您的位置： 专家智库 > >

国家民委科研基金(05ZN03)

作品数：20 被引量：82H指数：5
相关作者：孙奉娄何翔危立辉陈首部钟志有更多>>
相关机构：中南民族大学更多>>
发文基金：国家民委科研基金中南民族大学自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇金属学及工艺
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 4篇改性
  • 4篇表面改性
  • 3篇等离子体
  • 3篇阳极
  • 3篇阳极氧化
  • 3篇乙烯
  • 3篇四氟乙烯
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米管
  • 3篇聚四氟乙烯
  • 3篇氟乙烯
  • 3篇TIO2纳米
  • 3篇TIO2纳米...
  • 2篇等离子
  • 2篇电源
  • 2篇性能研究
  • 2篇水性
  • 2篇陶瓷膜
  • 2篇亲水性
  • 2篇纳米管阵列

机构

  • 21篇中南民族大学

作者

  • 12篇何翔
  • 12篇孙奉娄
  • 5篇危立辉
  • 4篇钟志有
  • 4篇韦世良
  • 4篇陈首部
  • 3篇田晓梅
  • 3篇周武庆
  • 2篇刘黎
  • 2篇孙南海
  • 1篇潘红梅
  • 1篇陈艳
  • 1篇王喜眉
  • 1篇顾锦华
  • 1篇张文艳
  • 1篇陈锟
  • 1篇胡欣
  • 1篇惠述伟
  • 1篇刘亚东
  • 1篇孙奉委

