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正压差MOCVD设备及正压差MOCVD方法: 本发明提供了一种正压差MOCVD设备，包括：减压舱(61)，减压舱(61)被配置为能够提供低于大气压力的环境；反应腔壳，设置在减压舱(61)内，用于提供供反应气体发生化学反应的环境；进气口和排气口，分别用于向反应腔壳内供...; 徐国强张丽娜闻洁

MOCVD方法生长氧化锌薄膜及其极性表面发光特性: 2022年; 氧化锌ZnO由于其高激子束缚能等特点在光电器件等方面表现出广泛的应用,制备高质量ZnO薄膜并研究其发光性能有着重要的意义。本文通过MOCVD方法在不同晶面的蓝宝石衬底上生长了不同极性表面的ZnO薄膜。扫描电子显微镜和阴极射线荧光表征结果显示得到的ZnO薄膜结晶度较好,且H2刻蚀对得到平整的ZnO表面有着重要作用。光谱测量结果显示ZnO极性面的带边发光强度要明显高于非极性面,这一发光衰减和非极性面的表面缺陷直接相关。本文的对于研究ZnO薄膜外延生长有着重要的意义,有助于进一步的光电器件应用。; 王剑宇王立; 关键词：凝聚态物理 ZNO薄膜蓝宝石衬底 MOCVD

一种外延片生长炉、设备、MOCVD方法及外延片: 本发明所提供的一种外延片生长炉、设备、MOCVD方法及外延片，包括：用于放置衬底的生长炉本体，所述生长炉本体的上端面呈向下凹陷的球面状，所述球面状的上端面设置有预设标记位；当衬底放置于预设标记位上，且生长炉本体进行旋转时...; 林伟瀚梁邦兵杨梅慧杨鑫; 文献传递

激光辅助MOCVD方法制备YBCO带材的研究被引量：2: 2018年; YBCO超导带材由金属基带、缓冲层、超导层和保护层组成,其性价比由制备工艺决定。为此,本文介绍了YBCO超导层的主流制备工艺,重点分析了激光辅助金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)方法对金属有机源的利用率提升的原理,以及对YBCO带材的性能改良。; 朱红亮夏芳敏叶新羽; 关键词：超导 YBCO MOCVD

MOCVD方法制备氮化锌薄膜及其性质研究: 近年来，氮化物半导体由于具有比较大的禁带宽度和电子饱和速率以及比较大的击穿电压等特点被公认为光电材料中最有发展前途的材料之一[1]。作为Ⅲ族氮化物材料的代表，GaN材料已经得到了很充分的研究，而且应用领域也很广[2]。然...; 王忠轩; 关键词：MOCVD方法退火处理表面形貌; 文献传递

基于MOCVD方法的N面GaN材料生长及特性研究: 由于具有禁带宽度大、直接带隙、电子速率快、击穿场强高等优点，基于GaN基半导体材料的光电器件和微波器件已经在照明与显示、通信与雷达等领域发挥了巨大的作用。目前常规的GaN器件大都是基于Ga面GaN材料制各的，这是因为无论...; 林志宇; 关键词：碳化硅衬底

MOCVD方法在SrFe_(12)O_(19)表面生长Fe薄膜及其吸波性能被引量：1: 2014年; 采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺,以高纯Fe（CO）5和SrFe12O19为原料,高纯N2为载气,在SrFe12O19表面沉积连续Fe膜,从而制得Fe-SrFe12O19复合材料.用XRD,SEM,EDS和矢量网络分析仪对粉末的结构及电磁性能进行表征并对其吸波性能进行研究.结果表明,SrFe12O19表面沉积的膜层为纯a-Fe相,厚度约为0.5mm,沉积薄膜比较均匀完整地覆盖在SrFe12O19表面.SrFe12O19表面沉积a-Fe膜后,其电磁性能发生明显改变,吸波性能有较好改善.沉积时间30min时制备的样品有最佳的吸波效果,涂层厚度为1.5～3.0mm时,最小反射率均低于-19dB,在6.8～18.0GHz均能实现吸波强度低于-10 dB.随着厚度的增加,反射率峰值先减少后增加,厚度为2.0 mm时,达到最小值-21.2 dB.; 刘渊刘祥萱王煊军陈鑫; 关键词：羰基铁金属有机化学气相沉积电磁微波吸收

采用MOCVD方法的GaN薄膜制备试验研究被引量：1: 2013年; 介绍了使用本实验室自制的MOCVD设备,以蓝宝石材料作为衬底,按照MOCVD方法设计的GaN薄膜制备试验。衬底入炉后先在1150"C的H2气氛下烘烤20min,然后降温至540"C、550"C、560"C、570"C和580"C生长20nm厚的GaN缓冲层,再升温至1100"C生长GaN外延,外延的厚度约为3μm。缓冲层生长温度为570"C时,样品外延的生长质量最好。; 孙媛媛李政钟咏兵赵立国; 关键词：MOCVD GAN薄膜

p型ZnO、NiZnO薄膜的MOCVD方法制备及发光器件的研究: ZnO在常温常压下是稳定的六方晶系，属于纤锌矿结构，是一种直接宽带隙半导体材料。其带宽和GaN相近，但其激子束缚能为60meV比GaN的20meV高出许多。在紫外发光器件应用方面具有十分巨大的发展开拓潜力。然而，由于本征...; 王瑾; 关键词：ZNO MOCVD P型发光器件

MOCVD方法制备BeH_2薄膜: 2012年; 采用二叔丁基铍(t-Bu2Be.Et2O)蒸气在加热的衬底上以热解的方式制备透明的BeH2薄膜。通过加热BeH2薄膜并借助氢气气相色谱仪探测到了薄膜释放的H2。X射线光电子能谱分析表明,薄膜表面层几乎完全被氧化成BeO。傅里叶变换红外光谱显示存在强烈的BeHBe键弯曲振动吸收峰。因此,二叔丁基铍在加热的基片上以分解的方式能够制备出BeH2薄膜。; 张吉强罗江山罗炳池吴卫东; 关键词：化学气相沉积气相色谱红外光谱

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