-
毕大炜
-
-
- 所属机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 所在地区:上海市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家科技重大专项
相关作者
- 张正选
- 作品数：132被引量：138H指数：7
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
- 胡志远
- 作品数：24被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题：SOI 沟道 沟槽隔离 总剂量效应 深亚微米器件
- 邹世昌
- 作品数：200被引量：245H指数：9
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题：离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
- 陈明
- 作品数：42被引量：158H指数：7
- 供职机构：中国科学院
- 研究主题：总剂量辐射效应 SOI 沟道 总剂量辐射 总剂量
- 宁冰旭
- 作品数：20被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题：沟道 沟槽隔离 SOI 深亚微米器件 微米
