国家自然科学基金(61264007)
- 作品数：23 被引量：50H指数：5
- 相关作者：钟福新黎燕莫德清朱义年陶慧林更多>>
- 相关机构：桂林理工大学桂林电子科技大学广西工业职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 银掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能被引量：1
- 2019年
- 采用水热法以Cu片为基底,Cu(NO_3)_2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag^+浓度,制备不同Ag掺杂Cu_2O(Ag/Cu_2O)薄膜。研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对其晶体结构、形貌及组成进行了表征。结果表明,当体系中Ag^+浓度为0.03 mmol/L时,Ag/Cu_2O薄膜的光电性能最佳,光电压和光电流密度分别为0.458 5 V和3.011 mA·cm^(-2),比Cu_2O薄膜分别提高了0.205 1 V和1.359 mA·cm^(-2);Ag/Cu_2O薄膜的载流子浓度达到3.10×10^(20) cm^(-3),比Cu_2O薄膜提高了2.38×10^(20) cm^(-3)。XRD,SEM和EDS结果显示,Ag/Cu_2O薄膜的结晶性比Cu_2O薄膜好,但其粒径有所增大,Ag/Cu_2O薄膜中Ag元素的原子数分数为0.13%。
- 伍泳斌赵英杰王晓娟莫德清钟福新
- 关键词：水热法氧化亚铜光电性能AG掺杂载流子浓度
- Ce掺杂Cu2O(Ce/Cu2O)薄膜的制备及其光电性能
- 2020年
- 用NaAc与Cu(Ac)2为反应体系,采用电沉积法,在ITO上制备了Ce掺杂的Cu2O(Ce/Cu2O)薄膜。探讨了Cu(Ac)2浓度、沉积温度、沉积时间、沉积电压和溶液pH等制备条件对Cu2O样品光电性能的影响及Ce掺杂量对Cu2O薄膜光电性能的影响。结果表明,当反应液中含0.04 mol/L Cu(Ac)2、0.02 mol/L NaAc、0.0064 mmol/L CTAB、0.008 mol/L Ce(NO3)3、溶液pH为5.5、沉积温度为50℃时,在1.4 V电压下沉积40 min,即可制备形貌较好、光电压达0.3239 V的Ce/Cu2O薄膜,Ce的掺杂有着比单纯Cu2O薄膜更高的光电性能。UV-vis、XRD、SEM和EDS等表征结果显示,Ce的掺杂使得Cu2O薄膜紫外吸收峰发生蓝移、抑制了Cu2O微晶的生长、使薄膜的形貌变为叶脉较宽的星型枝叶状,样品中Ce元素质量分数和原子分数分别为22.63%和8.78%。
- 丁红伍泳斌赵英杰莫德清钟福新
- 关键词：电沉积法CE掺杂光电性能
- 电沉积法制备TNTs/CdS_xSe_y异质结及其光电性能研究
- 2015年
- 以TiO2纳米管阵列（TNTs）为基底,采用电化学沉积法制备TNTs/Cd SxSey异质结,在单一变量的基础上结合正交实验,探讨了络合剂的选择、沉积时间、沉积温度、Na2S2O3浓度、柠檬酸浓度、沉积电压等条件对TNTs/Cd SxSey异质结光电压的影响。结果表明,当Na2S2O3浓度为0.009 mol·L^-1、柠檬酸的浓度为0.025 mol·L^-1时,在20℃、2.4 V沉积电压下电化学沉积5 min,获得的TNTs/Cd SxSey异质结光电压值达0.2672 V,优于同等条件下空白TNTs的0.0917 V。XRD结果显示,Cd SxSey的主要衍射峰位于2θ为26.276°、27.992°、51.285°、52.842°的位置,分别对应于标准卡片Cd S0.25Se0.75的[002]、[101]、[112]、[201]晶面,属于六方晶系,在2θ为37.600°、47.565°处出现Se的单质峰,在2θ为62.728°、72.033°处出现六方晶系单质Cd的（110）、（112）晶面。根据EDS的数据分析可知,Cd、S、Se的原子个数百分比分别为2.57%,0.63%,4.76%,对Cd进行归一化处理后,可确定所得样品的化学式为TNTs/Cd1.02S0.25Se1.89,其中含0.02的单质Cd和1.14的单质Se,扫描电子显微镜（SEM）显示所制样品为50~100 nm量子点。
