-
宁策
-
-
- 所属机构:京东方科技集团股份有限公司
- 所在地区:北京市
- 研究方向:电子电信
相关作者
- 胡合合
- 作品数:192被引量:0H指数:0
- 供职机构:京东方科技集团股份有限公司
- 研究主题:显示装置 薄膜晶体管 显示面板 基板 漏极
- 李正亮
- 作品数:225被引量:1H指数:1
- 供职机构:京东方科技集团股份有限公司
- 研究主题:显示装置 薄膜晶体管 基板 显示面板 正投影
- 袁广才
- 作品数:617被引量:75H指数:6
- 供职机构:京东方科技集团股份有限公司
- 研究主题:显示装置 基板 显示面板 薄膜晶体管 正投影
- 杨维
- 作品数:151被引量:0H指数:0
- 供职机构:京东方科技集团股份有限公司
- 研究主题:显示装置 薄膜晶体管 显示面板 基板 漏极
- 雷利平
- 作品数:86被引量:0H指数:0
- 供职机构:京东方科技集团股份有限公司
- 研究主题:薄膜晶体管 显示装置 显示面板 基板 正投影
- 显示面板及其制备方法、显示装置
- 本公开涉及显示技术领域,提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。该显示面板包括沿第一方向和第二方向阵列分布的多个像素电路,像素电路包括晶体管,晶体管的第一极连接像素电极,第一方向与第二方向相交;显示面板还包括衬底基板以及...
- 周天民张劲潮张舜航王利忠宁策郭晖
- 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
- 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。该方法包括:在衬底基板上形成第一栅极金属图形;在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形;在形成有所述源漏极金...
- 宁策杨维李晓虎
- 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
- 本发明提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板、显示装置。本发明的阵列基板的制备方法包括以下步骤:在基材上形成第一有源层和公共电极,在所述第一有源层上形成第一栅绝缘层,在所述第一栅绝缘层形成栅极;在所述公共电极和所...
- 宁策杨维
- 文献传递
- 一种TFT阵列基板及其制造方法
- 本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法,涉及液晶面板制造领域,解决了现有技术中制造工艺复杂的问题。制造方法包括:在基板上沉积第一透明导电层,通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极;在所述栅线和栅极上分别沉积栅绝缘层、透明...
- 宁策
- 文献传递
- 氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法
- 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法,属于显示技术领域。本发明的氧化物薄膜晶体管的制备方法,包括:在基底上,形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤;所述形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤包括:...
- 关峰袁广才王治许晨姚琪曹占锋宁策李禹奉陈蕾
- 文献传递
- 改善沉积氮化硅薄膜对FFS-TFT透明电极ITO影响的研究被引量:10
- 2012年
- 研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响。结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影响,降低硅烷的流量可以阻止薄雾状姆拉的产生。通过优化氮化硅薄膜沉积条件,先在透明导电金属ITO薄膜上面使用低流量硅烷沉积一薄层氮化硅作为缓冲层,然后使用高流量的硅烷在其上再沉积氮化硅薄膜,这样不仅解决了薄雾状姆拉,同时还以提高氮化硅的沉积速率,满足生产需求。
- 刘翔薛建设周伟峰戴天明郝照慧杨静宁策张学辉孙冰
- 关键词:铟锡氧化物氮化硅薄雾
- 一种薄膜晶体管及其制备方法、传感器
- 本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、传感器,其中薄膜晶体管包括衬底以及设置在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极以及有源层;其中,所述有源层内设置有微通道,所述薄膜晶体管用于对所述微通道内的样品进行检测。本申请技...
- 马啸尘袁广才宁策胡合合谷新
- 文献传递
- 一种显示面板、其制作方法及显示装置
- 本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置,该制作方法包括:在衬底基板上形成多晶硅层的图形;在多晶硅层之上形成第一绝缘层;在第一绝缘层之上形成半导体氧化物层,以及在半导体氧化层之上形成第一金属层;采用同一次构图工艺对...
- 杨维袁广才宁策卢鑫泓
- 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板
- 本公开提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板,属于薄膜晶体管技术领域。其中,薄膜晶体管包括:衬底基板;位于所述衬底基板上的栅极;位于所述栅极远离所述衬底基板一侧的有源层,所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在...
- 胡合合王东方刘凤娟宁策李正亮贺家煜曲燕赵坤黄杰雷利平林允植张舜航姚念琦李菲菲
- 微流道及其制备方法和操作方法
- 一种微流道(100)及其制备方法和操作方法。微流道(100)包括:通道结构,包括允许液体样品流动通过的通道(110)以及围绕通道(110)的通道壁,其中,通道壁包括由电解质材料形成的电解质层(121),以及位于电解质层(...
- 马啸尘袁广才宁策李正亮
- 文献传递