教育部科学技术研究重点项目(105041)
- 作品数：10 被引量：48H指数：4
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- 电场诱导空穴注入缓冲层PEDOT∶PSS取向对OLED发光性能的影响被引量：6
- 2008年
- 实验中以PEDOT∶PSS在ITO基片上旋涂作为空穴传输层,并且在旋涂PEDOT∶PSS的过程中在与ITO玻璃平面垂直的方向施加一个诱导聚合物取向的高压电场,试验着重研究了所加电场强度对双层器件:ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/Al器件性能的影响。测试结果表明,旋涂时所加电场的大小对器件的发光强度和起亮电压都有明显的影响。随着所加电场的增大,器件发光强度明显增加,起亮电压减小。由此表明:在高电场作用下,聚合物分子链沿电场方向发生了取向,而且随着电场增强这种取向作用会表现得越明显,并且在PEDOT∶PSS膜表层会形成一个梯度变化的PSS聚集,使得从ITO到MEH-PPV的功函数逐渐上升,降低空穴注入势垒,增强了空穴的注入效率。
- 秦丽芳侯延冰师全民蒋婧思高瑞王琰
- 关键词：分子取向电致发光空穴注入
- MEH-PPV薄膜的放大自发发射特性被引量：3
- 2008年
- 研究了MEH-PPV薄膜的放大自发发射特性。当激发强度增加时,从样品边缘发射的光谱发生增益窄化现象并具有明显的阈值特性。我们发现随着薄膜厚度的增加,MEH-PPV薄膜的阈值有所降低,而其增益系数则随之增加。在150nm厚时测得最大净增益系数为25.03cm-1,最低阈值为2.2μJ/pulse。结果表明MEH-PPV是一种优良的激光和光放大材料。
- 高瑞侯延冰于丹滕枫
- ZBLAN∶Yb^(3+),Tm^(3+)双频共激发的上转换发光被引量：16
- 2008年
- 首先测量了ZBLAN∶Yb3+,Tm3+分别在980nm和808nm激光激发下的400~600nm波段内的上转换发光光谱,在此基础上研究了980,808nm激光共激发下ZBLAN∶Yb3+,Tm3+的上转换发光特性。在测量过程中,分别改变输入激光功率,测量了上转换发光强度与泵浦激光输入功率的关系,由此绘制双对数曲线图,对上转换发光机制进行了分析。研究证明980nm激发为三光子过程、808nm激发为双光子过程,而980,808nm激光共同激发为共协过程。
- 窦京涛侯延冰
- 关键词：YBTM
- 溶胶凝胶法制备Zn_(1-x)Fe_xO稀磁半导体被引量：2
- 2008年
- 使用溶胶-凝胶法,制备了Fe掺杂的ZnO粉末衡磁半导体材料。通过X射线衍射对样品的晶格结构进行了分析,发现衍射峰的峰位随着Fe掺杂量出现偏移。当掺杂浓度低于6.66%时,Fe较好地替代了Zn的晶格位置,当掺杂浓度达到6.66%时出现杂相峰。使用超导量子干涉仪对所制备的磁性材料进行表征,得到了材料磁化率随温度变化关系曲线,并观察到明显的低温磁滞现象。对其磁性来源进行了分析。
- 蒋婧思侯延冰唐爱伟滕枫
- 关键词：溶胶凝胶法稀磁半导体ZNO
- 不同稳定剂对水溶性CdTe纳米晶光学性质的影响被引量：6
- 2008年
- 分别用巯基乙酸(TGA),巯基丙酸(MPA),L-半胱氨酸(L-Cys),3-巯基-1,2-丙二醇(TG)作为稳定剂,在水相中合成出CdTe纳米晶体,研究了稳定剂对所制备的纳米晶光学性质的影响,并且对所合成的球状和棒状纳米晶的稳定性进行了研究。实验结果表明,不同的稳定剂可以得到不同型貌的纳米晶,用L-半胱氨酸(L-Cys),巯基乙酸(TGA),巯基丙酸(MPA),3-巯基-1,2-丙二醇(TG)所得到的CdTe纳米晶的吸收和发射峰位不同,这是受稳定剂自身的官能团性质和空间位阻作用影响的结果。
- 王琰侯延冰唐爱伟封宾李妍滕枫
- 关键词：CDTE纳米晶稳定剂光学性质
- MEH-PPV/TiO_2纳米管混合膜光伏特性的研究
- 2008年
- 对基于[2-甲氧基-5-(2′-乙烯基-己氧基)聚对苯乙烯撑](MEH-PPV)/纳米TiO2混合材料制备的光电二极管的光伏特性进行了研究.研究发现,加入TiO2纳米管制备的器件具有高的开路电压和短路电流.通过进一步优化MEH-PPV:TiO2纳米管器件的材料混合比例,在500nm,16.7mW/cm2的入射光照射下,器件的短路电流达到了9.27μA/cm2,开路电压达到了1.1V,功率转换效率相应地达到了0.017%,其中功率转换效率比没有掺杂的MEH-PPV器件提高了10倍.
