教育部科学技术研究重点项目(104172)
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
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- 新型HfO_2栅介质电特性的理论分析与实验研究被引量：3
- 2008年
- 对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺条件下样品的电参数.结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流.
- 蔡乃琼刘红侠
- 关键词：C-V特性界面态氧化层陷阱
- 超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理被引量：9
- 2006年
- 对超深亚微米PMOS器件的负栅压温度不稳定性(NBTI)退化机理进行了研究.主要集中在对器件施加NBT和随后的PBT应力后器件阈值电压的漂移上.实验证明反型沟道中空穴在栅氧中的俘获以及氢分子在栅氧中的扩散是引起NBTI退化的主要原因.当应力条件变为PBT时,陷落的空穴可以快速退陷,但只有部分氢分子可以扩散回栅氧与衬底界面钝化硅悬挂键,这就导致了PBT条件下阈值电压只能部分恢复.
- 李忠贺刘红侠郝跃
- 关键词：负偏压温度不稳定性氢气
- 纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型
- 2007年
- 针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型。
- 王瑾刘红侠栾苏珍
- 关键词：SOI量子效应阈值电压反型层
- 超深亚微米PMOSFET的自愈合效应
- 2006年
- 主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应中的自愈合效应,研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化.
- 李晶刘红侠郝跃
- 关键词：PMOSFET
