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沉积温度对MOCVD法制备固体氧化物燃料电池GDC阻挡层性质的影响: 2024年; 致密的氧化钆掺杂的氧化铈(GDC)薄膜可以被应用于固体氧化物燃料电池(SOFC)的阴极LSCF与电解质YSZ的阻挡层,防止绝缘相SrZrO3的生成,从而提高电池的耐久性。本文以四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铈(Ce(DPM)_(4))和三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)钆(Gd(DPM)_(3))为前驱体,采用智能化学气相沉积设备在723~923 K在YSZ陶瓷基板表面制备GDC薄膜,并研究了不同沉积温度对GDC薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构和电化学性能的影响。在748~923 K时制备了具有(200)择优取向的淡黄色GDC薄膜,且GDC晶粒呈岛状生长模式。在873 K时得到了阻挡效果良好的(200)择优取向的淡黄色GDC薄膜。组装LSCF/GDC/YSZ/GDC/LSCF对称电池,在1073 K下测得电池阻抗为0.08Ω·cm^(2),活化能为1.52 eV,表明873 K为化学气相沉积法制备GDC薄膜的最佳沉积温度。; 马超熊春艳徐源来赵培; 关键词：金属有机物化学气相沉积沉积温度固体氧化物燃料电池

基于MOCVD法在硅酸镓镧类晶体衬底上生长GaN单晶薄膜的方法: 本发明公开了基于MOCVD法在硅酸镓镧类晶体衬底上生长GaN单晶薄膜的方法，特点是包括以下步骤：（1）将清洁后的硅酸镓镧类晶体衬底放入金属有机化合物化学气相沉积腔室，向反应室通入H<Sub>2</Sub>与NH<Sub>...; 郑燕青王帅孙志刚

MOCVD法生长二维范德华材料的研究进展被引量：1: 2021年; 二维范德华材料凭借其优异的光学和电学特性,自被发现以来一直作为延续集成电路摩尔定律的重要基础电子材料而备受关注。通过机械剥离的方法得到高质量的二维材料进行实验室层面的研究工作已经不能满足现阶段的需要。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术可以得到高质量的大面积二维范德华材料,并具有生长层数和成核密度可控的优势。以过渡金属硫化物(TMDC)为例,分别从生长条件、金属有机源材料、衬底、催化剂等方面综述了采用MOCVD技术生长二维范德华材料的研究进展,同时讨论了二维材料的范德华异质结构的特性及应用。利用MOCVD技术优势可以推动二维范德华材料的大规模应用。最后总结了MOCVD法生长二维范德华材料现阶段的优势与不足,并对其未来的发展进行了展望。; 柳鸣郭伟玲孙捷; 关键词：异质结

一种MOCVD法制备高温超导带材的在线温度监测系统: 本实用新型公开了一种MOCVD法制备高温超导带材的在线温度监测系统，其涉及高温超导带材制备技术领域。其技术方案要点包括设备主体，设备主体上设置有法兰接口；设置于法兰接口上的透光板；设置于设备主体内壁的挡板，挡板上设置有透...; 章鹏张爱兵王延凯蔡渊袁文; 文献传递

MOCVD法制备BGaN薄膜: 2020年; 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上进行了BGaN薄膜的外延生长,研究了生长厚度、温度、压力和B/Ⅲ比等条件对BGaN薄膜中B组分的影响。X射线衍射测试结果表明,降低生长温度、压力以及增加B/Ⅲ比,更有利于提高BGaN薄膜中B的并入效率。在800℃、30 kPa及B/Ⅲ比为30%的生长条件下,制备的BGaN薄膜中B组分最高,为6.1%。; 曹越于佳琪张立东邓高强张源涛张宝林; 关键词：金属有机物化学气相沉积

MOCVD法制备β-Ga2O3一维纳米材料: 2020年; 采用金属有机化学气相沉积法,以Au为催化剂,在蓝宝石衬底上制备β-Ga2O3一维纳米材料。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、光致发光光谱仪对样品的物相、表面形貌、结构以及发光性能等进行了表征。主要研究了生长温度对其各种性能的影响。结果表明,600℃时,样品呈非晶态的小颗粒;650℃时为非晶态的纳米线;700℃时为结晶态的纳米柱;750℃时为结晶态的大颗粒。随着生长温度升高,样品在357 nm和408 nm处出现发光峰,且其发光强度随温度升高而增强。; 朱江胡大强王颖郇维亮; 关键词：金属有机化学气相沉积一维纳米材料生长温度

PLD结合MOCVD法在Si衬底上生长AlGaN基的紫外LED结构及制备方法: 本发明公开了PLD结合MOCVD法在Si衬底上生长AlGaN基的紫外LED结构及制备方法，紫外LED结构包括Si(111)衬底、在所述Si(111)衬底上自下而上依次生长的步进AlGaN缓冲层、Si掺杂的n型AlGaN层...; 李国强; 文献传递

BGaN薄膜的MOCVD法外延生长研究: BGaN合金材料的禁带宽度在3.4~5.5eV之间连续可调，对应的发光波长范围在225~365nm之间，可以用于紫外发光器件的制备。同时，通过调整BGaN中合金组分，其a轴晶格常数可以分别与AlN和SiC衬底的a轴晶格常...; 曹越; 关键词：金属有机物化学气相沉积表面形貌

PLD结合MOCVD法在Si衬底上生长AlGaN基的紫外LED结构及制备方法: 本发明公开了PLD结合MOCVD法在Si衬底上生长AlGaN基的紫外LED结构及制备方法，紫外LED结构包括Si(111)衬底、在所述Si(111)衬底上自下而上依次生长的步进AlGaN缓冲层、Si掺杂的n型AlGaN层...; 李国强; 文献传递

Si衬底上MOCVD法外延高质量GaN薄膜的生长研究: GaN材料具有宽禁带,高熔点,高电子迁移率,高击穿场强以及高热导率等优越特性,广泛应用于发光器件(LED)、太阳能电池、高电子迁移率晶体管以及射频器件等领域。目前外延GaN薄膜基本上都是采用MOCVD法进行异质外延生长,...; 仇成功; 关键词：氮化铝氮化镓金属有机化学气相沉积; 文献传递

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