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国家自然科学基金(60276042)

作品数:18 被引量:22H指数:3
相关作者:陈军宁柯导明代月花孙家讹孟坚更多>>
相关机构:安徽大学东南大学合肥工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信机械工程理学自然科学总论更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 7篇LDMOS
  • 6篇量子
  • 6篇解析模型
  • 5篇量子效应
  • 4篇电路
  • 4篇MOSFET
  • 3篇导通
  • 3篇导通电阻
  • 3篇电阻
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇栅电容
  • 3篇阈值电压
  • 3篇量子化
  • 3篇高温
  • 2篇动态优化
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇信号
  • 2篇信号完整性
  • 2篇亚微米

机构

  • 19篇安徽大学
  • 6篇东南大学
  • 1篇合肥工业大学

作者

  • 17篇陈军宁
  • 15篇柯导明
  • 8篇代月花
  • 6篇孙家讹
  • 6篇孟坚
  • 4篇徐超
  • 3篇时龙兴
  • 3篇叶云飞
  • 3篇魏敬和
  • 2篇孙伟锋
  • 2篇徐太龙
  • 2篇洪琪
  • 2篇陆生礼
  • 2篇吴秀龙
  • 1篇樊进
  • 1篇周国祥
  • 1篇吴建辉
  • 1篇吴昊
  • 1篇高珊
  • 1篇刘磊

传媒

  • 4篇安徽大学学报...
  • 3篇中国科学技术...
  • 3篇电子学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇微电子学
  • 1篇2005年“...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 13篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2002
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型
分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式。对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果...
孟坚高珊陈军宁柯导明孙伟锋时龙兴徐超
关键词:导通电阻解析模型
Effective Mobility in Nano-Scaled n-MOSFETs
<正>In this work, we present a methodology for calculating mobility of nano-scaled MOSFET’s from the Boltzmann ...
Yue-Hua Dai
文献传递
MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型被引量:1
2005年
根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,对多晶硅中的量子效应进行建摸,得出了一个基于物理的解析模型,该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型.利用该模型对阈值电压进行了计算,其结果与数值模拟结果相吻合,证明了该模型的正确性和准确性.
代月花陈军宁柯导名孙家讹徐超
关键词:多晶硅量子效应
功率LDMOS阈值电压温度系数的优化分析被引量:1
2006年
讨论高压LDMOS阈值电压的温度特性,并给出了它的温度系数计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:通过提高沟道掺杂浓度或减少栅氧化层能够降低阈值电压随温度的变化.阈值电压的温度系数可以用温度的线性表达式来计算,从而可以得出功率LDMOS阈值电压的温度系数最优化分析.
丁峰柯导明陈军宁叶云飞刘磊徐太龙
关键词:高温
纳米MOSFET迁移率解析模型
2006年
从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度.
代月花陈军宁柯导明孙家讹胡媛
关键词:玻尔兹曼方程纳米MOSFET迁移率
Analysis of Self-heating Effect and Breakdown Characteristics in Partial SOI LDMOS with Multi Silicon Windows
This paper proposes a novel partial SOI LDMOS with multi silicon windows.The two-dimensional numerical analysi...
Gao Shan Chen Junning Ke Daoming Fang Miao Department of Electronic Science and Technology
MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型
2007年
在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOS器件的阈值电压,与数值模拟的结果比较表明,模型的精度令人满意.
金钟叶云飞陈军宁代月花孙家讹
关键词:量子效应多晶硅栅电容
CMOS低电压高性能混频器的设计被引量:2
2006年
随着CMOS RFIC的快速发展,使得射频、中频和基带集成在同一块芯片中成为可能。在无线局域网的RF前端电路中,混频器是非常重要的部分,它影响相邻电路和接收机的整体性能。本论文的主要工作是在吉尔伯特混频器(Gilbert Cell Mixer)的原型上,引入了一种新的低电压结构和新的跨导单元结构设计了一种可以工作在低电压下具有优良性能的新型混频器。
洪琪陈军宁柯导明潘灏
关键词:混频器射频低电压高增益
多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响
2006年
根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。
孙家讹陈军宁柯导明代月花徐超
关键词:多晶硅量子效应MOSFET阈值电压
用分量匹配法实现对高速时钟电路的动态优化
2004年
本文讨论如何设计工作在GHz频率下的VLSI芯片时钟电路 .时钟树采用平衡平面布局消除时钟偏差 ;利用插入缓冲器对电路性能进行动态优化 .最后用一个电路模拟软件对电路进行评估 .和以往的工作相比较 ,本文实现了在频域内对时钟电路的优化 ,显著地提高了仿真速度 .
魏敬和陈军宁柯导明时龙兴陆生礼樊进
关键词:时钟电路传输线
共3页<123>
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