搜索到37篇“ GAINASSB/GASB“的相关文章
- GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及工艺的研究
- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaSb及其四元化合物半导体GaInAsSb材料均为具有闪锌矿结构的直接带隙半导体材料，因此在制造发光二极管、激光二极管和光电探测器方面具有较大的应用潜力，故而引起了人们关注。GaInAsSb材料...
- 刘延祥
- 关键词：红外探测器欧姆接触增透膜半导体材料
- 文献传递
- GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究被引量：1
- 2005年
- 简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了A l2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀A l2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所提高。
- 刘延祥夏冠群唐绍裘李志怀程宗权
- 关键词：GAINASSB/GASB
- CH3CSNH2/NH4OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器
- 2005年
- 引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.
- 刘延祥唐绍裘夏冠群程宗权郑燕兰
- 关键词：GAINASSB钝化
- GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其Ⅰ-Ⅴ特性的研究被引量：1
- 2004年
- 本文简单介绍了GaInAsSb/GaSb PIN探测器的结构及工作原理,重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器Ⅰ-Ⅴ反向偏软的特性的方法。
- 刘延祥夏冠群唐绍裘程宗权
- 关键词：红外探测器I-V特性禁带宽度
- CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究
- 本文引入一种新的低毒化合物CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了表面钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多;且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与...
- 刘延祥夏冠群唐绍裘程宗权郑燕兰
- 关键词：GAINASSB红外探测器
- 文献传递
- GaInAsSb/GaSb Long Wavelength Mid-IR Detectors
- ＜正＞As one of the important materials systems in theapplication of mid-IR.GalnAsSb has shown its promisingusage...
- Binhe Wu. Guanqun Xia. Zongquan Cheng. Dangli Liang. Zhihuai LiShanghai Institute of Metallurgy 865 Changning RD. Shanghai 200050
- 文献传递
- GaInAsSb/GaSb异质结的MOCVD生长及掺杂研究
- Ⅲ-Ⅴ族Sb化物由于在红外光源与探测领域的重要应用而得到了广泛重视,本文用MOCVD技术外延生长了GaInAsSb/GaSb异质结材料,研究了其生长特性,掺杂特性,并对材料中的位错特性进行了探索.1 GaInAsSb四元...
- 张子旸
- 关键词：MOCVD异质结掺杂位错
- 文献传递
- Advances in low-bandgap InAsSbP/InAs and GaInAsSb/GaSb thermophotovoltaics
- Mauk, M.G.
- 3.4 μm Diode Lasers Employing Al-Free GaInAsSb/GaSb MQW Active Regions at 20℃
- Mid-infrared (3-5 μm) diode lasers are important for a wide range of applications, including gas sensing. GaSb...
- Hari P. Nair
- Toward an AlGaAsSb/GaInAsSb/GaSb laser emitting beyond 3 μm
- We have made quantum wells laser diodes by Molecular Beam Epitaxy with emission wavelengths from 2.3 μm to 3.1...
- Julie Angellier
