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铁电/铁磁复合材料的制备及研究进展被引量：5: 2007年; 铁电/铁磁复合材料是一种新型的功能材料,不仅集合了铁电性和铁磁性的优点,而且具有磁电耦合效应,因此具有十分广泛的应用前景.本文系统介绍并评述了铁电/铁磁复合材料的磁电效应、制备方法以及研究的现状,探讨了铁电/铁磁复合材料研究中亟待解决的问题及发展趋势.; 闫小兵刘保亭边芳闫正赵庆勋; 关键词：磁电效应

用于薄膜外延生长的单晶基片RHEED研究被引量：1: 2006年; 利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对微电子技术常用的Si,SrTiO3单晶基片进行了表面结构分析.研究了硅基片的不同清洗工艺对衍射图样的影响,发现衬底的处理工艺非常重要.借助于反射式高能电子的衍射图样和理论分析,计算出与理论值相近的SrTiO3基片晶格常数.结果表明,高能电子衍射仪可以被用于计算生长在基片上的外延薄膜面内晶格常数.; 武德起乔晓东李锋闫正赵庆勋王英龙刘保亭; 关键词：RHEED 衍射图样

含NiTi阻挡层的硅基(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3铁电电容器异质结被引量：1: 2007年; 应用磁控溅射法制备的非晶NiTi薄膜作阻挡层,在Si(100)衬底上构造了(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO/PZT/LSCO)铁电电容器异质结,研究了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜的结构和物理性能。实验发现LSCO/PZT/LSCO铁电电容器具有良好的电学性能,在417kV/cm的驱动场强下,PZT铁电电容器具有较低的矫顽场强(125kV/cm)和较高的剩余极化强度(19.0μC/cm2),良好电容-电压特性(C-V)和保持特性,铁电电容器经过1010次反转后,极化强度没有明显下降,表明了非晶NiTi薄膜可以用作高密度硅基铁电存储器的扩散阻挡层。; 刘保亭闫小兵程春生李锋马良赵庆勋闫正; 关键词：NITI 阻挡层

沉积温度对LaNiO_3薄膜结构和性能的影响被引量：2: 2006年; 采用磁控溅射法在（001）SrTiO3基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜，应用X射线衍射（XRD）、反射式高能电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响。结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内（250-400℃）都能得到外延LaNiO3薄膜。输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下，250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率。; 刘保亭武德起闫正乔晓东赵庆勋王英龙; 关键词：LANIO3 磁控溅射

外延BiFeO_3薄膜磁刚度系数的讨论: 2009年; 基于Landau-Devonshire自由能理论,建立基本热力学模型,结合Curie-Weiss定律和部分实验数据,经曲线拟合和参数分析,提出并模拟了不同的磁刚度系数β1的温度函数式,通过对结果的比较和分析,改进模拟函数及参数,从而对不同厚度BiFeO3薄膜的磁性温度特性进行了初步研究。理论模拟结果与实验结果定性相符。; 郝晓辉王兴远邓泽超褚立志刘保亭王英龙; 关键词：铁电薄膜 BIFEO3

外延Pb-Zr-Ti-O/Y-Ba-Cu-O异质结的制备研究: 2006年; 应用磁控溅射法在SrTiO3(STO)单晶基片上原位制备了Pb(Zr,Ti)O3/YBaCu3O7(PZT/YB-CO)异质结,X射线衍射、透射电镜和选区电子衍射结果表明PZT/YBCO为外延生长,磁化率的测量结果表明YBCO的超导转变温度接近90 K,外延铁电体/超导体异质结的制备为进一步研究铁电性、超导性以及铁电体/超导体复合器件奠定了基础.; 张子生孙宏丽李庆赵庆勋闫正刘保亭; 关键词：PZT YBCO

外延PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3薄膜的电光效应: 2009年; 从Landau-Devonshire唯象理论出发,通过热力学分析得到PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的电光效应与厚度和外加电场的关系。结果表明,生长在SrTiO3衬底上的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,其线性电光系数和二次电光系数都随薄膜厚度的增加而增大,且在临界厚度附近趋于饱和,对50nm厚的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,线性电光系数和二次电光系数分别为7.2×10-11m/V和0.31×10-18m2/V2,双折射变化随外加电场改变,由线性电光效应引起的双折射变化比二次电光效应引起的双折射变化明显。; 王英龙魏同茹褚立志刘保亭傅广生; 关键词：铁电薄膜电光效应电光系数

强电场下PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3薄膜的电热效应被引量：3: 2008年; 从Landau-Devonshire唯象理论出发,通过热力学分析得到了PbZr0.4Ti0.6O3体材料和薄膜的电热效应与温度和电场的关系。结果表明,在居里温度附近,体材料发生铁电相变,而在足够强的电场下,其固有的电热效应破坏了铁电相变的不连续性,绝热温度改变了约11K,对薄膜结构的PbZr0.4Ti0.6O3,绝热温度改变了约7.3K,这与实验结果(12K)基本相符。薄膜结构使铁电材料由不连续相变转到连续相变,它还减小了铁电材料的电热效应,降低了各物理量随温度变化的灵敏性。; 王英龙魏同茹刘保亭褚立志傅广生; 关键词：铁电薄膜电热效应铁电相变

Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3电子结构的第一性原理研究被引量：5: 2007年; 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3五层超晶胞的顺电相和铁电相的电子结构.由态密度、电子密度和能带结构的计算结果发现顺电相下钛氧八面体Ti-O6和锆氧八面体Zr-O6在铁电相中分裂为由1个O1离子和4个O2离子组成的金字塔结构Ti-O5和Zr-O5;与顺电相相比,铁电相中钛离子的3d电子和氧离子的2p电子存在更强的轨道杂化,这种杂化降低了离子间的短程排斥力,使得具有铁电性的四方结构更为稳定,而且钛离子与氧离子的相互作用对于铁电相Pb(Zr0.4Ti0.6)O3沿c轴自发极化的贡献大于锆离子与氧离子的相互作用;由电子密度的分布可推断立方结构的Pb-O键呈现离子键特征,而铁电相下Pb-O键则有较大的共价成分,铅离子与氧离子的这种轨道杂化对Pb(Zr0.4Ti0.6)O3的铁电性起重要作用.所得结果对深入理解Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电性的微观机理具有参考价值.; 赵庆勋王书彪关丽刘保亭; 关键词：铁电体电子结构第一性原理

铜膜制备过程中辉光等离子体的双探针诊断被引量：1: 2008年; 采用Langmuir双探针技术对氩气环境下射频磁控溅射铜薄膜过程中产生的辉光等离子体进行了实时诊断.结果表明,在一定的射频功率下,电子温度随气压的增大呈指数衰减的趋势变化;在一定的反应气压下,电子温度和电子密度随射频功率的增大均呈线性增加的趋势.电子的运动速度数量级为106m/s,比离子的运动速度大3个数量级.; 高艳芬郝忠秀温梦仙乔晓东刘保亭赵庆勋; 关键词：电子温度电子密度

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