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国家自然科学基金(51171038)

作品数:3 被引量:7H指数:2
相关作者:郭鑫唐晓莉张怀武赵珍祥更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路系统
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋电子学
  • 1篇静电放电
  • 1篇仿真
  • 1篇感器
  • 1篇SPECTR...
  • 1篇ESD
  • 1篇FERROM...
  • 1篇GGNMOS
  • 1篇MAGNET...
  • 1篇传感
  • 1篇传感器
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇磁电阻效应
  • 1篇磁阻
  • 1篇磁阻传感器
  • 1篇磁阻效应

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇张怀武
  • 3篇唐晓莉
  • 2篇郭鑫
  • 1篇金立川
  • 1篇白飞明
  • 1篇王棋
  • 1篇钟智勇
  • 1篇赵珍祥

传媒

  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于磁阻效应的地磁场探测研究被引量:4
2014年
为了实现地磁场探测设备小型化的要求,设计了一种基于各向异性磁阻传感器的三轴磁场探测系统。系统模块包括磁场探测单元、置位/复位单元、信号处理单元、单片机控制及显示单元和电源模块,其中磁场探测单元采用了Honeywell公司生产的HMC1021Z单轴和HMC1022双轴传感器。测试实验结果表明,探测系统可以对地磁场进行有效测量,具有体积小、功耗低及精度高等优点。
郭鑫唐晓莉张怀武赵珍祥
关键词:磁阻传感器电路系统
Flexible tuning microwave permeability spectrum in [ferromagnet/antiferromagnet]_n exchange-biased multilayer stack structure
2013年
NiFe/[IrMn/NiFe/IrMn] 5 /[NiFe/IrMn] 4 /NiFe structured exchange-biased multilayer films are designed and prepared by magnetron sputtering. The static and the microwave magnetic properties are systematically investigated. The results reveal that adding a partially pinned ferromagnetic layer can effectively broaden the ferromagnetic resonance linewidth toward the low frequency domain. Moreover, a wideband multi-peak permeability spectrum with a 3.1-GHz linewidth is obtained by overlapping the spectra of different partially pinned ferromagnetic layers and [antiferromagnet/ferromagnet/antiferromagnet] n stacks. Our results show that the linewidth of the sample can be feasibly tuned through controlling the proper exchange bias fields of different stacks. The designed multilayered thin films have potential application for a tunable wideband high frequency noise filter.
金立川张怀武唐晓莉白飞明钟智勇
自旋转矩纳米振荡器的研究进展
自旋转矩纳米振荡器(STNO)是利用自旋极化电流引起多层磁性纳米结构中的自由磁性层的磁矩进动,并结合磁电阻效应而得到微波输出的一种新型微波振荡器,它具有体积小,振荡频率可电流调控,品质因素高和低功耗等优点。本文介绍了ST...
钟智勇王棋金立川唐晓莉白飞明张怀武
关键词:自旋电子学磁电阻效应
文献传递
基于GGNMOS的ESD建模与仿真技术研究被引量:3
2015年
随着微电子加工工艺技术的发展,集成电路对静电越来越敏感。设计合理有效的静电放电(ESD)保护器件显得日趋重要。传统的"手动计算+流片验证"的设计方法费时耗力。该文基于栅极接地的NMOS(GGNMOS)器件,以Sentaurus为仿真平台,建立器件模型,根据ESD防护能力的需求,计算出GGNMOS的设计参数,设计出防护指标达到人体模型(HBM)4.5kV的管子。结果表明,该方法简单有效,能缩短设计周期,是防护器件设计的一种优秀方法。
郭鑫唐晓莉张怀武
关键词:仿真
共1页<1>
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