国家自然科学基金(50877067)
- 作品数:11 被引量:9H指数:1
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- 相关机构:西北有色金属研究院西北工业大学东北大学更多>>
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- 相关领域:一般工业技术电气工程理学金属学及工艺更多>>
- 烧结温度对MgB_2超导线材微观结构及超导电性的影响
- 2010年
- 使用干燥的B粉和Mg粉,采用分步反应法制备了SiC(40~45 nm)掺杂的MgB2/Nb/Cu超导线材。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜,研究了不同烧结温度对所制备样品的相组成、微观结构的影响。采用标准四引线法测定了样品的电阻温度曲线。结果表明:热处理温度对线材的微观结构有显著影响,适宜的热处理温度可提高C原子实际进入晶格取代B原子的数量。在750℃×2 h,C原子替代B的取代分数达3.73%。分步反应法制备MgB2超导线材可有效地引入B位C掺杂,从而提高线材在高磁场下的载流能力。
- 单迪刘国庆闫果周廉
- 关键词:MGB2超导线材烧结温度微观结构超导电性
- MgB_2多芯超导线带材研究进展被引量:1
- 2011年
- 回顾了近年来多芯MgB2超导线带材的主要研究进展,分析了包套材料的选取原则;比较了粉末套管法(PIT)、连续粉末装管成型工艺(CTFF)及中心镁扩散工艺(IMD)等几种常用的MgB2线带材加工制备技术的特点;评述了多芯MgB2线带材的磁通钉扎性能、交流损耗、稳定性与失超传播以及力学性能等方面的研究进展;同时简要回顾了多芯MgB2超导线带材的应用研究现状。
- 王庆阳闫果A.Sulpice张平祥
- 关键词:二硼化镁超导体
- TiC掺杂12芯MgB_2线材微观结构以及超导电性被引量:1
- 2013年
- 采用PIT工艺,以分步法粉末为装管前驱粉,选用中心铜铌复合棒增强的导体结构制备了TiC掺杂MgB2多芯线材,研究了不同热处理温度对于粉末相组成、线材的微观结构以及超导电性的影响,结果表明分步法粉末能够有效提高C原子的取代水平,同时芯丝中MgB2晶粒尺寸达到亚微米级,MgB2晶粒连结性较好,制备多芯线材在4.2K,5T时,其Jc仍高达3×104A/cm2。
- 刘国庆孙昱艳王庆阳冯建清贾佳林闫果李成山
- 关键词:微观结构超导电性
- 分步反应法制备SiC掺杂MgB_2超导线材的研究
- 2010年
- 以干燥的B粉和Mg粉为原料,采用分步反应法制备了SiC(40~45μm)掺杂的MgB2/Nb/Cu超导线材。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了在650℃热处理温度下不同掺杂量对所制备样品的相组成、微观结构的影响。采用标准四引线法测定了样品的电阻温度曲线,结果表明,当该工艺第二步热处理温度为650℃时,反应不完全,应适当升高温度;同时高SiC掺杂量有利于在MgB2线材中引入更多B位C掺杂,表现为Tc略有降低,从而提高了其磁通钉扎特性。
- 单迪熊晓梅刘国庆焦高峰闫果周廉
- 关键词:MGB2超导线材SIC掺杂
- 无定形C掺杂对MgB_2微结构和超导电性的影响
- 2010年
- 采用原位法粉末装管工艺制备了MgB2-xCx/Nb/Cu单芯线材.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(EMS)和物性测试仪(PPMS)等手段研究了无定形C掺杂对线材微观结构及超导电性的影响.结果显示,随着C掺杂量的增加,进入MgB2晶格的C含量增加,MgB2层间结构不变.样品性能达到实用化超导磁体要求,在温度30 K外场0.2 T条件下,C掺杂量x=0,0.05,0.10,0.15的样品临界电流密度分别达8.1×104,1.7×105,1.6×105和1.0×105A/cm2.实验表明最佳C掺杂量x在0.05与0.10之间.
- 孙昱艳张平祥白质明陈思华
- 关键词:化学掺杂微观结构超导电性
- 起始粉末对MgB_2超导线材成相及微结构的影响
- 2011年
- 采用原位法粉末装管工艺制备了不同起始粉末MgB2/Nb/Cu单芯线材。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(EMS)研究了不同起始粉末对线材微观结构及相成分的影响。结果显示,从线材的微观结构和相成分角度来看,B粉影响不大,起主要作用的是Mg粉。
- 孙昱艳张平祥刘国庆熊晓梅杨芳焦高峰李高山闫果
- 关键词:微观结构相成分
- B粉对分步法制备MgB_2超导体的影响
- 2013年
- 通过分步反应法,利用晶态B粉和无定形B粉分别与Mg粉反应制备了MgB2超导体。其中分步反应法的第1步采用不同状态的B粉与Mg粉按原子比Mg:B=1:4混合,对于掺杂的样品另加5%,8%(质量分数)的SiC,采用900℃,30min或800℃,1h进行高温热处理。第2步是补充Mg粉,使Mg:B=1:2,均混的粉末经装管拉拔后进行第2步750℃,2.5h热处理。通过XRD、SEM研究样品的相组成、微观结构。采用标准四引线法测定了样品的I-V曲线。结果表明:晶态B粉与Mg粉可在第1步的热处理过程中生成大量低反应活性的MgB4。从微结构分析发现晶态B粉制备的样品具有更好的晶粒连通性,从而也得到了更稳定的I-V关系曲线。
- 单迪王庆阳刘国庆熊晓梅李金山闫果周廉
- 关键词:MGB2超导体
- Ti_3SiC_2掺杂MgB_2块体的超导性研究(英文)被引量:4
- 2012年
- 研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响。随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生。随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K。利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值。结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值。然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高。
- 单迪闫果周廉李成山王庆阳张胜楠熊晓梅刘国庆
- 关键词:超导性