国家自然科学基金(60276018)
- 作品数：10 被引量：44H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量被引量：3
- 2005年
- 针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立了实时曝光监测实验装置,测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线,并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律.最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析.
- 刘世杰杜惊雷段茜罗铂靓唐雄贵郭永康杜春雷
- 关键词：光刻
- 用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓被引量：3
- 2006年
- 考虑厚胶曝光过程中非线性因素的影响及其显影特点,用一套随抗蚀剂厚度发生变化的曝光参数改进的Dill曝光模型,仿真厚层抗蚀剂光刻过程,并比较新曝光模型与原有Dill模型模拟的结果差异。模拟显示,用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好;并对厚胶光刻成像机理进行了讨论。通过分析正性厚层抗蚀剂AZ4562的显影轮廓,给出其显影线宽及边墙陡度随显影时间的变化规律,提出应以获得最大边墙陡度作为优化显影时间的思想。对厚度5μm和15μm的抗蚀剂,经计算,可获得良好的抗蚀剂浮雕轮廓的优化显影时间分别为98s和208s。
- 段茜姚欣陈铭勇马延琴刘世杰唐雄贵杜惊雷
- 厚胶光刻中光敏化合物浓度空间分布研究被引量：2
- 2005年
- 厚胶光刻过程是一个复杂的非线性过程,其光刻胶内光敏化合物(PAC)浓度空间分布是影响显影面形的主要因素。根据厚层胶光刻的特点,结合光化学反应机理,利用角谱理论,分析了在曝光过程中光刻胶内衍射光场和PAC浓度的空间分布随时间的动态变化,以及后烘(PEB)过程对PAC浓度空间分布的影响。该方法数值计算结果准确,且速度快。数值模拟表明,其内部衍射光场分布与PAC浓度分布是一个动态的、非线性的相互影响过程;后烘工艺可平滑PAC浓度空间分布;PAC浓度空间分布是影响浮雕面形边沿陡度的一个重要因素。
- 唐雄贵高福华高峰郭永康杜惊雷刘世杰
- 关键词：光刻
- 烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响被引量：14
- 2005年
- 采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化。实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大。由此得出,在前烘阶段应采取较高温度、较短时间的烘焙,而在坚膜阶段应采取较低温度、较长时间的烘焙,这样可提高厚胶光刻面形的质量。
- 唐雄贵姚欣郭永康杜惊雷温圣林刘波刘倩董小春
- 关键词：厚胶光刻
- 利用傅里叶模方法分析厚层光刻胶内衍射光场被引量：6
- 2005年
- 建立了描述厚层光刻胶内衍射光场形成过程的物理模型,并利用傅里叶模方法模拟计算和分析了其内部衍射光场分布。该方法考虑了其界面反射、透射及光刻胶复折射率在空间上的缓慢变化对衍射光场的影响,采用该方法模拟光刻胶内衍射光场具有数值计算结果准确、计算速度快的优点。对厚层光刻胶折射率在几种特殊分布情况下衍射光场分布的数值模拟表明,衍射光场与其复折射率的空间分布有关。由于厚层光刻胶折射率在空间上呈缓慢变化的特点,为降低其数值计算量和编程难度,可以将厚层光刻胶近似为折射率随曝光时间变化的光栅。
