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新世纪高等教育教学改革工程(XJU2008JGZ08)
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
相关作者:
杨玮
孙言飞
简基康
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相关机构:
新疆大学
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发文基金:
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化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验
本文介绍了无催化剂辅助条件下,化学气相沉积法生长GaN纳米材料的形貌演化。通过调整衬底、NH3气流、生长时间等生长参数,实现了半导体GaN纳米线的合成以及形貌调控。用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表...
孙言飞
杨玮
简基康
关键词:
化学气相沉积法
GAN
纳米线
文献传递
化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验
被引量:3
2011年
在无催化剂辅助条件下,采用化学气相沉积法生长了GaN纳米线.通过调整衬底、NH3气流、生长时间等,实现了半导体GaN纳米线的生长以及形貌调控.用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表征.获得了合成GaN纳米线的优化条件.
孙言飞
杨玮
简基康
关键词:
GAN
纳米线
化学气相沉积法
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