国家自然科学基金(50390061)
- 作品数：67 被引量：490H指数：11
- 相关作者：康仁科郭东明金洙吉苏建修申儒林更多>>
- 相关机构：大连理工大学中南大学河南科技学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺机械工程一般工业技术更多>>
- Experimental Study on Influences of Organic Alkali on Material Removal Rate of Cu CMP
- In this paper, an experimental study is presented, in which 3 kinds of organic alkalis are used as the complex...
- Q.Z. Li
- 关键词：COPPER
- 硬盘巨磁电阻磁头的超精密抛光工艺被引量：4
- 2007年
- 硬盘巨磁电阻磁头的抛光可分为自由磨粒抛光和纳米研磨,在自由磨粒抛光中,精确控制载荷和金刚石磨粒的粒径,可以避免脆性去除实现延性去除。通过控制抛光过程中的抛光盘表面粗糙度、金刚石粒径大小及粒径分布和载荷等进行滚动磨粒和滑动磨粒比例的调控,获得较好的磁头表面质量和较高的材料去除率。在自由磨粒抛光阶段,先采用铅磨盘抛光,然后用锡磨盘抛光,以纳米研磨作为最后一道抛光工序对磁头表面进行研磨,获得了亚纳米级粗糙度的磁头表面。用两种工艺制作的纳米研磨盘进行加工,分别获得了0.37nm和0.8nm的磁头表面粗糙度,去除率分别为5.3 nm/min和3.9nm/min。
- 申儒林
- 关键词：磁头去除率
- 某磁头抛光技术
- 2006年
- 根据硬盘磁头加工的特点,分析了抛光机的运动学特性及抛光盘、抛光液、磨粒在抛光过程中的摩擦学行为等对磁头表面质量的影响。
- 申儒林
- 关键词：磁头研磨抛光摩擦学
- 硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验被引量：4
- 2010年
- 化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术。CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标。文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,在CP-4实验用抛光机上进行了硅片化学机械抛光实验,并用美国ADE公司生产的WaferCheck-7200型非接触式电容厚度测量设备对单晶硅片的厚度进行高精度检测,经过计算,得出了不同抛光速度下硅片表面材料去除非均匀性的数据,为理解硅片CMP材料去除非均匀性形成机理,进一步揭示硅片CMP材料去除机理提供了理论依据。
- 苏建修陈锡渠杜家熙宁欣康仁科
- 关键词：化学抛光非均匀性
- 有机碱对铜CMP材料去除率作用的实验研究被引量：1
- 2008年
- 分别使用几种有机碱作为络合剂、SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,复配后分别进行相同工艺参数的抛光试验。试验结果表明:乙二胺强络合作用明显,对铜的去除率最大可以达到850.8 nm/min,表面粗糙度Ra=13.540°A;二羟基乙基乙二胺和二乙醇胺去除率较低,本试验中最大分别为71.8 nm/min和25.1 nm/min。乙二胺适合用于碱性环境下的ULSI铜抛光液,材料去除率较高的原因是有效的强络合作用与抛光参数相匹配以及化学作用和机械作用动态平衡的结果。
- 李庆忠于秀坤苏建修郭东明
- 关键词：CMP有机碱铜材料去除率
- 硅片化学机械抛光时硅片运动形式对片内非均匀性的影响分析
- 本文分析了目前几种常见的化学机械抛光(CMP)机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除...
- 苏建修郭东明康仁科金洙吉李秀娟
- 关键词：化学机械抛光
- 磁头研磨的工艺参数分析
- 2007年
- 计算机硬盘存储容量的发展要求不断降低磁头在硬盘表面的飞行高度,从而要求硬盘磁头的表面祖糙度值越来越小。分析一种目前普遍应用于工业的技术:浮法抛光法,研究其研抛工作时工艺参数对磁头表面的影响情况,寻求一个合适的研抛参数和影响因素,以求达到快速加工,降低成本。
- 吴任和申儒林
- 关键词：磁头表面粗糙度
- 铜化学机械抛光中电化学理论的应用研究被引量：9
- 2005年
- 概述了电位 pH图、极化曲线、交流阻抗谱和开路电压测试等电化学方法在铜化学机械抛光 (Cu- CMP) 中的应用, 并分析了采用电化学方法进行CMP分析存在的问题, 指出采用以上电化学方法进行Cu -CMP分析有利于对Cu- CMP的过程的理解, 并可以为抛光液组分的选配提供依据。
- 李秀娟金洙吉苏建修康仁科郭东明
- 关键词：化学机械抛光电化学抛光液铜
- 大尺寸硅片自旋转磨削的试验研究
- 利用基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床,通过试验研究了砂轮粒度、砂轮转速、工件转速及砂轮进给速度等主要因素对材料去除率、砂轮主轴电机电流以及磨削后硅片表面粗糙度的影响关系.研究结果表明,增大砂轮轴向进给速度和减小工件转...
- 田业冰郭东明康仁科金洙吉
- 关键词：硅片金刚石砂轮超精密磨削集成电路
- GMR硬盘磁头抛光的超声波作用机理
- 2007年
- 在硬盘磁头抛光中加入超声波,可以提高材料去除率、降低表面粗糙度值、减小极尖沉降。
- 申儒林
- 关键词：超声波抛光粗糙度去除率