传媒

  • 11篇中南民族大学...
  • 2篇表面技术
  • 2篇武汉工程大学...
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇功能材料
  • 1篇环境监测管理...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 9篇2007
  • 6篇2006
共 20 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
中频交流脉冲电源的研制被引量：3
2007年
研制了150kHz中频交流脉冲电源,给出了中频交流脉冲电源的设计思路和实现方案.该电源采用全桥逆变拓朴电路、PWM控制方式、输出功率叠加的方案,具有输出变压器原边平均电流和副边峰值电流的过流保护功能.其输出峰值电压0~1200V连续可调,频率1~150kH z可调,脉宽占空比10%~40%可调,输出平均电流0~5A,最大输出功率5kW.利用该电源进行了等离子体化学气相沉积和反应溅射实验,证明该电源各项指标运行正常,工作稳定,具有良好的应用价值.
陈首部孙南海
关键词：等离子体源
LCD显示屏的上位机软件设计被引量：4
2006年
分析了图形点阵式LCD显示系统的上下位机组成结构.以VC为开发平台,设计了上位机软件系统,它由文件、编辑、转换、显示、通信、帮助等6部分组成,可实现文本/图形文件的读写、文件点阵信息的转换、显示及信息下传,并可针对不同控制对象将此系统进行相应移植.
田晓梅何翔危立辉
关键词：液晶显示屏上位机软件设计VC++语言
微弧氧化锻铝表面形成陶瓷膜的工艺研究被引量：1
2006年
用自行研制的微弧氧化电源在锻铝表面生成了氧化物陶瓷膜.观察了膜层表面形貌,测试了表面硬度,探讨了微弧放电对陶瓷膜和基体性能组织的影响.结果表明:锻铝表面的陶瓷膜随氧化时间的延长而增厚,但随氧化时间的继续增加膜层不再增厚;陶瓷膜的表面硬度是基体硬度的10倍以上,大大提高了材料表面的耐磨、耐蚀特性.
刘黎何翔
关键词：微弧氧化锻铝陶瓷膜显微硬度
衬底温度对射频溅射沉积ZAO透明导电薄膜性能的影响被引量：22
2009年
利用射频磁控溅射法制备了ZAO透明导电薄膜,通过XRD、SEM等手段对薄膜特性进行测试分析,研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌及其光电性能的影响.结果表明:衬底温度从300℃增加到400℃时,薄膜晶粒增大,晶粒结构分布规则,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高.当衬底温度为400℃时ZAO薄膜的电阻率为2×10-3Ω.cm、透过率为84%,但是当衬底温度进一步升高时,薄膜性质将呈现下降趋势.
孙奉娄惠述伟
关键词：ZAO薄膜衬底温度电阻率透过率
等离子体电解氧化陶瓷膜的工艺研究被引量：3
2007年
利用等离子体电解氧化技术在铝合金6063表面生成了氧化物陶瓷膜.测试了氧化膜表面厚度和硬度,观察了膜层表面形貌,分析了氧化陶瓷膜的成分,探讨了不同电流密度对形成陶瓷膜厚度和硬度的影响.结果表明:铝合金6063表面陶瓷膜的厚度和硬度随电流密度的增大而提高,但有一极限值平均电流密度极限值为25 A/dm2.;随氧化时间的延长而增厚增硬,但也有一极限值,氧化时间极限值为45 min.
刘黎危立辉
关键词：等离子体电解氧化铝合金氧化陶瓷膜
直流脉冲阳极氧化制备TiO2纳米管阵列及其特性研究
2007年
在乙二醇＋0．5％（质量分数）NH扩的电解质溶液中利用单向直流脉冲电源阳极氧化方法，在电压为40-60v之间制备了直径为90-142nm、管壁厚度为21．8-17nm的TiO2纳米管，SEM测试表明TiO2纳米管的形貌和生长速度密切依赖于氧化处理的电参数，同时通过XRD和Uv-Vis等检测手段对TiO2纳米管退火前后的特性进行了研究。
韦世良何翔孙奉委钟志有
关键词：阳极氧化TIO2纳米管
真空退火处理对光敏薄膜及聚合物太阳电池性能的影响被引量：22
2009年
采用掺锡氧化铟玻璃作为衬底,制备了聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1-4-苯撑乙烯]光敏薄膜及其器件,研究了退火处理对薄膜形貌和光电性能的影响.透射光谱和AFM研究表明,退火处理改善了薄膜的表面形貌、降低了薄膜的光学能隙.另外,通过分析器件伏安特性发现,退火处理有助于提高薄膜的电导率和载流子迁移率.这些实验结果对于提高聚合物太阳电池的能量转换效率、改善器件的光伏性能具有非常重要的意义.
顾锦华钟志有何翔孙奉娄
关键词：退火处理
双层辉光沉积TiN涂层的力学性能研究
2009年
采用双层辉光离子渗金属技术,在硬质合金YG8基体表面上沉积TiN涂层,通过外观、宏观性能和显微硬度等分析测试,研究了源极到阴极距离、基体温度、辉光放电气压对TiN涂层性能的影响.结果表明：TiN涂层的致密度、均匀性主要受源极到阴极距离的影响,其结合力主要取决于基体温度,而＂边缘效应＂则主要与辉光放电气压密切相关.双层辉光沉积TiN涂层的优化工艺参数为源极到阴极距离10~12 mm,基体温度750~850℃,气压280~340 Pa,所沉积TiN涂层的最高显微硬度可达2 356 HV0.05.
陈首部韦世良何翔孙奉娄
关键词：辉光放电TIN涂层力学性能
直流脉冲阳极氧化制备TiO2纳米管阵列及其特性研究
在乙二醇+0．5％(质量分数)NHF 的电解质溶液中利用单向直流脉冲电源阳极氧化方法,在电压为 40～60V 之间制备了直径为90～142nm、管壁厚度为 21．8～17nm 的 TiO纳米管．SEM 测试表明 TiO纳...
韦世良何翔孙奉娄钟志有
关键词：阳极氧化TIO2纳米管
文献传递
恒流脉冲微弧氧化电源的脉冲串控制策略
2008年
提出了一种新的恒流脉冲微弧氧化电源拓扑结构,详细分析了该结构的优越性,并针对该结构提出了相应的控制策略-脉冲串控制策略,用PSpice对该控制策略进行了仿真分析.仿真结果表明:该控制策略可以最大限度地提高恒流的精度.
刘亚东危立辉孙奉娄
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0