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国家高技术研究发展计划(2003AA834025)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：王闯钱蓉孙晓玮更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇集成电路
  • 1篇毫米波
  • 1篇放大器
  • 1篇放大器电路
  • 1篇PHEMT

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇孙晓玮
  • 1篇钱蓉
  • 1篇王闯

传媒

  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
毫米波单片集成低噪声放大器电路
2007年
基于0．25μm PHEMT（赝配高电子迁移率场效应晶体管）工艺，给出了一款毫米波MMIC（单片集成电路）低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声；采用直流偏置上加电阻电容网络，用来消除低频增益和振荡；三级电路通过电阻共用一组正负电源，使用方便，且电路性能较好：输入输出驻波比小于2．0，增益大于15dB，噪声系数小于3．0dB。1dB压缩点输出功率大于15dBm，芯片尺寸为lmm×2mm×0．1mm。这是国内报导的面积最小、性能最好的毫米波低噪声放大器。
王闯钱蓉孙晓玮
关键词：PHEMT毫米波微波单片集成电路低噪声放大器
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