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基于InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射标定因子实验研究: 2023年; 辐射标定因子作为半导体激光器的重要物理参数,在揭示器件性能方面一直扮演着重要角色。本文提出了一种测量辐射标定因子的实验方法,利用这一方法开展了对980 nm InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射特性研究。该方法通过收集InGaAs/GaAs边发射结构两侧辐射的光致发光(PL)光谱,利用构建的理论公式,获得了该结构在不同注入载流子浓度下的辐射标定因子,均值波动范围约为7.16×10^(10)~3.36×10^(11)W^(-1)·eV^(-1)·s^(-1)。最后利用固体模型理论和载流子填充规律对该结果进行了分析,揭示了该结构在不同热平衡状态下的非平衡载流子能带填充水平,以及电子和空穴准费米能级的变化规律。该项研究提出了一种测量辐射标定因子的新方法,在揭示发光材料辐射机制和推动激光器发展方面具有较重要研究价值。; 王伟杨舒婷汪雅欣王宇轩王茹于庆南; 关键词：INGAAS/GAAS 光致发光光谱

高应变InGaAs/GaAs多量子阱中的局域态问题被引量：1: 2023年; 针对高应变InGaAs/GaAs多量子阱中存在的局域态问题,利用金属有机化合物气相外延(MOCVD)技术,设计并生长了五周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs高应变多量子阱材料。通过原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)和变温光致发光(Photoluminescence,PL)测试,发现量子阱内部存在缺陷及组分波动的材料无序性表现,验证了多量子阱内部局域态的存在及起源。同时发现在不同测试位置,局域态在低温下对光谱的影响也不同,分别表现为双峰分布和峰位“S”型变化。这进一步说明材料内部无序化程度不同,导致局域态的深度也不同。依据温度-带隙关系的拟合,提出了包含局域态的多量子阱材料的电势分布,并揭示了局域态载流子和自由载流子的复合机制。并且借助变功率PL测试,研究了在不同激发功率密度下不同深度的局域态的发光特性。; 王曲惠王海珠王骄马晓辉; 关键词：局域态高应变

引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面量子点的光学特性: 2023年; 在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加,SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移;PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变;通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱;时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态,并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程,以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。; 刘晓辉刘景涛郭颖楠王颖郭庆林梁宝来王淑芳傅广生; 关键词：时间分辨荧光光谱

Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究被引量：1: 2022年; 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法。为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索。本文使用Si介质层作为扩散源,采用管式炉高温退火的方法进行Si杂质扩散诱导量子阱混杂研究。实验并分析了介质膜厚度、退火条件、量子垒材料、牺牲层材料等因素对InGaAs/GaAs(P)量子阱蓝移量的影响。实验发现,量子阱和量子垒的混杂效果随着扩散时间以及退火温度增加而增大,且对温度尤其敏感。当退火条件为780℃、10 h时,InGaAs/GaAsP结构的波长蓝移量达到70.5 nm,量子垒为GaAsP时比GaAs有更好的促进蓝移效果。相同外延结构下,InGaP牺牲层结构相比AlGaAs牺牲层有更大的波长蓝移。; 王予晓朱凌妮仲莉孔金霞孔金霞刘素平; 关键词：量子阱混杂半导体激光器

InGaAs/GaAs多量子阱近红外光探测结构设计与表征被引量：1: 2021年; 介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系,并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程。根据计算结果,设计出InGaAs/GaAs多量子阱结构,之后采用分子束外延技术完成了高质量外延片结构的研制,通过双晶X射线衍射等分析手段,推算出多量子阱结构中In的组分,势垒与势阱的厚度等参数与理论设计一致,具有很好的近红外探测器研制价值。; 李林森汪涛朱喆; 关键词：INGAAS/GAAS 多量子阱红外

InGaAs/GaAs半导体表面量子点光学性质研究: 表面量子点(Surfacequantumdots,SQDs)拥有独特的表面敏感特性，在开发气敏传感器等领域具有极大的应用价值。本文采用光致荧光发射谱(Photoluminescence,PL)、荧光激发谱(Photolu...; 刘景涛

InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性被引量：3: 2020年; 研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为2.93~3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15~100 K的电压温度系数为2.56~2.75 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为3.91~4.15 mV/K。在100~300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15~100 K相差较大,还需要进一步完善。; 李金友王海龙杨锦曹春芳曹春芳于文富龚谦; 关键词：量子阱激光器

InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的电学特性研究: 量子计算机能够快速地实现并行运算，其数据处理速度远超电子计算机。然而目前量子计算机只能在低温环境下运行，因此低温与室温间的数据传输成为量子计算机研究需要解决的一个重要问题。由于半导体激光器在工作稳定性、能耗以及工作温度范...; 李金友; 关键词：电学特性调制特性; 文献传递

一种多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线: 本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B面的衬底材料，该衬底用于在其上外延生长纳米线各层材料；一掩膜层，用于形成图型...; 曾丽娜李林李再金杨红李功捷李志波任永学刘国军曲轶彭鸿雁; 文献传递

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