- 李妍侯延冰靳辉师全民王琰冯志慧
- 关键词：TIO2纳米管MEH-PPV
- 电场诱导聚合物分子取向对单线态和三线态激子形成截面的影响被引量：2
- 2007年
- 通过对聚乙烯咔唑(PVK)掺杂三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)和4-二氰亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB),PVK掺杂DCJTB和PVK掺杂Ir(ppy)3聚合物在成膜时高压电场作用下分子取向变化对单线态和三线态激子形成截面的研究,发现,随着成膜时电场的增强,单线态激子的形成截面在增加,而三线态激子的形成截面却减小.
- 刘军侯延冰孙鑫师全民李妍靳辉鲁晶
- 关键词：分子取向三线态单线态
- 水相中CdTe纳米晶的制备及其光学性质(英文)被引量：12
- 2008年
- 用不同稳定剂(巯基乙酸(TGA)、巯基丙酸(MPA)、L-半胱氨酸(L-Cys)、3-巯基-1,2-丙二醇(TG))在水相中制备了CdTe纳米晶,并用透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线粉末衍射(XRD)等技术对其进行了表征.研究了不同水相合成条件对CdTe纳米晶光学性质的影响,结果表明,n(Cd)∶n(Te)、溶液pH值、回流时间以及稳定剂的性质,对纳米晶的光学性质具有显著影响.制得的CdTe纳米晶发射峰窄且对称(半高全宽达38nm),用不同稳定剂制备的纳米晶发光量子效率有所不同,用不同的激发波长对纳米晶进行激发时,发射峰并未表现出明显的移动.
- 王琰侯延冰唐爱伟封宾李妍滕枫
- 关键词：CDTE纳米晶光学性质光致发光
- 电极修饰层PEO/LiF对聚合物发光二极管发光性能的提高
- 2007年
- 在以聚合物发光材料poly(2-methoxy-5-(2-′ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的聚合物poly(ethyleneoxide)(PEO),发光器件的发光性能有所提高,尤其是PEO/LiF共同对Al电极修饰时发光器件的开启电压、发光强度、电流效率等性能显著提高。初步分析表明修饰层的插入造成了发光聚合物层与金属电极界面形成势垒,通过空穴堆积抑制空穴的注入,增加电子的注入,并且PEO层可以有效抑制激子在阴极的猝灭。
- 孙鑫侯延冰刘军师全民李妍靳辉鲁晶
- 关键词：聚合物发光二极管电极修饰MEH-PPV
- LiF层对MEH-PPV:C_(60)掺杂系统光伏特性的影响被引量：1
- 2007年
- 将氟化锂(LiF)层引入MEH-PPV:C60掺杂系统的有源层与Al电极层之间,会使MEH-PPV:C60器件的光伏特性发生改变。实验发现,对于未掺杂的MEH-PPV器件,LiF层可以同时提高开路电压和短路电流;对于MEH-PPV:C60掺杂器件,LiF层可以提高器件的开路电压,却减小了短路电流。因为,LiF在电荷产生层与Al电极层之间形成了一个偶极层,它相当于降低了阴极的功函数,因此可以提高器件的内建电势和开路电压。LiF对于掺杂和未掺杂器件的不同影响是C60和MEH-PPV不同的LUMO能级造成的。
- 靳辉侯延冰孟宪国滕枫
- 关键词：光伏开路电压短路电流
