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电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(KFJJ201101)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：周大雨李清郭春霞梁海龙徐进更多>>
相关机构：大连理工大学电子科技大学德累斯顿工业大学更多>>
发文基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇HFO
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇水基
  • 1篇铁电
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇相变
  • 1篇HFO2薄膜
  • 1篇纯水
  • 1篇HFO2

机构

  • 2篇大连理工大学
  • 1篇大连东软信息...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇德累斯顿工业...

作者

  • 2篇周大雨
  • 1篇徐进
  • 1篇梁海龙
  • 1篇郭春霞
  • 1篇李清

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
纯水基溶胶-凝胶法制备HfO_2纳米超薄膜被引量：2
2014年
微电子工业的发展提出了不断提高集成电路芯片上多种器件电容密度的迫切需求,因此开展厚度<10nm超薄HfO2高-k电介质薄膜的可控制备技术研究具有重要意义。以氯氧化铪、硝酸和双氧水为主要试剂配制了纯水基溶胶前驱体,使用去离子水对溶胶进行适当稀释后,采用旋涂法在经等离子体清洗的硅基片上制备HfO2薄膜。以XRR、AFM以及XPS为主要手段对薄膜样品的厚度、表面形貌以及化学成分进行了分析,结果表明这种新颖的溶胶-凝胶技术可将薄膜的沉积速率控制在每旋涂周期1nm以下,薄膜表面平整致密,成分符合化学计量比。
李清郭春霞周大雨曲德舜梁海龙
关键词：溶胶-凝胶HFO2
Si掺杂HfO_2薄膜的铁电和反铁电性质被引量：1
2014年
通过改变Si掺杂量制备出了具有显著铁电和反铁电特征的HfO2纳米薄膜,对其电滞回线、电容-电压和漏电流-电压特性以及物相温度稳定性进行了对比研究.反铁电薄膜的介电系数大于铁电薄膜,在电场加载和减载过程中发生的可逆反铁电-铁电相变导致了双电滞回线的出现,在室温至185℃的测试温度范围内未出现反铁电→顺电相变.在电流-电压特性测量时观察到的负微分电阻效应归因于极化弛豫等慢响应机理的贡献.
周大雨徐进Johannes MüllerUwe Schroder
关键词：HFO2薄膜铁电相变
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