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单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质被引量：1: 2010年; 利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜.通过XRD和AFM的观察,对其结构进行了研究,并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件.此外,对300℃和400℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比,计算出了溅射法制备的ZnS薄膜的光能隙分别为3.82 eV、3.81 eV,与理论值一致.这种高透过率、均匀致密的ZnS薄膜可用于研制新型高效率的单带差超晶格ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池.; 孟奕峰黎兵冯良桓李愿杰黄杨王洪浩刘才颜璞; 关键词：射频磁控溅射法 ZNS薄膜太阳电池

超声喷雾热解法制备SnS薄膜的物性研究: 2011年; 用超声喷雾热解法制备SnS多晶薄膜,对比了三种不同前驱液配比浓度对SnS薄膜性能的影响。XRD测试表明,当前驱液为硫脲(0.5 mol·L-1)+四氯化锡(0.5 mol·L-1)+去离子水时,SnO2的衍射峰强度比较大;当前驱液为硫脲(0.6 mol·L-1)+四氯化锡(0.5 mol·L-1)+去离子水时,SnS的衍射峰占主要地位,其中也含有一定量的SnO2;当前驱液为硫脲(0.7 mol·L-1)+四氯化锡(0.5 mol·L-1)+去离子水时,退火后的薄膜为单一的SnS薄膜,具有斜方晶系结构。SEM观测发现,薄膜均匀、致密,前驱液中硫脲浓度较大时,颗粒也较大。透过谱测试表明,浓度对薄膜透过率影响较小。结合器件的暗I-V和C-V测试,用三种前驱液配比浓度所制备的器件的结特性差异不大;当前驱液中硫脲浓度较大时,载流子浓度相对较大。; 唐萍黎兵雷智冯良桓蔡亚平郑家贵张静全李卫武莉莉曾广根; 关键词：SNS

CdTe太阳电池前电极SnO_2:F/SnO_2复合薄膜性能分析: 2010年; 减薄CdS窗口层是提高CdS/CdTe太阳电池转换效率的有效途径之一,减薄窗口层会对器件造成不利的影响,因此在减薄了的窗口层与前电极之间引入过渡层非常必要.利用反应磁控溅射法在前电极SnO2:F薄膜衬底上制备未掺杂的SnO2薄膜形成过渡层,并将其在N2/O2=4:1,550℃环境进行了30min热处理,利用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计对复合薄膜热处理前后的形貌、结构、光学性能进行了表征,同时分析了复合薄膜的电学特性.结果表明,未掺杂的SnO2薄膜没有出现异相的谱线,并且(110)择优取向,与衬底具有相同的结构,复合薄膜界面无晶格失配;退火后,复合膜更加均匀致密,表面更加规则,平整,光洁;薄膜电阻增大,满足阻挡层的要求,具有良好的电学均匀性和大于80%的透过率.最终制备出适合用作CdS/CdTe太阳电池前电极的SnO2:F/SnO2复合薄膜。; 曾广根黎兵郑家贵武莉莉张静全雷智李卫冯良桓; 关键词：透明导电薄膜 CDTE太阳电池

衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜制备的影响: 2012年; 采用射频磁控溅射法制备了CdTe/ZnTe多层薄膜,并在制备单层CdTe薄膜和ZnTe薄膜的基础上,研究了衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜性质的影响;通过XRD和透过谱、吸收谱的分析,对其结构进行了研究.结果表明在185℃下制备的CdTe/ZnTe多层膜中,CdTe和ZnTe均沿(111)晶面择优取向生长,尤其是ZnTe沿(111)晶面择优取向明显,衍射强度极大.通过比较不同衬底温度,发现185℃生长的样品衍射峰强度最高,成膜质量较好;通过吸收谱图分析,185℃下沉积的样品对光有较好的吸收性.; 程四兴黎兵唐萍冯良桓蔡亚平张静全李卫武莉莉曾广根王文武; 关键词：磁控溅射法太阳电池衬底温度

