广东省科技计划工业攻关项目(2006A10702001)
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
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- 微晶硅薄膜制备中等离子体功率的调制作用被引量：4
- 2007年
- 对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法制备氢化微晶硅（μc-SiH）薄膜中等离子体功率的影响进行了研究。原位光发射谱（OES）监测表明,SiH4等离子体中特征发光峰ISiH、IHα、IHβ和IH/ISiH均随等离子体激发功率的增加而增大,并且变化趋势因功率区间的不同而异。由厚度与Raman光谱测量可知,随着等离子体功率的增加,μc-SiH薄膜的平均晶粒尺寸单调减小,而沉积速率与结晶体积分数则呈现出先增后减的变化,等离子体功率对薄膜的沉积速率与结构特征具有“调制作用”。光暗电导率测量进一步得到,μc-SiH薄膜的电导随等离子体功率增大而减小,暗电导率的变化与之相反,材料的光敏特性在较高功率条件下激剧恶化。研究结果表明,当前的沉积条件下,等离子体功率的优化值界于35-40W间。
- 杨恢东
- 非晶硅/微晶硅过渡区材料的PECVD法制备与特性研究
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了非晶硅/微晶硅过渡区材料,并对材料特性进行了研究。实验结果表明:硅基薄膜材料的沉积速率随着硅烷浓度的增加单调增大,而随着衬底温度增大出现最大值;材料的结晶体积分数和平均晶粒尺寸均...
- 杨恢东刘丽娟黄君凯
- 关键词：非晶硅微晶硅过渡区
- 文献传递
- 柔性衬底上a-SiNx:H绝缘介质薄膜的制备与特性研究
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术分解高氢稀释硅烷和氨气混合气体,在不锈钢箔衬底上制备了不同衬底温度和不同等离子体激发功率条件下的a-SiNx:H绝缘介质薄膜,并通过厚度、应力测试以及电阻率测量,对所制备的a-SiNx...
- 杨恢东
- 文献传递
- 掺杂浓度对p型μc-Si:H材料特性的影响
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了不同硼掺杂浓度的p型μc-Si:H材料。实验结果表明:随着硼掺杂浓度的增大,p型μc-Si:H材料的沉积速率随着掺杂浓度的增大有所增加;掺杂浓度的不同对于材料的结构特性有较大影...
- 杨恢东薛家斌
- 关键词：掺杂
- 文献传递
