刘昌举
作品数: 118被引量:81H指数:5
  • 所属机构:中国电子科技集团公司第44研究所
  • 所在地区:重庆市
  • 研究方向:自动化与计算机技术
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

李明
作品数:48被引量:0H指数:0
供职机构:中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题:CMOS图像传感器 读出电路 电路 读出 存取数据
祝晓笑
作品数:23被引量:34H指数:3
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 读出电路 动态范围 模数转换器 CMOS读出电路
李明
作品数:13被引量:26H指数:3
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 ADC CMOS读出电路 传感器 压控振荡器
任思伟
作品数:13被引量:17H指数:3
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 图像传感器 ADC 电荷耦合器件 CMOS读出电路
白雪平
作品数:54被引量:2H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题:像元 CCD 寄存器 EMCCD 电荷耦合器件
一种应用于安防监控的CMOS图像传感器的自动曝光算法研究被引量:4
2017年
针对传统自动曝光算法难以兼顾实时性和平滑性的缺点,设计了一种结合直接计算法和可变步长调节法的综合性算法,研究了算法原理,给出了算法流程。该算法可以通过改变步长参数,自由设定将图像亮度调节到目标亮度的时间,使其能够适用于各种不同的应用场合。在基于FPGA的CMOS图像采集平台上完成了算法实现,实验结果证明采用该算法可以使图像亮度快速平稳地接近理想亮度,成像效果很好。
刘业琦吴治军刘昌举祝晓笑刘戈扬
关键词:CMOS图像传感器安防监控
基于片上系统的时钟复位设计被引量:2
2017年
从方法优化和电路设计入手,提出了基于片上系统(SOC)的复位方法和时钟复位电路。设计了片外按键复位电路、片内上电电路、晶振控制电路、片内RC低频时钟电路、槽脉冲产生电路、分频延时电路、时钟切换电路及异步复位同步释放电路等电路模块。以上电路模块构成了片上系统的时钟复位电路,形成了特定的电路时钟复位系统。该时钟复位系统将片外按键复位与片内上电复位结合起来,形成多重复位设计,相比单纯按键复位更智能,相比单纯上电复位则更可靠。另外,该时钟复位系统还采用了片内RC振荡时钟电路等一系列电路,借助片内RC时钟实现对芯片的延时复位,进而在保证复位期间寄存器得到正确初始化的同时,还使得芯片能够始终处在稳定的晶振时钟下正常工作。相比传统的时钟复位电路,该时钟复位系统既便捷,又保证了系统初始化和系统工作的可靠性。
任思伟唐代飞祝晓笑刘昌举刘戈扬翟江皞
关键词:片上系统时钟设计
像元级倍增CCD结构的设计与验证
2022年
在CCD像元内集成了由重掺杂PN结组成的APD结构,使CCD的像元具备了雪崩倍增功能。CCD实现像元级倍增,可使探测信号从探测器的探测端被增大,可提高探测器的探测灵敏度。进行了像元结构仿真、工艺仿真、像元倍增结构设计等工作,设计了512(V)×512(H)阵列规模的像元级倍增CCD,开展了工艺流片、工艺优化、封装测试等工作,验证了CCD的像元倍增功能。
王小东刘昌举涂戈李佳
关键词:电荷耦合器件光电探测器件
用于列级ADC架构CMOS图像传感器的高速数据读出电路
本发明提供一种用于列级ADC架构CMOS图像传感器的高速数据读出电路,包括多位数据读出电路,针对每位数据读出电路中每列第一数据读出电路,其第一MOS管的栅极和反相器的输入端连接对应列SR存储器的对应位输出端,源极接地,漏...
吴治军李梦萄刘昌举李毅强张靖
文献传递
CMOS图像传感器的非线性信号转换电路
本发明公开了一种CMOS图像传感器的非线性信号转换电路;它包括CMOS图像传感器中的像素阵列、计数器、非线性信号产生器和信号转换器单元;像素阵列向信号转换器单元输出像素模拟信号;计数器为信号转换器单元和非线性信号产生器提...
张靖刘昌举吴治军祝晓笑李明李毅强邓光平刘业琦任思伟阳怡伟
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线阵CCD的一种抗晕结构
本发明公开了线阵CCD的一种抗晕结构,本发明通过独特的结构设计使每个抗晕单元由两个信号单元共用,本发明的有益技术效果是:在像元数量一定的条件,可有效减少抗晕漏数量,由抗晕漏的数量减少所节省出的空间,可用于增加其他结构体的...
汪朝敏刘昌举白雪平
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多通道扫描CCD相机的低噪声设计被引量:2
2009年
根据CCD成像电路的特点并结合高速电路信号完整性(SI)和电源完整性(PI)的分析方法,基于16×8线阵CCD器件,设计出具有低噪声、高动态范围的多通道扫描CCD相机。经实际测试,CCD输出信号的均方根噪声降到了0.25mV以下,在饱和信号幅度80%的条件下,信噪比达到了1000∶1。
王颖李金刘昌举
关键词:信号完整性电源完整性低噪声高信噪比
一种复用型像素控制电路
本发明属于CMOS图像传感器技术领域,具体涉及一种复用型像素控制电路,用于控制拼接超大面阵CMOS图像传感器;所述复用型控制电路至少包括一个复用单元,每个复用单元包括L级串行像素控制子电路和开窗地址选通电路;通过复用单元...
吴治军李毅强刘昌举
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高速响应光电探测器
一种高速响应光电探测器,包括多个光电二极管,所述多个光电二极管按一维阵列形式分布,单个光电二极管的轴向与一维阵列的延伸方向垂直,其创新在于:所述光电二极管由P型衬底、N-区和N区组成;所述N-区由在P型衬底内离子注入掺杂...
邓光平刘昌举李明祝晓笑李毅强任思伟
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脉冲激光时间电压转换电路及其控制方法
本发明涉及脉冲激光测距领域,尤其涉及一种脉冲激光时间电压转换电路及其控制方法,所述电路包括跨阻放大器、第一比较器、第一开关、第二开关、第三开关、第一电流源、第二电流源、电容、第二比较器、计数器和缓冲器;跨阻放大器输出脉冲...
邓光平包露朱梦楠黄建刘昌举雷仁方