搜索到217篇“ GAAS器件“的相关文章
- 基于电子束直写T型栅的GaAs器件结构及其制备方法和GaAs器件
- 本发明公开了一种基于电子束直写T型栅的GaAs器件结构及其制备方法和GaAs器件，该结构包括GaAs衬底和T型栅极，GaAs衬底上由下至上依次生长有GaAs缓冲层、AlGaAs二维电子气层、AlGaAs间隔层、n‑AlG...
- 金磊孙勇范江华陈章隆张超李瑫陈李松
- GaAs器件镀层应力问题分析及解决
- 2021年
- 传统的GaAs电镀布线工艺,镀层金属与种子层呈锐角,导致氮化硅表面出现变色脱落等现象,影响器件稳定性和可靠性。本文改进了传统的电镀布线工艺,在电镀布线后,表面先涂覆薄层聚合物(0.5μm以内)以消除锐角,消除应力集中点,之后再淀积氮化硅,形成复合保护层。改进后的工艺解决了因镀层金属应力集中导致的氮化硅表面变色和脱落等问题。
- 王敬松周国
- 关键词：应力集中氮化硅
- GaAs器件空间位移损伤等效试验用质子能量选择研究
- 针对位移损伤等效试验质子能量选择问题,对比分析了GaAs器件性能退化随入射质子能量的变化规律,结合利用Geant4计算的质子在材料中的非电离能损(NIEL)分析,得出质子能量在50 MeV以上范围,位移损伤等效试验原理对...
- 于庆奎李铮罗磊孙毅梅博李鹏伟李晓良吕贺唐民
- 关键词：GAAS质子
- GaAs器件空间位移损伤等效试验用质子能量选择研究
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- 关键词：GAAS质子
- 文献传递
- Si基GaAs器件
- 本实用新型提供了一种Si基GaAs器件。其包括：包括Si基片和外延片，外延片包括横向生长形成的GaAs成核层和位于GaAs成核层上的GaAs器件结构，Si基片上具有与外延片的尺寸相匹配的集成区域，Si基片在集成区域处减薄...
- 陈一峰
- 文献传递
- GaAs器件寿命试验结温测试方法研究
- 2012年
- 在GaAs器件寿命试验中,器件的性能参数退化与结温密切相关。对于如何确定结温问题进行了研究,介绍了热阻的定义以及目前热阻测试中常用的方法。针对GaAs器件长期使用中出现的参数漂移、输出功率下降等问题,试验设计了4种相关的单机理评价结构,并使用电参数测试法确定出GaAs加速寿命试验中最合适的环境温度。
- 洪潇芦忠来萍
- 关键词：砷化镓器件热阻测试结温
- GAAS器件寿命试验结温测试方法研究
- GAAS器件寿命试验中，器件的性能参数退化与结温密切相关，本文对其如何确定结温问题进行展开，介绍了热阻的定义以及目前测试热阻常用的方法。针对GAAS器件的长期使用中出现的参数漂移、输出功率下降等问题，试验设计了4种相关的...
- 关键词：GAAS器件热阻热阻测试结温
- 文献传递网络资源链接
- GaAs器件和MMIC的失效分析被引量：17
- 2010年
- 从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧毁、静电损伤、器件分层、设计和工艺缺陷等进行举例分析,为生产和使用过程中控制其主要的失效模式及失效机理提供参考和依据。
- 崔晓英黄云恩云飞
- 关键词：砷化镓器件单片微波集成电路
- GaAs器件电磁脉冲效应实验与毁伤机理研究被引量：3
- 2010年
- 介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方波,研究了器件在静态时的损伤阈值。根据GaAs器件易损性薄弱环节,从GaAs器件的结构、内部缺陷等出发,探索电磁脉冲对GaAs器件易损性薄弱环节的损毁机理。通过对毁伤实验分析,进一步阐述了电磁脉冲对器件存在潜在不稳定性失效,对器件和整机系统设计者和使用者具有一定的参考意义。GaAs微波低噪声器件在EMP正脉冲注入情况下,获得的损伤阈值约为3.024μJ。在EMP负脉冲注入情况下,损伤阈值约为10.02μJ。初步认为GaAs FET的正脉冲EMP比负脉冲EMP更易损伤。
- 李用兵田国强王长河江西元
- 关键词：砷化镓电磁脉冲毁伤机理阈值
- H_2对航天用GaAs器件可靠性的影响被引量：6
- 2010年
- 分析了H2对GaAs器件可靠性的影响,在此基础上通过理论计算提出为满足航天及其它特殊应用领域,密封GaAs器件长期贮存和长寿命工作不失效对H2含量的控制要求,最后给出了控制H2含量可行的方法和工艺。
- 刘文宝陈文卿
- 关键词：GAAS器件可靠性
相关作者
- 崔晓英
- 作品数：12被引量：37H指数：3
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所
- 研究主题：可靠性 GAAS器件 MMIC GAAS 加速寿命试验
- 罗四维
- 作品数：6被引量：3H指数：1
- 供职机构：河北半导体研究所
- 研究主题：干法刻蚀 GAAS器件 掩模版 电子束 铬
- 江泽流
- 作品数：10被引量：3H指数：1
- 供职机构：河北半导体研究所
- 研究主题：干法刻蚀 GAAS器件 掩模版 电子束 铬
- 李用兵
- 作品数：13被引量：28H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
- 研究主题：电磁脉冲 GAAS 场效应晶体管 FET EMP
- 刘玉贵
- 作品数：11被引量：13H指数：2
- 供职机构：河北半导体研究所
- 研究主题：干法刻蚀 GAAS器件 掩模版 电子束 库仑阻塞
