国家自然科学基金(60676059)
- 作品数：14 被引量：44H指数：5
- 相关作者：侯立峰王晓华赵英杰郝永芹冯源更多>>
- 相关机构：长春理工大学中国人民解放军装甲兵技术学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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- 基于AlN膜钝化层的高功率垂直腔面发射激光器被引量：1
- 2011年
- 高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可以改善器件内部的温度分布,降低器件的热阻,提高器件的散热能力;采用相同的外延片与工艺实验制备了出光孔径同为200μm的AlN膜钝化层和传统的SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件;对两种不同的钝化层的器件性能进行了实验对比测试,结果表明AlN膜钝化层的高功率VCSEL器件室温下的最大输出功率可达470 mW,比同温度下SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件的最大输出功率高140 mW。AlN膜钝化层的高功率VCSEL在外界温度80℃时,仍能正常激射,具有良好的温度适应性与光电性能。
- 钟钢侯立峰王晓曼
- 关键词：激光器垂直腔面发射激光器钝化层
- 垂直腔面发射激光器中氧化速率规律的研究被引量：1
- 2008年
- 本文在不同条件下进行了选择性氧化实验,从中获得被氧化样品的微观结构图片和不同氧化深度处的各组分含量.由于氧化速率主要受扩散控制的影响,因而本研究运用扩散动力学方法对实验结果进行分析.所推导出氧化规律的数学拟合曲线与实验所得数据基本吻合,从而得出垂直腔面发射激光器氧化剂浓度随氧化深度的增加呈现指数衰减的规律.
- 冯源钟景昌郝永芹赵英杰侯立峰么艳萍
- 关键词：垂直腔面发射激光器氧化速率
- 光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的设计与数值模拟被引量：1
- 2010年
- 采用多周期应变补偿InGaAs/GaAsP双量子阱结构的半导体器件作为增益介质,设计了光抽运面发射半导体激光器件结构和实验光路。在谐振腔中引入分束棱镜保证了VECSEL表面的抽运光斑为圆形光斑。计算模拟了输出功率与抽运光斑和输出镜反射率间关系曲线,优化设计了抽运功率为2W时输出镜反射率并给出了相应的输出功率与抽运功率间关系模拟曲线。
- 王菲王晓华刘向南翁永超房丹方铉
- 关键词：垂直外腔面发射激光器
- 电化学方法生长有序纳米柱阵列的发光性质(英文)
- 2008年
- 采用电化学方法在磁控溅射方法生长的ZnO薄膜上生长垂直于衬底排列的ZnO纳米柱。ZnO薄膜的作用主要是为ZnO纳米柱的生长提供同质外延层。电化学生长的ZnO纳米柱具有良好的晶体质量和发光性能。通过研究其变温发光光谱可以确定其紫外发光峰来自于带边激子的辐射复合。此种方法生长的ZnO纳米柱在场发射显示、蓝紫色和白光发光二极管方面有潜在的应用前景。
- 刘枫李金华
- 关键词：ZNO磁控溅射电化学生长光致发光
- 新型结构垂直腔面发射激光器的研制被引量：7
- 2009年
- 为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高其光电性能,研制了新型辐射桥结构的VCSEL,即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体电阻和热阻,改善器件的模式特性。在同一外延片上,采用相同的工艺制备了辐射桥结构与传统结构两种VCSEL器件,并对两种器件的光电性能进行了对比测试。结果表明,辐射桥结构VCSEL比传统结构的VCSEL微分电阻降低25%,输出功率提高到1.6倍;辐射桥结构的VCSEL具有良好的温度特性与模式特性,80℃时仍能正常激射,60℃时最大输出功率可达17 mW,器件的热阻可达1.95 ℃/mW;器件单模工作,其总体性能远优于传统结构的VCSEL器件。
- 赵英杰郝永芹李广军冯源侯立峰
- 关键词：激光技术垂直腔面发射激光器热阻
- 垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的实验研究被引量：2
- 2009年
- 为实现对垂直腔面发射半导体激光器氧化孔径的精确控制,提高其光电特性,对湿法氧化工艺进行了实验研究.在不同的氧化温度下,对相同结构的垂直腔面发射半导体激光器模拟片进行湿法氧化.采用X射线能谱分析仪,对氧化后模拟片的氧化层按不同的氧化深度对其氧化生成物进行检测.依据氧化生成物中氧元素组分浓度的变化,对氧化过程进行了分析与讨论,推导出在一定的温度下,氧化速率随时间变化的一般规律.提出了在垂直腔面发射半导体激光器的湿法氧化工艺过程中,适当降低氧化温度,延长氧化时间,可减小氧化限制孔径的控制误差,提高氧化工艺的准确性与稳定性.
- 侯立峰冯源钟景昌杨永庄赵英杰郝永芹
- 关键词：垂直腔面发射激光器湿法氧化
- 径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器被引量：5
- 2010年
- 为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件,对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低热阻,提高器件的散热能力。实验制备了出光孔径同为200μm的径向桥电极与常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器,并对器件的性能进行了实验对比测试。结果表明径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件的微分电阻为0.43Ω;室温下最大输出功率可达340 mW,是常规电极垂直腔面发射半导体激光器的1.7倍;器件的热阻为0.095℃/mW,在80℃时,仍能正常激射,具有良好的热特性,径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器的光电特性与温度特性要远好于常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器器件。
- 侯立峰钟钢赵英杰王玉霞郝永芹冯源姜晓光谢浩瑞
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质被引量：4
- 2008年
- 采用射频磁控溅射在石英衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜,利用蚀刻技术制备了MSM结构的光导型紫外探测器。在3V偏压下,器件的暗电流小于250nA,光响应峰值在370nm,响应度是0.34A/W。其紫外(360nm)与可见光(420nm)的抑制比为4个数量级。器件的光响应时间上沿仅为20ns。
- 赵春雨张吉英王晓华申德振姚斌赵东旭张振中李炳辉
- 关键词：ZNO薄膜MSM射频磁控溅射
- MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器被引量：2
- 2008年
- 利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截止边为273nm的MgZnO太阳盲光电探测器。
- 鞠振刚张吉英蒋大勇单崇新姚斌申德振吕有明范希武
- 关键词：金属有机化学气相沉积
- Fe掺杂ZnO纳米球的光学特性被引量：6
- 2010年
- 采用微乳液法制备了Fe掺杂ZnO纳米球材料(Zn1-xFexO,x=0.1),利用XRD和TEM对制备样品的结构、形貌进行了表征。在室温下,测得材料宽化的吸收光谱。用325nm的激光激发,测量了ZnO纳米球的光致发光光谱,低强度激发时观察到半峰全宽较窄、峰值波长为385nm的紫光峰和半峰全宽较宽、峰值波长约625nm的深能级发光峰;两峰的发光强度和峰位随着激发光功率密度的变化而变化,但变化规律不同。所合成材料的吸收和发光性质与Fe掺杂相关。
- 李春萍张健濮春英李金华王晓华
- 关键词：氧化锌微乳液法掺杂光致发光