CdS/CdTe叠层太阳电池的制备及其性能被引量：5: 2007年; CdS/CdTe太阳电池是薄膜太阳电池研究工作的一个重要方向.为了提高开路电压Voc、改善电池的光谱响应,进而提高电池的转换效率,在此提出CdS/CdTe叠层太阳电池结构.文中,叠层电池的顶电池由CdS/CdTe超薄层构成;底电池由CdS/CdTe薄膜层构成.经分析测试,实验制备的CdS/CdTe叠层太阳电池具有明显的叠层结构,开路电压最高达到了852mV,短路电流密度最大为13mA/cm2,填充因子最高为55·2%,这种叠层电池的效率达到了8·16%(0·071cm2).研究表明相对于传统的单层CdS/CdTe太阳电池,CdS/CdTe叠层电池的制备对研究如何提高CdS/CdTe太阳电池的光伏性能有一定的参考价值.; 李愿杰唐茜黎兵冯良桓曾广根蔡亚平郑家贵蔡伟张静全李卫雷智武莉莉

图谱分析退火对本征SnO_2多晶薄膜性能的影响被引量：1: 2008年; 提高CdTe太阳电池转换效率的有效途径之一是适当减薄CdS窗口层,减薄了的CdS层会严重影响电池性能,解决方法是在窗口层和透明导电膜之间加一层高阻本征SnO2薄膜。采用反应磁控溅射制备了具有高阻抗的本征SnO2薄膜,并对其进行了后处理,利用XRD,XPS等方法研究了退火前后薄膜的结构,成分及表面化学状态的变化。结果表明:经N2/O2=4:1气氛550℃(0.5h)退火后,样品由非晶态转变为四方相结构的多晶薄膜,具有(110)择优取向;XPS分析表明退火后薄膜的氧含量增加、O(1s)峰向低能方向移动,SnO被氧化成SnO2,使得薄膜的透过率增大,退火后的本征SnO2高阻膜非常适合作为过渡层应用于CdTe太阳电池中。; 曾广根郑家贵黎兵陈奇武莉莉李卫张静全雷智蔡亚平蔡伟冯良桓; 关键词：SNO2 XPS

Deep level transient spectroscopy investigation of deep levels in CdS/CdTe thin film solar cells with Te:Cu back contact被引量：1: 2010年; Deep levels in Cds/CdTe thin film solar cells have a potent influence on the electrical property of these devices. As an essential layer in the solar cell device structure, back contact is believed to induce some deep defects in the CdTe thin film. With the help of deep level transient spectroscopy （DLTS）, we study the deep levels in CdS/CdTe thin film solar cells with Te：Cu back contact. One hole trap and one electron trap are observed. The hole trap H1, localized at Ev＋0.128~eV, originates from the vacancy of Cd （VCd. The electron trap E1, found at Ec-0.178~eV, is considered to be correlated with the interstitial Cui= in CdTe.; 王钊黎兵郑旭谢婧黄征刘才冯良桓郑家贵

磁控溅射法制备纳米级ZnS薄膜及其性能研究被引量：6: 2008年; 用磁控溅射技术在玻璃衬底上获得了取向单一的纳米级ZnS薄膜.研究了衬底温度对薄膜结构的影响.得出400℃时沉积的薄膜结晶最好,为六方纤锌矿结构,在可见光范围内有较高的透过率,其光能隙为3.81 eV.; 唐茜黎兵刘才李愿杰冯良桓李卫; 关键词：ZNS

近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能被引量：2: 2008年; 在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能.结果表明:多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势,源表面有CdO粉末的存在,经H2在一定条件的高温还原,可以去除表面的氧化物,为源的重复使用奠定基础.; 曾广根黎兵郑家贵李愿杰张静全李卫雷智武莉莉蔡亚平冯良桓; 关键词：CDTE CDO

ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究被引量：3: 2009年; 为了提高CdTe太阳电池的效率，ZnS／CdS单带差超晶格被创新性地提出。用射频磁控溅射法制备了ZnS／CdS单带差超晶格薄膜，用SEM观察样品截面，分层清晰；测试了ZnS／CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图，在300～800nm波长范围内存在4个明显的透过峰。相较于CdS单层膜与ZnS单层膜，ZnS／CdS单带差超晶格薄膜在可见光短波部分的光谱响应十分明显，说明ZnS／CdS单带差超晶格薄膜的电子能带与光子吸收方式发生了明显的变化。理论上可以提高CdTe太阳电池的效率。; 黄杨黎兵王洪浩颜璞李愿杰刘才孟奕峰冯良桓; 关键词：磁控溅射

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