最小表面势和器件的阈值电压随栅介质层介电常数的增大而减小,其漏源电流和跨导随栅介质层介电常数的增大而增大;随着器件参数的等比例缩小,沟道反型电荷密度减小,其漏源电流和跨导也减小.
刘佳文姚若河刘玉荣耿魁伟
关键词:栅介质电学特性
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管TCAD仿真研究
2021年
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能。文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket两种结构的Si/Ge异质结DGTFET器件,定量研究了Pocket结构及Pocket区厚度、掺杂浓度等参数对器件开态电流、关态电流、亚阈值摆幅、截止频率和增益带宽积的影响。通过仿真实验和计算分析发现,Si/Ge异质结DGTFET的开态/关态电流、亚阈值摆幅、截止频率和增益带宽积随Pocket区掺杂浓度增大而增大,而Pocket区厚度对器件性能没有明显影响。研究结果为TFET器件的直流、频率特性优化提供了指导。
王菡滨刘梦新毕津顺李伟
关键词:异质结双栅数值仿真
三峡船闸双边人字闸门随动控制仿真研究被引量:4
2021年
为提高船闸人字闸门运行效率,以三峡船闸双边人字闸门液压起闭控制系统为对象,以三环PID控制系统设计为基础,采用双比例泵/电机组交叉耦合补偿的原理与方法搭建了人字闸门三环PID随动控制系统仿真模型。通过MATLAB/Simulink软件仿真与船闸实际PLC控制系统运行曲线的对比,发现双边人字闸门随动控制仿真系统关门历时2.1 min,开门历时2.2 min,原PLC随动控制系统关门历时5.2 min,开门历时3.1 min,该仿真系统能大大提升系统响应的快速性,且不影响系统的稳定性和准确性。研究成果对于船闸双边人字闸门随动控制系统的技术改进和三峡新通道船闸控制系统建设具有借鉴意义。
陈坤高术陈学文
关键词:人字闸门随动控制仿真模型三峡船闸
异步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管表面电势的解析模型
2020年
针对异步对称双栅结构的氧化铟镓锌(InGaZnO)薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs),求解泊松方程,并根据载流子在亚阈区、导通区的不同分布特点,在亚阈区引入等效平带电压的概念,在导通区运用Lambert W函数近似,建立异步对称双栅InGaZnO TFT表面电势解析模型。该模型的拟合参数只有2个,能够较好地反映介电层厚度、沟道电压等参数对电势的影响。基于所建模型及TCAD分析,研究InGaZnO层厚度、栅介质层厚度以及缺陷态密度等物理量对独立栅控双栅晶体管表面电势的影响。研究结果表明:在亚阈区,表面电势随着底栅电压增大呈近似线性增大,且在顶栅电压调制作用下平移;在导通区,表面电势随着底栅电压的增加逐步饱和,且电势值与顶栅调制电压作用相关度小。表面电势的解析模型与TCAD数值计算结果对比,具有较高的吻合度;在不同缺陷态密度分布情况下,电势模型的计算值与TCAD分析值相对误差均小于10%。本研究成果有利于了解双栅InGaZnO TFT的导通机制,可用于InGaZnO TFT的器件建模及相关集成电路设计。
何伊妮邓联文甄丽营覃婷覃婷廖聪维罗衡
关键词:表面势解析模型

相关作者

薩支唐
作品数:11被引量:4H指数:1
供职机构:北京大学
研究主题:FIELD-EFFECT BIPOLAR THEORY TRANSISTOR GATES
揭斌斌
作品数:14被引量:4H指数:1
供职机构:厦门大学物理与机电工程学院物理学系
研究主题:FIELD-EFFECT BIPOLAR THEORY TRANSISTOR GATES
匡潜玮
作品数:8被引量:8H指数:2
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:ALD 高K栅介质 原子层淀积 HFO 材料特性
贾仁需
作品数:213被引量:50H指数:4
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SUB PBI 碳化硅 衬底 肖特基接触
韩汝琦
作品数:160被引量:132H指数:6
供职机构:北京大学
研究主题:MOS晶体管 掺杂 存储器 半导体 自对准