河北省自然科学基金(E2005000129)
- 作品数：6 被引量：23H指数：3
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- 脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定被引量：14
- 2007年
- 为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、与其轴线平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底,沉积制备了纳米Si薄膜.X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜结果均显示,纳米Si晶粒只在距靶约0.5—2.8cm平行距离范围内的样品上形成,在此范围内,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小,并且晶粒尺寸的分布也发生变化.根据成核区起始和终止的突变特征,结合晶粒形成后的平抛运动规律,对晶粒气相成核的位置进行了估算.
- 褚立志卢丽芳王英龙傅广生
- 关键词：纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀
- 激光退火能量对非晶Si薄膜晶化的影响被引量：3
- 2008年
- 采用XeCl准分子脉冲激光,在真空环境中烧蚀单晶Si靶,在Si(111)和石英衬底上沉积生成非晶Si薄膜.在同样的环境下,用激光对非晶Si薄膜进行退火,通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对退火后的样品进行分析比较.结果表明,激光能量对非晶薄膜的晶化和纳米晶粒尺寸有重要影响.
- 邓泽超马娜褚立志王英龙
- 关键词：激光退火脉冲激光烧蚀纳米晶粒晶化
- 激光烧蚀制备按尺寸自然分离的纳米Si晶粒被引量：5
- 2007年
- 提出了一种将激光烧蚀制备的纳米Si晶粒按尺寸大小进行分离的新方法。在10 Pa高纯环境气体Ar下,采用波长为308 nm的XeCl准分子激光器,固定激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000Ω.cm的高纯单晶Si靶,在等离子羽轴线正下方2.0 cm处平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底来收集纳米Si晶粒。拉曼(Raman)谱测量结果显示,在距靶平行距离为0.5-2.8 cm范围内,所制备的薄膜中均有纳米Si晶粒形成。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌,对图中的纳米Si晶粒统计分析表明,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小。从烧蚀动力学角度对实验结果进行了定性解释,因为不同尺寸的纳米Si晶粒获得了不同的水平速度,所以在重力作用下实现了尺寸的自然分离。
- 褚立志卢丽芳王英龙傅广生
- 关键词：纳米SI晶粒激光烧蚀
- 具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备被引量：7
- 2005年
- 采用XeCl脉冲准分子激光器,在10Pa的Ar气环境下,烧蚀高阻单晶Si靶,分别在距靶3cm的玻璃和单晶Si衬底上制备了纳米Si薄膜.相应的Raman谱和x射线衍射谱均证实了薄膜中纳米Si晶粒的形成.扫描电子显微镜图像显示,所形成的薄膜呈均匀的纳米Si晶粒镶嵌结构.相应的光致发光峰位出现在599nm,峰值半高宽为56nm,与相同参数下以He气为缓冲气体的结果相比,具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象.
- 王英龙卢丽芳闫常瑜褚立志周阳傅广生彭英才
- 关键词：纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀薄膜形貌光致发光
- 激光能量对掺铒纳米Si晶薄膜形貌的影响被引量：1
- 2006年
- 采用XeCl脉冲准分子激光器,保持激光脉冲比为1:2,分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶。改变激光能量,在真空中沉积了掺Er非晶Si薄膜。在氮气保护下,分别在950℃,1010℃和1100℃温度下进行30min热退火处理,得到掺Er纳米晶Si薄膜。扫描电子显微镜的结果表明,高的退火温度或高的激光能量均会导致迷津结构的形成。
- 何雷王文军周阳邓泽超
- 关键词：形貌
- 激光烧蚀制备纳米Si晶粒的时间飞行动力学分析
- 2008年
- 针对采用激光诱导荧光(LIF)技术,对真空或不同气压的He、Ar环境下激光烧蚀产生的Si粒子的时间飞行(TOF)进行了测量,并对试验结果进行了数据分析。结果表明,在真空环境下烧蚀形成的Si粒子的速度近似服从麦克斯韦分布律;在气体环境下,其速度偏离麦克斯韦分布律,并且环境气压越大,偏离越明显;Ar环境比相同气压的He下偏离更明显。烧蚀产生的Si粒子在不同种类、不同压强的环境气氛中所受阻力有所不同,其大小与Si粒子速度有关,从而不同速度的Si粒子受到不同大小的阻力,导致速度偏离麦克斯韦分布律。
- 郝忠秀郭建新赵树民王文丽王英龙
- 关键词：激光烧蚀
