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国家自然科学基金(60276013)

作品数:6 被引量:2H指数:1
相关作者:王永晨赵杰杨格丹陈杰刘明成更多>>
相关机构:天津师范大学北京师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇量子阱混合
  • 2篇离子注入
  • 2篇介质膜
  • 2篇PECVD
  • 2篇MQW
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇电介质膜
  • 1篇电子谱
  • 1篇空位
  • 1篇空位扩散
  • 1篇蓝移
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇激光器结构
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光纤

机构

  • 5篇天津师范大学
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 5篇赵杰
  • 5篇王永晨
  • 4篇杨格丹
  • 2篇陈杰
  • 1篇李彦
  • 1篇韩德俊
  • 1篇刘明成

传媒

  • 2篇光子技术
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇天津师范大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Plasma-enhanced Chemical Vapordeposition SiO_2 Film after Ion Implantation Induces Quantum Well Intermixing被引量:1
2006年
A method of QWI ( quantum well intermixing) realizing through plasma-enhanced chemical vapordepositiom (PECVD) SiO2 film following ion implantation was investigated. PECVD 200 mn SiO2 film after 160 keV phosphorus(P) ion implantation was performed to induce InP-based multiple-quantum-well (MQW) laser structural intermixing, annealing process was carried out at 780 ℃ for 30 seconds under N2 flue, the blue shift ofphotoluminescenee (PL) peak related to implanted dose : 1 × 10^11, 1 × 10^12, 1×10^13 ,3 × 10^13 , 7× 10^13 ion/ cm^2 is 22 nm, 65 nm, 104 nm, 109 nm, 101 nm, respectively. Under the same conditions, by comparing the blue shift of PL peak with P ion implantation only, slight differentiation between the two methods was observed, and results reveal that the defects in the implanting layers generated by ion implantation are much more than those in SiO2 film. So, the blue shift results mainly from ion implantation. However, SiO2 film also may promote the quantum well intermixing.
彭菊村
PECVD沉积SiOP电介质膜及其XPS研究被引量:1
2004年
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IFVD)技术中InGaAsP InPMQW结构中新的包封层,替代传统的SiO2层。经X射线光电子谱(XPS)研究证明,该膜就是SiOP结构。快速退火(RTA)研究表明,该膜结构基本稳定,但膜中P原子存在明显扩散,它增强了InPMQW结构中In原子的外扩,却抑制了Ga原子的外扩。这些都明显区别于常规SiO2膜的性质。
王永晨杨格丹赵杰车经国张淑云
关键词:SIO2膜MQW等离子体增强化学气相沉积X射线光电子谱
SiOP介质膜及其对InGaAsP/InP量子阱激光结构混合无序的影响
2003年
用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μmInGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在SiO和PO键,P(2p)态键能为134.6eV.PL测量首次获得223.6meV的最大带隙蓝移.该技术在光子集成和光电子集成电路(PIC's,OEIC's)中有广泛的应用前景.
王永晨杨格丹赵杰李彦刘明成
关键词:PECVD光纤通讯
离子注入结合无杂质空位诱导量子阱混合的研究
2006年
离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空住扩散(IFVD)方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合(QWI)的重要方法。本文采用磷离子注入(注入能量为160keV,剂量分别为1×10^11,1×10^12,1×10^13,3×10^13,7×10^14ion/cm^2)和用无杂质空位扩散(PECVD 200nm SiO2电介质膜)相结合的方法来实现InGaAsP/InP多量子阱的混合(高纯氮保护下进行快速热退火,退火温度为780℃,退火时间为30s)。同时,和相同条件下纯磷离子注入诱导混和结果进行了比较。试验发现,先用PECVD镀200nm的SiO2电介质膜再进行磷离子注入的方法造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法小,而先进行磷离子注入在用覆盖200nm的SiO2电介质膜造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法稍大。说明,离子注入造成的缺陷比介质膜SiO2中的缺陷多。带隙兰移主要由离子注入引起。但用两种方法结合时,SiO2中的缺陷也起到促进作用。
陈杰杨格丹王永晨赵杰
关键词:量子阱混合
一种增强量子阱混合的新技术被引量:1
2004年
采用PECVD技术在1.55μm InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5-74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量。对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV。在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜。
杨格丹王永晨赵杰车经国张淑云
关键词:MQWSIO2薄膜激光器结构PL谱蓝移
磷离子注入诱导InGaAsP/InP双量子阱混合的研究
2005年
本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合。注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2。注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒。实验结果表明,小剂量注入(~1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关。大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰。
陈杰王永晨赵杰韩德俊
关键词:离子注入量子阱混合
共1页<1>
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