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PbS量子点/ZnO纳米片复合膜的制备及其光电化学性能被引量：6: 2012年; 通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜.首先利用电化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片,然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)详细表征了样品的表面形貌和晶体结构,并研究了PbS/ZnO复合膜作为量子点敏化太阳能电池光阳极的紫外可见吸收谱、光电化学性能和表面光电压谱.对比ZnO纳米片经PbS量子点修饰前后,发现PbS量子点修饰后光阳极的光吸收和光伏响应均从紫外区拓宽到了可见光区,同时光电化学性能有了显著提高,短路电流密度从敏化前的0.1 mA/cm2增加到0.7 mA/cm2,效率由0.04%增加到0.57%.与单一ZnO纳米片相比,PbS/ZnO复合膜的表面光伏响应强度明显增强,说明PbS与ZnO之间形成了有利于光生电荷分离的异质结,从而导致了PbS/ZnO复合膜光电性能的增加.; 廖鑫杨峰蒲明华赵勇程翠华

超导涂层导体中NiO缓冲层的制备与研究被引量：1: 2011年; 镍基带的自发氧化是基于镍基带上制备涂层超导体所面临的一个重要问题。在镍基带上预先制备一层织构的NiO薄膜是解决该问题的一个简单而有效的方法。研究了空气中NiO薄膜的表面氧化外延生长特性,发现高温短时有利于制备高织构度、高平整度和高致密度的NiO薄膜。在优化的温度和时间条件下,制备了高品质的NiO薄膜,并在NiO上利用化学溶液沉积法制备了SmBiO3外延缓冲层,为进一步超导层的制备提供了可能的实用条件。; 张红赵勇张欣王贺龙蒲明华潘敏; 关键词：涂层导体织构

热处理工艺对无氟PA-MOD法制备YBCO超导薄膜的影响被引量：2: 2010年; 采用无氟的高分子辅助金属有机物沉积(PA-MOD)法在(00l)LaAlO3单晶基底上制备了超导转变温度Tc=90K的YBCO超导薄膜。研究了高温热处理过程中不同成相温度和气氛湿度对制备高性能YBCO薄膜的影响。通过X射线衍射(XRD)θ-2θ扫描、ω扫描和φ扫描分析了不同热处理工艺制备的YBCO薄膜的双轴织构程度;通过扫描电镜(SEM)测试研究了不同薄膜样品的表面形貌;采用超导量子干涉仪测量了薄膜的超导转变温度曲线和磁化曲线。结果表明,770℃干燥气氛中成相的样品具有优异的双轴织构及平整、致密的表面形貌。采用该优化工艺制备的YBCO薄膜在77K零场下的临界电流密度(Jc)达到2MA/cm2,是其它工艺制备薄膜Jc的1.7～6.7倍。; 王文涛蒲明华师晓燕王伟赵勇; 关键词：无氟 YBCO超导薄膜超导转变温度 YBCO薄膜超导量子干涉仪射线衍射

Cu_(2-x)S纳米管的制备及其表面光电性质: 2011年; 为了研究CuS纳米材料在光电领域中的应用,采用水热法合成Cu2-xS纳米管,用X射线衍射仪、扫描电镜表征产物的结构和形貌.在25℃下测试了Cu2-xS纳米管的光吸收性能,利用紫外可见吸收光谱、表面光电压谱和场诱导表面光电压谱,研究其表面光电性质及光伏响应随电场变化的规律.结果表明：合成的Cu2-xS纳米管外径为325-675 nm,管壁厚为70-125 nm,长度为10-20μm;在300-800 nm紫外可见光谱范围内,存在两个吸收区域,场诱导表面光电压谱表明所制备的样品为n-型半导体.; 廖鑫杨峰蒲明华赵勇; 关键词：水热法

射频溅射工艺参数对AZO薄膜结构和性能的影响被引量：5: 2012年; 采用射频磁控溅射法制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,研究了衬底温度及溅射工作压强对沉积薄膜的晶体结构、表面形貌及电学性能的影响。结果显示,随衬底温度增加,薄膜的结晶结构发生显著变化,而溅射工作气压增加主要影响沉积薄膜(103)面与(002)面的相对强度。薄膜的表面形貌受温度影响严重,而气压对形貌的影响相对较小。衬底温度增加,薄膜的电阻率急剧降低,迁移率和载流子浓度都显著增加,而工作气压增加则导致电阻率先减小后增大。; 黄稳余洲刘连张勇黄涛闫勇赵勇; 关键词：AZO薄膜晶体结构电学性能

铁基超导体SmOFeAs磁性的理论研究被引量：1: 2010年; 为了从理论上研究新型5d过渡元素掺杂及压力诱导铁基超导体产生的超导电性,采用密度泛函理论自旋广义梯度近似方法(SGGA+U)计算分析了SmOFeAs的结构及Ir在Fe位上掺杂对体系电子结构和磁性质的影响.结果表明:铁基超导体SmOFeAs体系中Fe-3d电子的库仑势约为4 eV;物理外压和化学掺杂均可抑制SmOFeAs的反铁磁自旋密度波,使体系的磁有序度降低,与实验结果一致;Ir掺杂的SmOFe1-xIrxAs体系从反铁磁自旋密度波逐渐过渡为无磁性态,且超导态与反铁磁态共存并出现在磁性量子临界点附近.; 潘敏黄整程翠华赵勇; 关键词：电子结构磁性质

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国家高技术研究发展计划(2007AA03Z203)