四川省应用基础研究计划项目(2009JY008)
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
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- 相关机构：成都信息工程大学更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 电子束蒸发制备PbI_2膜及其光学性能研究
- 2010年
- 采用电子束蒸发法制备PbI2膜,研究不同工艺参数对制备样品光学性质的影响。结果表明,制备样品属于六方相多晶结构,随衬底温度的升高,样品中的I元素含量降低并趋于理想化学配比。随着衬底温度的升高,PbI2膜的光谱透过性能逐渐改善,吸收边沿低能一侧的拖尾逐步消除,源自样品结晶质量的提高。根据紫外-可见透过谱,计算了不同条件下制备样品的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙。结果发现,随衬底温度的升高,制备样品的折射率和光学带隙出现波动变化,但吸收系数单调增大。在相同的衬底温度下,35cm的源-衬间距下制备的样品具有最大的光吸收系数,归因于该系列样品较高的致密度。
- 朱兴华杨定宇魏昭荣孙辉李乐中高秀英杨军
- 关键词：衬底温度光学带隙
- 电子束蒸发制备PbI_2薄膜的光电性质研究
- 2010年
- 采用电子束蒸发法制备了PbI2多晶薄膜，研究制备条件对薄膜光电性质的影响。结果表明，不同条件下制备的样品呈现不同的择优取向生长特征，但均属于六方相多晶结构。随着衬底温度的升高，PbI2薄膜的紫外．可见透过谱透过性能提高，光学带隙由室温时的2．33eV增大到200℃时的2．44ev。同时发现，不同源．衬间距制备样品的光谱透过性能和光学带隙基本相同。光致发光谱（PL）测试表明，薄膜的发光可能源自禁带中的缺陷能级跃迁，其PL发光峰的强度和展宽随源一衬间距的增大有明显变化。论文最后测试了PbI2薄膜在绿光LED照射下的光电导响应，发现制备样品的光电导响应性能与薄膜的沉积温度和源一衬间距有密切关系，光电导率的数量级约在10 -8～10 -9 Ω-1·cm-1之间。
- 朱兴华杨定宇魏昭荣李乐中杨维清杨军
- 关键词：光学带隙光致发光谱
- PbI_2多晶膜的制备及其晶体结构
- 2010年
- 采用电子束蒸发法制备PbI2多晶膜,研究了制备条件对沉积速率和晶体结构的影响。结果表明,源-衬间距和衬底温度对沉积速率的影响不具单调性,沉积速率随源-衬间距增大、衬底温度升高呈波动起伏。不同条件下制备的PbI2膜均属六方结构,但结晶质量和择优生长晶面存在差异。实验发现,随着膜层厚度增大,样品的结晶质量提高,当膜厚超出某一临界值,其结晶质量出现明显的下降。同时,随着衬底温度升高,PbI2膜的择优生长方向由80℃的(110)晶面转变为120℃的(001)晶面,且高级次(002)、(003)、(004)晶面的衍射峰逐渐增强,样品的c轴择优取向生长更加明显。综合以上,在电子枪束流25mA、电压6.5kV,源-衬间距30cm、衬底温度160℃的条件下,采用电子束蒸发制备的PbI多晶膜具有最佳的结晶性能。
- 朱兴华杨定宇魏昭荣杨维清孙辉李乐中高秀英
- 关键词：沉积速率衬底温度
