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中国博士后科学基金(2011M50054)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：王永存刘俊薛晨阳田学东唐军更多>>
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相关领域：自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇电耦合
  • 1篇砷化镓
  • 1篇速度传感器
  • 1篇迁移率
  • 1篇微加速度传感...
  • 1篇力电耦合
  • 1篇晶体管
  • 1篇加速度
  • 1篇加速度传感器
  • 1篇感器
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇HEMT
  • 1篇传感
  • 1篇传感器
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇中北大学

作者

  • 1篇唐军
  • 1篇田学东
  • 1篇薛晨阳
  • 1篇刘俊
  • 1篇王永存

传媒

  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs基HEMT嵌入式微加速度传感器力电耦合系数研究
2013年
设计加工了一种GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)嵌入式微加速度传感器结构,通过软件仿真和实验测试相结合的方法,研究了所设计的微结构在平行于HEMT生长方向上(Z方向)不同加速度作用下敏感单元HEMT的力电耦合特性。实验结果表明:GaAs基HEMT微加速度传感器在其低量程范围内(0～15gn)敏感单元HEMT的力电耦合系数较稳定,且其力电耦合系数为10-8数量级,比常规Si压阻式加速度传感器的力电耦合系数10-10高出2个数量级。
田学东薛晨阳王永存刘俊唐军
关键词：高电子迁移率晶体管砷化镓传感器
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