- 王苏宁徐炳文王伟黎燕莫德清钟福新
- 关键词：异质结电化学沉积
- 多种尺寸和形貌Cu2 O的可控制备与表征被引量：1
- 2014年
- 以硫酸铜-乳酸体系为电解液,采用电化学法制备Cu2O,分别探讨了表面活性剂浓度、CuSO4浓度、溶液pH值、沉积电压、温度、添加剂等工艺参数对Cu2O形貌结构和尺寸的影响,并通过X射线衍射分析仪和扫描电镜等对Cu2O进行表征测试。试验结果表明:CTAB在一定范围内可以起到抑制晶体(200)面生长而促进(111)面择优生长的作用;随着CuSO4浓度的增大,Cu2O晶型由锥型向方型过渡;随着溶液pH值(8、10、12)的增大,Cu2O晶型由缺角立方晶型经过立方晶型向棱锥型转变;沉积电压的改变对Cu2O的择优生长晶面有影响,在2.0 V时晶体尺寸最大;随着溶液温度的提高,晶体尺寸呈先增后减的趋势,当温度为60℃时,晶体粒径最大;加入浓度为2.000 mol/L的NaCl添加剂,Cu2O呈现出二十四面体晶型结构。
- 王丹宇钟福新莫德清王伟王苏宁黎燕陈兴强朱义年
- 关键词：电化学法
- SiC纳米线光催化降解罗丹明B被引量：7
- 2012年
- 采用碳热还原法合成了纯度较高的单晶SiC纳米线,并对其光催化性能进行了研究。以罗丹明B为目标降解物,20 W紫外灯(λ=253.7 nm)为光源,探讨了不同条件下SiC纳米线对罗丹明B的光催化降解效果。结果表明,催化剂用量为0.04 g、pH值为1的条件下SiC纳米线对罗丹明B的光催化降解效果最好。光照6 h,罗丹明B的降解率达到67.63%。罗丹明B的降解符合一级动力学模型。
- 钟福新郭冬冬金吉松李浩李培刚
- 关键词：SIC纳米线光催化降解罗丹明B
- 电沉积法制备CdSe薄膜及其光电性能
- 2018年
- 采用电沉积法制备了硒化镉（CdSe）薄膜,讨论了Cd（NO3）2和H2SeO3摩尔比（n（Cd∶Se））、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）浓度、沉积电压和时间等条件对CdSe薄膜光电压的影响,并对样品进行X射线衍射（XRD）、能谱分析（EDS）和扫描电子显微镜（SEM）等表征。结果表明,CdSe薄膜制备最优条件是在二甲基甲酰胺（DMF）体系中,以0.005 5 mol/L PVP、0.036 mol/L Cd（NO3）2、0.054 mol/L H2SeO3混合液为电解液,室温下3.0 V直流电压沉积15 min,可得最高0.3680 V光电压的CdSe薄膜。XRD表征显示,在2θ值为25.354°,42.010°,49.699°,67.083°和76.780°处出现了（111）,（220）,（311）,（331）和（422）五个晶面衍射峰,与立方型CdSe标准衍射卡（PDF 19-0191）峰位相吻合。EDS分析表明,样品中Cd和Se质量分数分别为45.60%和51.65%,原子分数分别为36.84%和59.02%。SEM表征显示,样品中的CdSe呈多层链网结构,链直径尺寸为80300 nm。
- 高云鹏丁红苏泉黎燕钟福新
- 关键词：二甲基甲酰胺电沉积光电性能
- 基于甲基红-CdTe量子点荧光共振能量转移体系测定痕量强力霉素被引量：6
- 2014年
