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国家自然科学基金(61271031)

作品数:1 被引量:1H指数:1
相关作者:张辉王艺程文丹丹白飞明叶飞更多>>
相关机构:电子科技大学大连理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇离轴
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米复合薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇PZT
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电效应
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射法

机构

  • 1篇大连理工大学
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇叶飞
  • 1篇白飞明
  • 1篇文丹丹
  • 1篇王艺程
  • 1篇张辉

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2014
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
离轴磁控溅射法生长1-3维PZT-NFO纳米复合薄膜被引量:1
2014年
采用90°离轴磁控溅射法,在MgAl2O4(001)单晶基片上自组装生长了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3-NiFe2O4(PZT—NFO)复合磁电薄膜,并研究了基片温度、氩氧比和溅射功率等因素对薄膜结构和性能的影响。结果表明,适合生长PZT-NFO薄膜的条件为基片温度800℃,氩氧比1:1,溅射功率160W。XRD测试显示,PZT-NFO薄膜为外延生长薄膜,且PZT相与NFO相之间的垂直晶格失配非常小。AFM和SEM结构观察表明,薄膜具有清晰的1-3维纳米复合结构,铁磁相NFO纳米柱直径约为80~150nm。降低氩氧比有助于NFO相的形成,但溅射功率过大会造成1-3维结构向无规则0-3维结构转变。磁性能测量表明纳米复合薄膜的饱和磁化强度在120~160kA/m之间,低于块体的NFO相,可能是由于两相的界面扩散所造成。
张辉马永军王艺程文丹丹叶飞白飞明
关键词:磁电效应磁控溅射
共1页<1>
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