- 唐雄贵郭永康杜惊雷刘世杰高峰高福华
- 关键词：物理光学矢量衍射理论光刻模拟
- 基于角谱理论的厚层光刻胶衍射光场研究被引量：11
- 2004年
- 为快速、准确地获得厚层光刻胶内部衍射光场的分布,利用角谱理论的思想,考虑入射光通过掩模后在光刻胶面的反射、透射和光刻胶曝光过程中其折射率及吸收系数在深度方向上的变化,建立了衍射光场在厚层光刻胶中传输的理论模型。为减小计算量,对快速傅里叶算法进行了改进。该方法数值计算速度快,计算结果准确,并适用于光在折射率渐变的其它介质中的传播。最后,对厚层光刻胶中光场分布进行了数值模拟;计算模拟表明,对于厚层光刻胶,其表面的反射、透射和折射率及吸收系数在深度方向变化对衍射光场分布有明显的影响。
- 唐雄贵郭永康杜惊雷刘世杰高福华
- 关键词：物理光学光刻传递函数
- 厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响被引量：2
- 2006年
- 针对用于厚层光刻的重氮萘醌类正性光刻胶,利用动力学模型,分析了光化学反应速率的影响因素;给出了光化学反应速率明显受光强变化的影响以致互易律失效的原因。对厚度24μm的光刻胶AZP4620在相同曝光量而光强分别为3.2mW/cm2和0.63mW/cm2的条件下进行了数值模拟和实验。当曝光光强为3.2mW/cm2时仅需300s,即可显影完全,而当曝光光强为0.63mW/cm2时需要的时间长达2400s,才显影完全,且面形轮廓差异较大。因此,在厚胶光刻中,当曝光光强较大时应适当减小曝光量,反之,应适当增加曝光量。
- 唐雄贵郭永康杜惊雷温圣林刘波罗伯靓董小春
- 关键词：厚胶光刻光化学反应光强动力学模型
- 基于共振异常的消偏振型窄带滤波器分析被引量：4
- 2004年
- 亚波长光栅因光栅参量的不同而具有不同的衍射特性 ,通过对亚波长光栅参量的合理设计来实现消偏振窄带滤波是一种新的方法与途径。首先分析了基于共振异常的窄带滤波的物理机制及存在条件 ,讨论了二维亚波长光栅实现消偏振窄带滤波的可能性。然后 ,利用严格模式理论进行了计算模拟 ,其计算结果与导波理论所得结果基本吻合 ,其衍射特性表现出周期性共振异常 敏感的角度依赖性和波长依赖性。最后 ,讨论了由工艺误差对滤波特性所带来的影响 ,为具体工艺制作提供了一定的指导。
- 唐雄贵杜春雷
- 关键词：衍射光学窄带滤波
- 光刻中驻波效应的影响分析被引量：4
- 2004年
- 驻波效应是抗蚀剂在曝光过程中的寄生现象。一般认为,驻波效应对薄胶的光刻图形有较大的影响,而对厚胶的光刻图形影响不大。根据DILL曝光模型进行了模拟计算,分析了在曝光过程中抗蚀剂折射率的改变对驻波强度和位置的影响以及驻波效应引起抗蚀剂曝光剂量分布的变化,并结合MACK显影模型分析了当抗蚀剂的厚度改变时,驻波效应对其显影轮廓的影响程度,计算分析得出了一个可以不采用后烘工序的抗蚀剂厚度值。
- 刘世杰杜惊雷肖啸唐雄贵彭钦军刘建莉郭永康
- 关键词：光刻集成电路
- 厚胶光刻非线性畸变的校正被引量：6
- 2006年
- 利用厚胶光刻技术制作大深度微结构元件是一种有效的途径,但厚胶光刻过程中的非线性畸变对光刻面形质量的严重影响限制了该技术的应用,基于此,提出了一种对掩模透射率函数进行校正的方法。分析空间像形成及其在光刻胶内传递、曝光、显影等过程中非线性因素的影响,利用模拟退火算法对掩模透射率函数进行校正,以提高光刻面形质量,并以凹面柱透镜为例,给出了校正前后的显影轮廓模拟结果,其校正后浮雕面形的体积偏差仅为2.63%。该方法在有效改善面形质量的同时,并没有引起掩模的设计、制作难度及费用增加,这对于设计、制作高质量的微结构元件有重要意义。
- 唐雄贵姚欣高福华温圣林刘波郭永康杜惊雷
- 关键词：物理光学厚胶光刻模拟退火算法
