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新世纪高等教育教学改革工程(XJU2008JGZ08)

作品数:1 被引量:3H指数:1
相关作者:杨玮孙言飞简基康更多>>
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相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇设计性
  • 2篇设计性实验
  • 2篇气相
  • 2篇气相沉积
  • 2篇气相沉积法
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇化学气相沉积...
  • 2篇GAN
  • 2篇GAN纳米结...

机构

  • 2篇新疆大学

作者

  • 2篇简基康
  • 2篇孙言飞
  • 2篇杨玮

传媒

  • 1篇物理实验

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验
本文介绍了无催化剂辅助条件下,化学气相沉积法生长GaN纳米材料的形貌演化。通过调整衬底、NH3气流、生长时间等生长参数,实现了半导体GaN纳米线的合成以及形貌调控。用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表...
孙言飞杨玮简基康
关键词:化学气相沉积法GAN纳米线
文献传递
化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验被引量:3
2011年
在无催化剂辅助条件下,采用化学气相沉积法生长了GaN纳米线.通过调整衬底、NH3气流、生长时间等,实现了半导体GaN纳米线的生长以及形貌调控.用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表征.获得了合成GaN纳米线的优化条件.
孙言飞杨玮简基康
关键词:GAN纳米线化学气相沉积法
共1页<1>
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