- 本文以甲基红（MR）为能量给体,CdTe量子点（QDs）为能量受体,构建了MRCdTe QDs荧光共振能量转移体系,同时基于荧光猝灭法建立了检测痕量强力霉素（DOX）的新方法。实验表明,在pH=8.0的Tris-HCl缓冲介质中,聚乙烯醇（PVA）胶束能缩短MR与CdTe QDs分子间的距离,二者之间发生有效能量转移,使CdTe QDs荧光强度增强。而强力霉素能够猝灭该体系中CdTe QDs的荧光强度,以此建立了能量转移荧光猝灭法测定痕量强力霉素的新方法。实验表明强力霉素的线性范围为8~350×10-9 mol/L,检出限为2.1×10-9 mol/L。方法可应用于实际样品中强力霉素残留的测定。
- 陶慧林徐铭泽廖秀芬黎舒怀张庆军钟福新
- 关键词：强力霉素甲基红CDTE量子点荧光猝灭
- Ag元素掺杂Bi_(2)S_(3)薄膜的制备及其光电性能研究
- 2022年
- 利用连续离子沉积法和水热法在FTO基底上制备了Ag^(+)掺杂Bi_(2)S_(3)薄膜(Ag-Bi_(2)S_(3)),探究了Ag^(+)浓度对Bi_(2)S_(3)薄膜光电性能的影响。并用扫描电镜、能谱、X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis DRS)等手段对其进行表征。结果表明:Ag-Bi_(2)S_(3)薄膜局部出现由较短的条状晶体聚集形成的花辫带,并有Ag元素的能谱峰,Ag^(+)掺杂进Bi_(2)S_(3)薄膜;在Ag-Bi_(2)S_(3)的XRD衍射峰中出现AgBiS2相的衍射峰,表明Ag元素在Ag-Bi_(2)S_(3)薄膜中的存在形式为AgBiS2;UV-Vis DRS测试结果显示Bi_(2)S_(3)薄膜和Ag-Bi_(2)S_(3)薄膜的禁带宽度分别为1.65eV和1.47eV;Ag-Bi_(2)S_(3)薄膜的光电压和光电流分别为0.2013V和0.059mA/cm^(2),比Bi_(2)S_(3)薄膜的光电压和光电流分别提高了30.6%与168.1%;Ag-Bi_(2)S_(3)的载流子浓度4.83×10^(14)cm^(-3),比Bi_(2)S_(3)的8.17×10^(12)cm^(-3)提升了两个数量级。
- 王家钰周威谭海军龚琪芯黎燕钟福新
- 关键词：银掺杂硫化铋光电性能
- 纳米硒的制备及其光电性能被引量：2
- 2016年
- 以导电玻璃（ITO）为基底,采用电沉积法制备纳米硒。在单一变量的基础上结合正交试验和响应面试验,探讨了制备条件对纳米硒光电压的影响。结果表明：在沉积电压1.7 V、沉积温度30℃、沉积时间7 min、硫脲用量为1 mmol时,纳米硒的光电压值最高,达0.868 4 V;由紫外-可见吸收光谱测得其禁带宽度Eg=1.84 e V;SEM分析发现,纳米硒呈棒状及莲花状结构,棒直径约为100 nm,长度为3-6μm;XRD表征结果显示,纳米硒主要为3种晶系的混晶系纳米晶体,在2θ为37.188°、45.246°、60.324°处分别出现斜方晶系纳米硒的（120）、（200）和（211）晶面,在2θ为30.141°、50.701°处分别出现六方晶系纳米硒的〈101〉、{11-1}晶面,在2θ为35.522°处出现单斜晶系纳米硒的[120]晶面,其中以〈101〉晶面和[120]晶面为择优生长取向。
- 王伟黎燕王苏宁钟福新朱义年莫德清
- 关键词：纳米硒电沉积
- 碳点-钙黄绿素荧光共振能量转移体系在山奈素检测中的应用研究被引量：7
- 2014年
- 研究了碳点（CDs）-钙黄绿素（cA）能量转移体系，并利用该体系建立了测定山奈素（KF）的新方法。在λex=320nm下，pH8．0的磷酸氢二钠-柠檬酸缓冲液中，CDs与CA能发生有效的能量转移，使得cA的荧光增强，而KF的加入则可有效猝灭CA的荧光，且在一定范围内cA的荧光猝灭值与KF的加入量呈良好的线性关系，基于此建立了测定KF的新方法。在最佳实验条件下，方法的线性范围为1．0×10^-8～3．4×10^-6mol／L，检出限为3．33×10^-9mol／L。方法应用于复方金银花颗粒中KF含量的测定，回收率为98．4％-103．5％．RSD（n=6）不大于2．7％
- 陶慧林廖秀芬周素莲钟福新易忠胜陈俊
- 关键词：钙黄绿素荧光共振能量转移山奈素
