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国家重点基础研究发展计划(2007CB924902)
国家重点基础研究发展计划(2007CB924902)
作品数:
3
被引量:3
H指数:1
相关作者:
褚君浩
张小华
郭少令
林铁
陈路
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相关机构:
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碲镉汞
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褚君浩
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年份
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2012
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非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻机理研究
被引量:1
2012年
研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp-d磁交换作用是非常重要的.通过变温(10—300 K)磁输运和变温(5—300 K)磁化率实验研究了一系列不同Mn含量非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻和顺磁增强效应.实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致,两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp(-K/T).根据磁性半导体的杂质能级理论,非简并P型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小.
朱亮清
林铁
郭少令
褚君浩
关键词:
磁性半导体
掺砷碲镉汞的研究进展
被引量:1
2012年
掺砷碲镉汞是一种用于制作p-on-n器件和实现高性能碲镉汞探测器及多色红外焦平面阵列的关键材料。对掺砷碲镉汞的相关文献进行了归纳分析。砷激活效率与退火条件及砷的浓度直接相关。对于掺砷浓度在10^(16)~10^(18)cm^(-3)范围内的碲镉汞,通过300℃/16 h和240℃/48 h两步退火可将样品前表面激活为p型材料,但汞空位的浓度相对于背面较高。样品背面靠近衬底处可能存在As_(Te)和As_(Hg)缺陷。
张小华
褚君浩
关键词:
砷
碲镉汞
掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质
被引量:1
2012年
碲镉汞的电学性能和光学性能直接决定探测器性能.对窄禁带掺砷碲镉汞进行了11~300 K的红外光致发光光谱和变温霍尔测量.对变温光致发光光谱进行了拟合分析,结果表明经通用的两步退火,样品不仅存在砷占碲位(AsTe)、汞空位(VHg)和TeHg-VHg对,还存在碲反位(TeHg).掺杂浓度越大,退火产生的TeHg-VHg对越多.变温霍尔分析进一步证明通用的两步退火后材料中存在TeHg,TeHg留在材料中使迁移率减小.
张小华
陈路
林铁
何力
郭少令
褚君浩
关键词:
碲镉汞
光致发光
载流子浓度
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