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闫如顺
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- 所属机构:中国科学院安徽光学精密机械研究所
- 所在地区:安徽省 合肥市
- 研究方向:电子电信
相关作者
- 陶德节
- 作品数:12被引量:32H指数:4
- 供职机构:中国科学院安徽光学精密机械研究所
- 研究主题:晶体生长 提拉法 激光晶体 晶体 CR
- 郭行安
- 作品数:6被引量:23H指数:3
- 供职机构:中国科学院安徽光学精密机械研究所
- 研究主题:提拉法生长 晶体生长 提拉法 金绿宝石 CR^3+
- 王军
- 作品数:2被引量:1H指数:1
- 供职机构:合肥科晶材料技术有限公司
- 研究主题:基片 引上法晶体生长 LD GAN基LED 超导薄膜
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- 高温超导薄膜单晶基片——NdAlO_3晶体
- 1997年
- NdAlO3晶体是一种新型的高温超导薄膜和LCMO巨磁阻膜基片材料,具有低的介电常数和介电损耗,与YBCO有良好的晶格匹配。与LaAlO3晶体(~500℃)相比,NdAlO3晶体具有相变温度高(>1500℃)的优点,这样,有利于YBCO薄膜的外延生长。我们采用感应加热提拉法生长NdAlO3晶体。铱坩锅尺寸60×55mm,拉速1~3mm/h,转速10~30r/min,气氛N2,第一次生长采用LaAlO3晶体作为籽晶,<001>方向生长,生长出尺寸达25×60mm的无云层、无气泡、无开裂、质量优良的NdAlO3晶体。
- 杭寅闫如顺王军薛家恒兰志成杨昭荣
- 关键词:基片引上法晶体生长超导薄膜
- 高温超导衬底材料SrLaAlO_4晶体的生长及特性被引量:1
- 2003年
- 用提拉法生长了不开裂的高温超导衬底材料SrLaAlO4晶体 ,晶体尺寸为(2 5~ 30 )mm× (5 0~ 6 0 )mm。该晶体具有K2 NiF4型结构 ,晶格常数为a =0 .375nm ,c=1.2 6 3nm。生长的晶体颜色随着生长时炉膛内氧气氛的含量的增加而逐渐加深。测量了晶体的室温下的介电常数及介电损耗分别为 2 0及 8× 10 -4。
- 陶德节闫如顺刘福云邾根祥郭行安
- 关键词:晶体生长提拉法
- 提拉法生长钆镓石榴石(GGG)晶体被引量:10
- 2003年
- 用提拉法生长出了优质的钆镓石榴石(Gd3Ga5O12)晶体,晶体尺寸达φ35 × 70mm。详细描述 了晶体生长工艺过程,讨论了生长气氛对及坩埚形状对晶体生长的影响。
- 陶德节邾根祥闫如顺刘福云郭行安殷绍唐
- 关键词:提拉法固液界面晶体生长
- 蓝色GaN基LED和LD单晶基片——MgAl_2O_4晶体生长被引量:1
- 1997年
- 近年来,国际上已研制成功GaN基蓝光LED和LD器件。为了获得高质量的GaN薄膜,必须要求基片材料具有良好的晶格匹配、优良的热稳定性和化学稳定性以及良好的机械性能等优点。MgAl2O4晶体是目前性能优良的GaN基片材料之一。我们采用中频感应加热提拉法生长MgAl2O4晶体,使用80×70mm的铱钳埚,拉速0.5~3mm/h,转速15~30r/min。针对MgAl2O4晶体高熔点(2130℃)和MgO易挥发的特性,设计了特殊的温场结构和原料合成工艺,已成功地生长出<111>取向、最大直径达45mm的MgAl2O4晶体,晶体无云层、无气泡、无孪晶、无开裂,质量优良。已提供给国内外有关单位使用,他们已在我们的MgAl2O4晶片上获得高质量的GaN膜,并研制成功蓝光LED和LD。
- 杭寅王军薛家恒闫如顺兰志成杨昭荣
- 关键词:基片引上法晶体生长