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国家自然科学基金(30700217)

作品数:4 被引量:12H指数:3
相关作者:隋晓红任秋实邵轶彬高勇赵阶喜更多>>
相关机构:上海交通大学北京大学西安理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:医药卫生电子电信生物学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇生物学

主题

  • 3篇视觉假体
  • 3篇假体
  • 2篇视神经
  • 2篇微电极阵列
  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇电场分析
  • 1篇电极
  • 1篇动态范围
  • 1篇视皮层
  • 1篇视网膜
  • 1篇图像
  • 1篇图像传感器
  • 1篇皮层
  • 1篇网膜
  • 1篇微电极
  • 1篇感器
  • 1篇高动态
  • 1篇高动态范围
  • 1篇高动态范围图...

机构

  • 4篇上海交通大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇西安理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇隋晓红
  • 3篇任秋实
  • 2篇邵轶彬
  • 1篇杨媛
  • 1篇周岱
  • 1篇赵阶喜
  • 1篇陈弘达
  • 1篇高勇
  • 1篇韩兆龙

传媒

  • 2篇上海交通大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
视觉假体微电极阵列的发展与研究现状被引量:4
2009年
针对用于视觉修复的微电极,根据其植入部位(视网膜、视神经、视皮层以及脉络膜上腔和视盘等),分别介绍了国内外各主要研究小组的最新进展及其特点,讨论了设计和制作微电极阵列的关键问题和面临的挑战,对视觉假体微电极阵列用于临床实验具有一定的推动作用.
邵轶彬隋晓红任秋实
关键词:微电极阵列视觉假体视网膜视神经视皮层
视觉假体铂铱合金微电极阵列的电场分析被引量:3
2010年
采用有限元法研究用于视神经视觉假体铂铱合金微电极阵列的电场分布情况,在单极和双极电流刺激条件下,分析不同长度微电极的空间电场分布,通过在体动物实验验证了铂铱合金微电极阵列在体工作的有效性.结果表明,经过100μA的单极和双极电流刺激后,铂铱合金电极的最大电场强度均发生在电极材料和绝缘材料的交界处.以电场强度最大点为原点,单极和双极电流刺激的有效半径分别约为21和24μm.
隋晓红韩兆龙邵轶彬周岱任秋实
关键词:视神经视觉假体电场分布
Microfabrication and Evaluation of a Silicon Microelectrode Based on SOI Wafer
2008年
An implantable seven-channel silicon microelectrode was fabricated by MEMS (micro-electro-mechanical system) micromachining techniques for optic-nerve visual prosthesis applications. Theoretical analyses of noise contributed to determining the size of the exposed recording sites of the microprobe. The geometry configuration was optimized for the silicon microprobe to have enough strength and flexibility and to reduce the insertion-induced tissue trauma. Impedance test results showed that the average value of the channels was 2.3MΩ at lkHz when applied with a stimulating voltage with the amplitude of 50mVpp,which is suitable for neural signal recordings. In-vivo animal experiment showed that the recorded neural signal amplitude from the primary visual cortex was 8μV.
隋晓红陈弘达
关键词:MEMS
用于视觉假体的新型高动态范围图像传感器像素单元电路设计被引量:5
2011年
针对于视觉假体的应用领域,本文提出了一种新型的高动态范围的CMOS图像传感器(CMOS ImageSensor,CIS)像素单元电路.该电路采用了列共用单元的条件溢出电容和多次积分技术,大大提高了图像传感器的动态范围,同时使其在低光照时保持较高的灵敏度和信噪比.采用了特许半导体公司的0.35μm CMOS工艺参数对该电路进行了仿真,结果表明所设计的电路比普通四晶体管有源像素传感器(4 Transistor Active Pixel Sensor,4T APS)电路的动态范围提高了约62dB,并且在低光照时保持了普通4T APS的高信噪比和灵敏度的特点.
隋晓红高勇赵阶喜杨媛任秋实
关键词:视觉假体图像传感器高动态范围
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