“上海－应用材料研究与发展”基金(0317)
- 作品数：5 被引量：46H指数：2
- 相关作者：吴建生张澜庭潘志军任维丽李成川更多>>
- 相关机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺电子电信更多>>
- Al置换Si对CoSi电子结构及传输性能的影响被引量：1
- 2006年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法计算CoSi的电子结构及Si侧Al置换掺杂的CoSi0.875Al0.125的电子结构并分析两者的电子结构特征。结果表明：CoSi为典型的半金属化合物，在费米面处价带和导带存在部分重叠且在费米面处电子能态密度值比较低，因此其导电性能相对金属的导电性能稍微差一些；在理论计算的基础上，选择制备CoSi和CoSi0.88Al0.12两种单晶并测试了两种单晶在300-1000K之间的塞贝克系数、电阻率及300～480K之间的热导率。随着温度的升高，CoSi的塞贝克系数变化不大，而CoSi0.88-Al0.12的塞贝克系数呈降低的趋势，且存在一由正向负的转变温度，随着温度的升高，CoSi和CoSi0.88Al0.12的电阻率都增大，CoSi的热导率逐渐下降，而CoSi0.88Al0.12的热导率先下降然后上升。
- 李成川潘志军张澜庭任维丽吴建生
- 关键词：热电材料电子结构AL掺杂传输性能
- B掺杂CoSi的微观组织和单晶热电性能被引量：2
- 2004年
- 研究了掺杂B后CoSi化合物的微观组织及单晶的热电性能。结果表明 :B在CoSi中的最大固溶度为0 .4 % (摩尔分数 ) ,CoSi化合物的晶格常数随着B含量的增加线性减小 ,当B含量达到其最大固溶度时晶格常数不再变化 ;电弧熔炼制备的CoSi1-xBx 材料具有很多空洞和裂纹 ,单晶试样大大减少了组织上的缺陷 ;掺杂B后CoSi0 .995B0 .0 0 5单晶仍为N型传导 ,Seebeck系数的绝对值增加 ,电阻率下降 ,热导率升高 ;掺杂B后热电优值(ZT)
- 周扬李成川任维丽张澜庭吴建生
- 关键词：固溶晶格常数热电性能
- 热电材料CoSi化合物的机械合金化合成被引量：2
- 2006年
- 采用高能行星球磨的方法研究了等计量比CoSi的纯元素混合粉末的机械合金化过程.对球磨不同时间粉末的结果分析和观察表明:球磨产物为单相CoSi化合物,其晶粒尺寸随球磨的时间延长而减小,没有发生非晶化,并对此进行了热力学分析.
- 李成川任维丽潘志军张澜庭吴建生
- 关键词：热电材料机械合金化纳米晶热动力学
- CoSi电子结构第一性原理研究被引量：7
- 2005年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性扩展平面波法 ,首先对CoSi的晶胞参数进行优化计算 ,CoSi多粒子系统的最低能量为 - 1346 8 4 2 97Ry ,此时其晶胞处于最稳态 ,与最稳态对应的晶胞体积V0 等于 5 89 936 0a .u .3,晶胞参数为a =b =c =0 4 4 38nm ;然后计算了优化后的CoSi的电子结构及Si侧Al掺杂的CoSi0 75Al0 2 5的电子结构并分析了两者的电子结构特征 ,计算的CoSi电子能态密度与已有的计算结果整体形貌相同 ,但存在局部差异 ,Al掺杂后费米面发生了偏移 ;最后探讨了两者的电子结构对热电性能的影响 ,Al掺杂可提高CoSi的材料参数B 。
- 潘志军张澜庭吴建生
- 关键词：电子结构多粒子系统费米面态密度平面波法晶胞参数
- 掺杂半导体β-FeSi_2电子结构及几何结构第一性原理研究被引量：36
- 2005年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法,使用广义梯度近似处理交换相关势能,首先计算了β-FeSi2的电子结构及其各元素各亚层电子的能态密度,β-FeSi2的电子能态密度主要由Fe的d层电子和Si的p层电子的能态密度确定;其次通过计算不同掺杂系统的总能量确定了掺杂原子在β-FeSi2中的置换位置,在β-FeSi2中,Co置换FeⅡ位置的Fe原子,Al置换SiⅠ位置的Si原子,这种择位置换与现有的计算结果完全一致;最后计算了Fe1-xCoxSi2和Fe(Si1-xAlx)2的电子结构,对它们的电子结构特征进行了分析,并探讨了电子结构对其热电性能(塞贝克系数、电传输及热传输性能)的影响.
- 潘志军张澜庭吴建生
- 关键词：Β-FESI2电子结构第一性原理能态密度
