国家自然科学基金(61040057)
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
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- 退火时间对PbS薄膜结构和光学特性的影响被引量：1
- 2014年
- 利用化学浴沉积法在玻璃衬底上50℃沉积3h制备硫化铅（PbS）纳米晶薄膜.将得到的PbS薄膜在300℃氮气中进行不同时间（0～120min）的退火.利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和紫外-可见-近红外分光光度计对PbS薄膜的结构和光学特性进行研究.PbS薄膜在玻璃基底上粘附力较强,结晶度良好,呈面心立方结构且沿（111）方向择优生长.不同的退火时间导致PbS薄膜的结构、形貌、光学特性均产生明显差异.退火30 min的PbS薄膜的结晶度最好,其带隙变化范围为0.90～1.70 eV.
- 武怡高斐刘生忠马笑轩王浩石宋飞莺陈彦伟
- 关键词：光学特性
- 用太阳光发电的一个新观点
- 2010年
- 当太阳光由玻璃堆变为线偏振光,再通过厚度渐变的1/4波晶片将不同波长太阳光转变为圆偏振光后,在金属细线管中传播时,传播方向的高速旋转磁场绕着被金属细线切割,金属细线中电子因洛伦茨力的作用定向运动,金属线两端产生电势,因此,实现太阳光发电的关键技术是利用纳米技术制作纳米尺寸的金属细线及金属细线管。
- 高斐
- 关键词：电势
- 银纳米颗粒的制备及其光散射特性被引量：1
- 2014年
- 采用热蒸发的方法在玻璃衬底上蒸镀厚度为32 nm的银薄膜,在氮气中退火形成银纳米颗粒。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了不同退火温度对银纳米颗粒的结晶特性和形貌的影响,并用光散射仪研究了其光散射特性。结果表明,随着退火温度的升高,银薄膜从连续状逐渐变为分离状。在退火温度为400℃时形成完全分离的半球颗粒,颗粒大小集中在360 nm左右,平均高度约为250 nm,在散射角大于25°时,银纳米颗粒对光的散射较强。
- 李宁高斐宋美周刘庭卓刘生忠
- 关键词：银纳米颗粒表面形貌热蒸发退火光散射
- 多层Ge纳米晶镶嵌Si基薄膜制备与光学特性
- 2012年
- 采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶(Ge-ncs)镶嵌Si基复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2).同时采用椭圆偏振光谱法,研究了Ge-ncs的光学性质,并用sp3紧束缚理论模式,解释了Ge-ncs带隙宽化现象.结果表明:用超晶格方法制备的多层Ge-ncs具有密度高、尺寸和位置分布均匀的优点,纳米晶平均尺寸为9.8nm.复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2)具有正常色散的特性,且在1 340nm处具有较强烈的吸收特性;Ge-ncs的光学带隙为0.82eV,与块体Ge材料相比,Ge-ncs吸收谱显示出0.16eV的带隙宽化.这种现象主要是由Ge-ncs中的量子限制效应导致的,采用sp3紧束缚理论模式可得到很好解释.
- 刘晓静高斐赵卓斋孙文超张君善宋美周李宁
- 关键词：磁控溅射光学特性量子限域效应
- 铝膜表面周期性纳米坑织构的制备
- 2013年
- 采用一次阳极氧化铝的方法分别在草酸、磷酸和柠檬酸溶液中制备了多孔阳极氧化铝膜,腐蚀掉铝片表面的氧化铝膜,铝片表面留下周期性纳米坑织构.利用扫描电子显微镜分析不同阳极氧化条件下铝膜的表面形貌,结果表明:铝片表面有序的六角阵列的纳米坑形成,坑的孔径大小随阳极氧化电压的升高而增大.铝片阳极氧化电压为300V,在浓度为4%柠檬酸中氧化2h,坑孔径达到785nm.使用光散射仪测量样品的光散射谱并研究样品对光的散射特性,散射光的强度随着散射角的增大而减小,铝膜表面纳米坑孔径越大对光散射越强.
- 宋美周高斐刘生忠李宁刘晓静杨波
- 关键词：多孔氧化铝膜阳极氧化光散射
- 通过热氧化Cu制备CuO纳米线
- 2013年
- 通过在空气中热氧化Cu片制备CuO纳米线,研究了不同氧化温度对CuO纳米线形貌的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析不同温度下CuO纳米线的结构、形貌,结果表明氧化温度对CuO纳米线的直径和长度有较大的影响,在600℃的条件下获得的CuO纳米线直径为140 nm、长度为4μm,600℃为CuO纳米线的最佳的生长温度。用扫描电子显微镜(SEM)和能量色散X射线光谱仪(EDX)分析样品的横截面,得到氧化产物呈层状分布,分别为CuO纳米线、CuO层、Cu2O层。
- 宋美周高斐刘生忠李宁张君善
- 关键词：热氧化
- CuO薄膜的制备及其光伏特性被引量：3
- 2012年
- 通过反应磁控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型CuO薄膜.使用X射线衍射仪和紫外-可见光-近红外光度计研究了p型CuO薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8nm和1.36eV.通过研究其电压-电流关系确定了在p型CuO薄膜和n型硅衬底之间形成了p-n结.在AM 1.5光照条件下p-CuO/n-Si电池的开路电压为0.33V,短路电流密度为6.27mA/cm2,填充因数和能量转化效率分别为0.2和0.41%.
- 张君善郭林肖高斐刘晓静宋美周李宁
- 关键词：磁控溅射P-N结光伏特性
- 硅基纳米线太阳电池电极接触性能的改善
- 2015年
- 通过银诱导湿法腐蚀的方法在晶硅衬底上制备了硅纳米线阵列。硅纳米线阵列具有很好的陷光作用和超低的表面反射,在300~1 000 nm光波长范围,即使没有Si3N4减反射膜,反射率能降低到5%。为了克服电极接触性能差的缺点,用激光刻蚀的方法选择性地刻蚀掉电极下的硅纳米线阵列,形成电极接触的平坦区域。采用对准丝网印刷的方法将电极印刷在平坦区域。测试结果显示激光刻蚀技术的引入有效改善了电极的接触性能,串联电阻从~1.81Ω降低到了~0.64Ω。
- 杨勇洲高斐刘生忠贾锐
- 关键词：纳米线太阳电池电极接触激光刻蚀
- 银纳米颗粒的制备及其对硅太阳电池性能的影响
- 2014年
- 通过银镜反应和退火在玻璃衬底和硅太阳电池上制备了不同尺寸的银纳米颗粒。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计研究了银纳米颗粒的结构、形貌和光学特性。在AM1.5光照条件下具有银纳米颗粒的晶体硅太阳电池短路电流密度从28.4mA/cm2增加到32.6mA/cm2,电池效率从12.9%增加到14.4%。
- 艾比布拉.阿布都拉高斐刘庭卓张英刘生忠
- 关键词：银纳米颗粒银镜反应退火硅太阳电池
