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西安交通大学博士学位论文基金(DFXJTU2005-13)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：蒋仙高积强刘军林程基宽杨建峰更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇位错

机构

  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇乔冠军
  • 1篇杨建峰
  • 1篇程基宽
  • 1篇刘军林
  • 1篇高积强
  • 1篇蒋仙

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2007
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排序方式：
6H-SiC单晶中的蜷线
2007年
用PVT法制备了6H-SiC。用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌。讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理。蜷线起源于螺旋位错,它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置。在(0001)Si面上,蜷线表现为圆形螺旋,而在(0001)C面上则表现为六角形螺旋。通常情况下,蜷线的极点没有任何包裹物。然而在某些情况下,蜷线的极点会出现包裹物,如夹杂、微管、孔洞或者负晶等。当(0001)Si面作为生长面时,6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型(BCF理论模型)。
程基宽高积强刘军林蒋仙杨建峰乔冠军
关键词：碳化硅位错
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