国家自然科学基金(11275132)
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
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- 相关机构：四川大学东华理工大学西南民族大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- W-K合金中空位型缺陷的浓度和尺寸研究
- 2019年
- W-K合金具有熔点高,抗热冲击性能强,抗氢氦等离子辐照能力强等众多优点,特别是钾泡的形成能稳定晶界、充当钉扎点和细化晶粒的作用,从而改善了W-K合金材料的性能.由于正电子寿命谱分析技术对纳米尺度的空位型缺陷极为敏感,因此本文采用该方法测量了正电子在不同钾含量下W-K合金的寿命值大小和相应的强度,并依据正电子湮没的两态捕获模型,对拟合的正电子寿命成分进行数据处理,同时对钾泡浓度和尺寸的变化情况进行了分析和讨论.
- 张元元刘南顺张培源邓爱红
- 关键词：正电子湮没寿命谱
- He离子辐照金属钨引入缺陷的微结构研究被引量：3
- 2016年
- 采用能量为100keV的He离子在室温下辐照金属钨,辐照注量范围为1.4×1017-3.5×1017/cm2,辐照后对样品进行了1100℃退火处理.利用X射线衍射、慢正电子多普勒展宽和扫描电镜技术研究了钨中He离子辐照引入的缺陷和注量之间的关系.研究结果表明辐照并退火后材料内部晶面间距增大,空位型缺陷浓度或尺寸随辐照注量的升高而增大,而高注量辐照的样品表面晶粒间连接疏松并存在孔隙,钨表层可能生成了大尺寸的He空位复合体或He泡.
- 王康刘莉邓爱红王玲王勇卢晓波龚敏
- 关键词：钨氦正电子湮没
- GaAs基非掺杂与掺Te的GaSb薄膜的缺陷结构对比分析被引量：2
- 2015年
- 在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术,采用相同工艺生长了非掺杂及掺Te的GaSb薄膜.以原子力显微镜、X射线衍射谱和正电子湮没谱技术对比分析了样品的结构及缺陷.研究表明,样品在掺Te后在界面处缺陷减少,外延生长较好.并分析其缺陷的产生机理.
- 陈燕郭辛邓爱红
- 关键词：GASB正电子湮没X射线衍射原子力显微镜
- 纳米晶钨膜的沉积工艺研究及微结构表征被引量：1
- 2015年
- 采用射频测控溅射方法,在Ar/He混合气氛下制备了纳米晶钨膜;利用增强质子背散射、慢正电子束分析和X射线衍射分析分别对钨膜中钨原子沉积情况、空位型缺陷分布及微结构进行了分析.结果表明:纳米晶钨膜具有完好的体心立方晶体结构,沿(110)方向生长;微量的氦掺入有助于钨原子沉积,同时也有利于制备均匀性和热稳定性较好的厚钨膜.
- 王玲邓爱红汪渊王康王一航王飞安竹
- 关键词：金属材料磁控溅射
