广西壮族自治区自然科学基金(0236062)
- 作品数：9 被引量：48H指数：4
- 相关作者：王华任鸣放丘伟张玉薇更多>>
- 相关机构：桂林电子工业学院更多>>
- 发文基金：广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- Ag/Bi_4Ti_3O_(12)栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性被引量：2
- 2006年
- 在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管.研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响.研究表明,在合理的工艺条件下可以获得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜并有利于改善Bi4Ti3O12/Si之间的界面特性;顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力;器件的转移(Isd-VG)特性曲线显示Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应.
- 王华任鸣放
- 关键词：铁电场效应晶体管BI4TI3O12溶胶-凝胶工艺
- Ag/Bi_4Ti_3O_(12)栅铁电场效应管ID-VG特性双曲模型
- 2005年
- 在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了数值模拟。该模型不但与阈值电压、沟道饱和电流等器件参数相关而且充分反映了剩余极化、矫顽电压等铁电栅介质极化特性对器件ID-VG特性的影响。结果表明:模拟曲线与实验曲线基本一致,能较好地模拟和描述铁电场效应晶体管的ID-VG特性。
- 王华任鸣放
- 关键词：铁电场效应晶体管数学模型
- Bi_4Ti_3O_(12)栅Si基铁电场效应晶体管特性研究被引量：4
- 2004年
- 采用溶胶 -凝胶工艺制备了 Si基 Ag/Bi4 Ti3O1 2 栅铁电场效应晶体管。研究了 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜厚度、栅宽 /长比等器件结构参数对性能的影响。研究表明 :铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随 Bi4 Ti3O1 2 薄膜厚度的增加而线性变化 ,跨导和漏 -源电流在不同的栅宽 /长比范围变化趋势不同 ,当Bi4 Ti3O1 2 厚度为 2 0 0～ 40 0 nm、Wg/Lg 取 1～ 2时 ,器件可获得较好的综合性能 ,不同栅压变化过程的 Isd-Vsd特性曲线并不重合 ,表明该器件具有源于铁电薄膜极化的场效应特性。
- 王华
- 关键词：铁电薄膜铁电场效应晶体管
- 铁电场效应晶体管的建模与模拟被引量：4
- 2006年
- 得到了一个铁电场效应晶体管(MFIS结构)的新的模型,并对该模型进行了电特性分析。从理论上得到了铁电极化和电场强度关系的新的表达式。基于Pao和Sah双积分且考虑了铁电材料的非饱和极化得到漏极电流的精确模拟,并给出了器件模拟结果。通过对器件的模拟,最后总结了一些提高铁电场效应晶体管性能的规律。
- 张玉薇王华任鸣放丘伟
- 关键词：铁电场效应晶体管
- 特色功能材料——透明导电氧化物薄膜被引量：16
- 2005年
- 透明导电氧化物(TCO)是一种特色鲜明的功能材料,以其接近金属的电导率、可见光高透射率、红外区高反射率及其它半导体特性,可应用于平板显示器件、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层以及光电子、微电子、真空电子器件等领域。综述了透明导电氧化物薄膜的基本特性、制备方法及应用,并展望了其发展前景。
- 王华
- 关键词：透明导电氧化物功能材料透明导电氧化物薄膜太阳能光伏电池平板显示器件真空电子器件
- Ag/Bi_4Ti_3O_(12)/p-Si异质结的制备及其CV特性研究
- 2004年
- 为制备符合铁电存储器件要求的高质量铁电薄膜 ,采用溶胶 凝胶 (Sol Gel)工艺 ,制备了Si基Bi4 Ti3O1 2铁电薄膜及MFS结构的Ag/Bi4 Ti3O1 2 /P Si异质结 ,对Bi4 Ti3O1 2 薄膜的相结构特征及异质结的C V特性进行了测试与分析。XRD图谱显示 ,Si基Bi4 Ti3O1 2 薄膜具有沿c 轴择优取向生长的趋势 ,而Ag/Bi4 Ti3O1 2 /p Si异质结顺时针回滞的C V特性曲线则表明 ,该异质结可实现电极化存储。此外 ,对该异质结C V特性曲线的非对称及向负偏压方向偏移的产生原因也进行了分析。在此基础上 ,为提高铁电薄膜的铁电性能及改善其C V特性提出了合理的结构设想。
- 王华
- 关键词：铁电薄膜C-V特性SOL-GEL法BI4TI3O12
- 结构设计对铁电薄膜系统电滞回线的影响被引量：1
- 2004年
- 为制备符合Si集成铁电器件要求的高质量Si基铁电薄膜,采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺,制备了MFM及MFS结构的铁电薄膜系统.研究了不同结构及不同衬底对铁电薄膜系统铁电性能及电滞回线的影响,并对这些差异产生的主要影响因素进行了分析.在此基础上,提出并制备了Ag/Pb(Zr0 52Ti0.48)O3/Bi4Ti3O12/p-Si多层结构,该结构铁电薄膜系统的铁电性能及电滞回线的对称性有明显改善,有望应用于Si集成铁电器件.
- 王华
- 关键词：铁电薄膜电滞回线
- Si基Bi_4Ti_3O_(12)薄膜电滞回线及铁电性能的研究被引量：6
- 2003年
- 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法直接在p-Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能。空间电荷层的存在使Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱。退火温度同时影响了薄膜的晶粒尺寸和薄膜中的载流子浓度,而这两种因素对铁电性能的影响是相反的。Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能随退火温度的变化是两种因素共同作用的结果。
- 王华
- 关键词：铁电薄膜BI4TI3O12电滞回线铁电性能
- Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与特性研究被引量：15
- 2004年
- 采用sol_gel工艺 ,在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜 .研究了Si基Bi4Ti3O12 薄膜的生长行为、铁电性能、C_V特性和疲劳特性 .研究表明 :Si基Bi4Ti3O12 薄膜具有随退火温度升高沿c轴择优生长的趋势 ;退火温度通过影响薄膜的晶粒尺寸、生长取向和薄膜中载流子的浓度来改变Si基Bi4Ti3O12 薄膜的铁电性能 ;Ag Bi4Ti3O12 p_Si异质结的C_V特性曲线呈现顺时针回滞 ,可以实现极化存储 ;10 9次极化反转后Bi4Ti3O12 薄膜的剩余极化仅下降 12 % 。
- 王华
- 关键词：铁电薄膜钛酸铋C-V特性薄膜生长
