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空间用GaInP/GaAs/Ge太阳电池 栅线仿真 2023年 太阳电池 栅线的关键。从受光面发热损失、细栅遮挡损失、细栅发热损失入手,建立了空间用GaInP/GaAs/Ge太阳电池 栅线仿真模型。设计了以表面薄层电阻、细栅形状、细栅间距为变量的验证实验,制备的样品效率与仿真预计效率吻合良好。应用栅线模型在两种类型的3 cm×4 cm尺寸空间用GaInP/GaAs/Ge太阳电池 进行栅线优化,两种太阳电池 经优化后转换效率分别提升了0.19%和0.29%,证明该栅线设计模型准确,应用效果良好。空间GaAs/Ge太阳电池 电学性能仿真与优化机理研究 被引量：1 2022年 太阳电池 AM0光谱辐照下的电学参数为基础,使用silvaco TCAD构建物理模型,研究太阳电池 工作区厚度和掺杂浓度对电池 电学参数的影响规律,旨在揭示空间太阳电池 的结构参数影响电学性能的内在物理机制.结果表明,太阳电池 外量子效率随发射区厚度的增加而逐渐降低,随基区厚度的增加先增高而后降低,发射区厚度的改变主要影响短波太阳 光的吸收,而基区厚度的改变主要影响长波太阳 光的吸收.短路电流随发射区厚度的增加而减小,随基区厚度的增加先增大而后略有减小,这主要是电池 的外量子效率变化决定的.随发射区或者基区掺杂浓度的增高开路电压逐渐增高,而短路电流逐渐减小.随太阳电池 结构参数的改变最大功率的变化都主要取决于短路电流的显著变化.关键词：GAAS太阳电池 电学性能 基于台阶刻蚀工艺的GaInP/GaAs/Ge太阳电池 激光划片研究 被引量：1 2022年 太阳电池 晶圆上按设计尺寸做成切割槽,继而采用皮秒或纳秒激光划切晶圆衬底,完成尺寸误差低于10μm的电池 切割,该工艺制备的太阳电池 性能与金刚石砂轮划片效果等同。和金刚石砂轮划片工艺相比,激光划片具有速度快、切割图形多样、维护周期短等优点。关键词：激光划片 热效应 边缘湿法刻蚀GaInP/GaAs/Ge太阳电池 研究 被引量：1 2020年 太阳电池 的技术,因刻蚀形成的划切槽界面光滑程度远高于砂轮划切界面,有效降低了复合中心的密度,从而提升了太阳电池 的光电转换性能。通过一种含溴的水溶液一次性刻蚀替代了传统的不同溶液交替刻蚀相应Ⅲ-Ⅴ族材料,显微镜下,含溴水溶液工艺获得的划切槽明显优于交替溶液刻蚀形成的划切槽;通过一次性湿法刻蚀、两次套刻和真空蒸镀工艺制作的具有划切槽太阳电池 AMO下光电转换效率达到29.13%,高于无划切槽工艺制作的GalnP/GaAs/Ge电池 效率。关键词：湿法刻蚀 套刻 空间卫星用GaInP/GaAs/Ge太阳电池 辐照损伤效应研究 太阳电池 是空间各类航天器的主要能量来源，在空间中的应用也越来越广泛。但是位于空间的太阳 能电池 会受到空间粒子的照射，从而在电池 中产生损伤。本文利用电池 电流电压特性、光谱响应(EQE)、荧光光谱(PL)等分析手段，对...关键词：GAAS太阳电池 太阳电池 有限元软件 电子辐照下GaAs/Ge太阳电池 性能退化机制 2016年 太阳电池 电学性能退化规律。根据太阳电池 电学参数退化模型,对太阳电池 短路电流退化曲线进行非线性分析,建立空间GaAs/Ge太阳电池 少数载流子扩散长度损伤系数随入射电子能量变化的基本规律。结果表明,少数载流子扩散长度损伤系数随入射电子能量的增高而增大,这与短路电流退化幅度随电子能量变化规律一致。关键词：GAAS太阳电池 空间GaAs/Ge太阳电池 电学性能的数值模拟 2016年 太阳电池 模拟程序AFORS-HET拟合空间GaAs/Ge太阳电池 的电学参数,以期为进一步研究空间太阳电池 的辐照损伤效应开辟新途径.根据GaAs/Ge太阳电池 的基本参数建立太阳电池 基本模型,对照程序文件格式要求制作空间AM0标准太阳 光谱和GaAs材料的吸收系数文件.数值模拟结果表明,模拟结果与实验数据符合,AFORS-HET程序能够很好地表征空间GaAs/Ge太阳电池 内部载流子输运的基本性质.关键词：GAAS太阳电池 数值模拟 空间带电粒子辐照下GaAs/Ge太阳电池 暗特性的数值模拟与分析 太阳电池 电学参数退化的基本规律，使用PC1D程序拟合电池 的光谱响应和I-V特性曲线，在此基础上通过模拟GaAs/Ge太阳电池 的暗I-V特性曲线分析其串联电阻和并联...关键词：太阳电池 质子辐照 光电效应 数值模拟 文献传递 电子辐照下GaAs/Ge太阳电池 载流子输运机理研究 被引量：5 2015年 太阳电池 电学参数退化的基本规律,在此基础上使用PC1D模拟程序分析太阳电池 内部的载流子输运机理,建立不同能量的电子辐照下GaAs/Ge太阳电池 中多数载流子浓度和少数载流子扩散长度随辐照粒子注量变化的基本规律.研究结果表明:多数载流子浓度和少数载流子扩散长度均随入射电子注量的增大而减小,多数载流子去除率和少数载流子扩散长度损伤系数均随电子能量的增高而增大,多数载流子去除效应和少数载流子扩散长度缩短分别是电池 开路电压和短路电流退化的主要原因.关键词：GAAS太阳电池 辐照损伤 载流子浓度 GaAs/Ge太阳电池 电子辐射效应的移位损伤剂量分析 被引量：2 2015年 太阳电池 电子的辐射效应进行研究分析。首先计算电子在电池 中的非电离能损(non-ionizing energy loss,NIEL)值,再用其与电子辐射注量的相乘,得到相应的移位损伤剂量(displacement damage dose,Dd),并对不同能量电子辐射下GaAs/Ge太阳电池 最大输出功率Pmax随Dd的衰降曲线进行修正。分析结果表明:用Dd代替辐射注量,可使不同能量电子辐射引起的GaAs/Ge太阳电池 Pmax的衰降能用单一曲线来描述。由此,通过NIEL值的计算和相对少的电子实验数据,就可确定太阳电池 Pmax的衰降曲线,能够方便地预测在轨任务太阳电池 的工作寿命。关键词：GAAS/GE太阳电池 电子辐射
