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GaAs和InP化合物半导体的发展趋势及应用: 2023年; 第二代半导体材料砷化镓和磷化铟广泛应用于5G通信、数据中心、新一代显示设备、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域,在光电领域的应用日渐成熟,国内上中下游产业布局趋于完善,下游市场规模将快速增长。对GaAs和InP化合物半导体的发展趋势及路线进行了综述。; 韩家贤韦华刘建良叶晓达赵兴凯牛应硕孙清李芳艳王茺无; 关键词：磷化铟砷化镓半导体光电器件

质子辐射对GaAs和InP纳米线结构空间位移损伤特性研究: 卫星激光通信技术相比传统通信技术具有通信容量大、保密性好、设备体积小和功耗低等诸多优点，是实现高码率通信的最佳方案。激光器、探测器和光伏电池等光电器件作为搭载卫星光通信系统的卫星平台的核心器件之一，工作在空间辐射环境中，...; 黎发军; 关键词：半导体光电材料砷化镓磷化铟纳米线结构

降低键合多结太阳能电池GaAs/InP界面电学损耗的方法: 本发明提供一种降低键合多结太阳能电池GaAs/InP界面电学损耗的方法，其包括：步骤1：通过外延生长，将作为键合接触层的GaAs层制备在GaAs衬底上，并将作为另一键合接触层的InP层制备在InP衬底上，其中，GaAs层...; 孙利杰陈开建张玮; 文献传递

Fabrication and characterization of novel high-speed In GaAs/InP uni-traveling-carrier photodetector for high responsivity: 2015年; A top-illuminated circular mesa uni-traveling-carrier photodetector（UTC-PD） is proposed in this paper. By employing Gaussian graded doping in In Ga As absorption layer and In P depleted layer, the responsivity and high speed response characteristics of the device are optimized simultaneously. The responsivity up to 1.071 A/W（the external quantum efficiency of 86%） is obtained at 1550 nm with a 40-μm diameter device under 10-V reverse bias condition. Meanwhile, the dark current of 7.874 n A and the 3-d B bandwidth of 11 GHz are obtained with the same device at a reverse bias voltage of3 V.; 陈庆涛黄永清费嘉瑞段晓峰刘凯刘锋康超汪君楚房文敬任晓敏; 关键词：RESPONSIVITY

降低键合多结太阳能电池GaAs/InP界面电学损耗的方法: 本发明提供一种降低键合多结太阳能电池GaAs/InP界面电学损耗的方法，其包括：步骤1：通过外延生长，将作为键合接触层的GaAs层制备在GaAs衬底上，并将作为另一键合接触层的InP层制备在InP衬底上，其中，GaAs层...; 孙利杰陈开建张玮; 文献传递

GaAs,InP,GaN高电子迁移率晶体管模型比较: 介绍了GaAs,InP 和GaN三种不同衬底的高电子迁移率晶体管小信号模型,比较了三种不同衬底器件的物理结构.开路测试,短路测试,去嵌等小信号模型寄生参数提取方法在文中被介绍,且对三种不同衬底的高电子迁移率管寄生参数进行...; 沈溧骆丹婷高建军; 关键词：晶体管砷化镓磷化铟小信号模型寄生参数

GaAs/InP的键合界面热应力分析被引量：5: 2012年; 采用双层条状金属热应力模型,用MATLAB方法对退火过程中GaAs/InP晶片间的应力和双轴弹性形变能进行模拟和分析。结果表明:将InP剪薄至200μm,GaAs剪薄至175μm,剪应力取得了一个相对的小值,而剥离应力更是被完全消除,这时正应力也相对较小。而按照一定的比例适度剪薄两侧晶片的厚度,可以使得两侧的双轴形变能减小到原来的一半以下。通过减薄键合晶片的厚度可以得到较好的键合质量。另外,不管那一种应力都随退火温度的升高而快速增加,所以实验中一定保持低的退火温度,通常小于300°C为宜。; 于丽娟晏磊; 关键词：键合退火温度

基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术被引量：1: 2010年; 提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。; 宋海兰黄辉王文娟黄永清任晓敏; 关键词：低温键合 GAAS/INP

GaAs／InP键合电学性质的研究被引量：1: 2010年; Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少。采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型。利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度。实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性。; 何国荣渠红伟杨国华郑婉华陈良惠; 关键词：界面态密度热电子发射键合

用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法: 一种用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的GaAs、InP晶片在多种有机溶剂中反复煮洗，以去掉晶片表面的残留有机物分子，并初步提高晶片表面的亲水性；步骤2：将步骤1处理...; 晏磊于丽娟; 文献传递

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