北京市教委科技发展计划(KM200910005001)
- 作品数：5 被引量：13H指数：3
- 相关作者：谢红云江之韵赵彦晓张良浩王成龙更多>>
- 相关机构：北京工业大学中国科学院斯凯瑞利(北京)科技有限公司更多>>
- 发文基金：北京市教委科技发展计划北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种UHF RFID标签低功耗物理设计与实现被引量：3
- 2015年
- 针对超高频射频识别(UHF RFID)标签低功耗、低成本的要求,本文基于EPC Class-1 Generation-2/ISO18000-6C协议,提出一种采用多电源电压域、新型时钟树综合与局部时钟树构建的物理设计方法。该方法结合广泛应用的门控时钟技术,对芯片时钟网络进行优化设计。与传统方法相比,该方法大幅度减少时钟缓冲器插入数量,有效降低时钟网络功耗,减小芯片面积。最终验证结果表明,所设计的标签符合协议,芯片总面积为0.72mm2,其中数字逻辑面积0.15mm2,平均功耗为9.76μW,在TSMC 0.18μm的标准CMOS工艺下实现流片。
- 王成龙张万荣万培元祝雪菲王树甫
- 关键词：射频识别低功耗时钟树综合物理设计
- 采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器被引量：4
- 2016年
- 射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中PIN二极管的正向偏压来实现.基于带有PIN二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试结果表明在频率为1.8GHz时,控制电压从0.6V到3.0V的变化范围内,增益可调范围达到15d B;噪声系数低于5.5d B,最小噪声系数达到2.6d B.整个控制电压变化范围内输入输出匹配均保持良好,线性度也在可接受范围内.
- 张良浩谢红云赵彦晓张万荣江之韵刘硕
- 关键词：可变增益放大器PIN二极管小信号等效电路锗硅异质结双极晶体管射频
- 深亚微米SOC电源网络设计与优化
- 2015年
- 针对传统电源网络设计对芯片会产生大量冗余的情况,提出一种采取模块限定布局确定优化范围,应用电源网络线宽优化释放绕线空间的非均匀阶梯型电源网络。与传统相比,此方法不但可以有效减小芯片面积与信号线总长度,而且对芯片功耗也具有优化作用。基于SMIC 0.18μm Eflash 1P4M工艺,采用Synopsys IC Compiler完成设计。芯片经流片验证,优化后版图面积减小8.69%,功耗降低4.04%。这种适用性广泛优化设计方法对电源网络设计具有一定参考价值。
- 王成龙张万荣林平分万培元祝雪菲
- 关键词：电源网络面积优化功耗优化物理设计
- 单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究被引量：6
- 2013年
- 基于器件仿真器Atlas,建立了InP/InGaAsP单向载流子传输的双异质结光敏晶体管(UTC-DHPT)的二维模型,分析讨论了器件性能与外延结构参数的关系.设计出同时具有高响应度(17.93 A/W)和高特征频率(121.68GHz)的UTC-DHPT,缓解了传统的异质结光敏晶体管光电探测器中探测效率和工作速度的矛盾.
- 霍文娟谢红云梁松张万荣江之韵陈翔鲁东
- 关键词：光敏晶体管响应度
- 宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计
- 2015年
- 为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐渐向集电极靠近可削弱器件的电流增益和特征频率对温度变化的敏感性.随后在选取基区峰值杂质浓度靠近集电极处分布的基础上,研究基区Ge组分分布对SiGe HBT的电流增益和特征频率温度敏感性的影响,减小基区发射极侧Ge组分和增加基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的电流增益对温度变化的敏感性,增加基区发射极侧Ge组分的摩尔分数和减小基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的特征频率对温度变化的敏感性.在此研究结果基础上,提出了一种新型基区Ge组分分布的SiGe HBT,它拥有较高的电流增益和特征频率且其温度敏感性较弱.
- 付强张万荣金冬月赵彦晓张良浩
- 关键词：杂质浓度分布GE组分分布
