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国家自然科学基金(50872111): 作品数：13 被引量：18H指数：3; 相关作者：介万奇王涛查钢强傅莉高俊宁更多>>; 相关机构：西北工业大学中核(北京)核仪器厂内蒙古科技大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性被引量：4: 2010年; 以Cd1-yZny合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶片进行退火改性。结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12%提高到59%,电阻率从3.5×106Ω.cm提高到5.7×109Ω.cm,且在PL谱中出现了代表晶体质量的(D0,X)发光峰。在合适的条件下对低阻值In掺杂的CdZnTe晶体进行退火改性可较好的提高晶体的性能。; 俞鹏飞介万奇; 关键词：CDZNTE晶体退火红外透过率 PL谱

Indentation size effect in microhardness measurements of Hg_(1-x)Mn_xTe: 2009年; The effect of surface damaged layer and Te enrichment layer of Hg1-xMnxTe on the indentation size were studied experimentally. Based on the results, the indentation size effect (ISE) of Hg1-xMnxTe were discussed using different models, including Meyer's law, the power-law, Hays-Kendall approach and the theory of strain gradient plasticity. The results show that surface damaged layer weakens ISE of the wafers, but the Te enrichment layer reinforces it. The minimum test load necessary to initiate plastic deformation for different Hg1-xMnxTe wafers increases from 3.11 to 4.41 g with the increase of x from 0.05 to 0.11. The extrapolated surface hardness values of Hg1-xMnxTe are 347.21, 374.75, 378.28 and 391.51 MPa and the corresponding shear strength values are 694.53, 749.50, 756.56 and 783.12 MPa for Hg1-xMnxTe with the x values of 0.05, 0.07, 0.09 and 0.11, respectively.; 王泽温介万奇汪晓琴; 关键词：INDENTATION SIZE MICROHARDNESS

CdZnTe探测器γ射线响应及稳定性研究被引量：3: 2010年; 基于自制的CdZnTe(CZT)平面探测器(10 mm×10 mm×2.5 mm),研究其对未经准直241Am(59.5 keV)γ射线连续10 h的光谱响应变化规律,未发现极化现象,并验证了其具有较好的长期稳定性。制备CZT弗里希电容栅格探测器(10 mm×5 mm×10 mm),测试发现,其对未经准直能量为662 keV137Csγ射线的能量分辨率约为3.65%。; 徐亚东介万奇何亦辉查钢强王涛王军; 关键词：极化 Γ射线

不同温度下碲铟汞晶体结构的XRD研究: 2011年; 通过X射线粉末衍射方法对大气环境下25-100℃条件下的碲铟汞晶体结构进行了研究。借助Rietveld方法,利用GSAS软件对碲铟汞晶体结构进行精修,并计算了其Hg空位浓度。结果表明,室温下碲铟汞晶体中由于Hg元素较易挥发而引入的Hg空位约占1.88%,晶格常数约为0.63163 nm;随着温度的升高,Hg的占位率逐渐降低,Hg空位的浓度有所提高;MIT的晶格常数呈现出先减小后增大的趋势。; 孙叶孙晓燕介万奇王涛罗林傅莉; 关键词：空位晶格常数 RIETVELD方法

探测器级CdZnTe晶体变温特性研究: 2011年; 采用未经准直能量为5.48MeV的241 Amα粒子,研究了温度在230～300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律。对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱。同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温度的变化规律。研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小。而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在晶体中的传输会显著减缓,且随温度的降低,其对脉冲波形的影响加剧。而温度降低可以减少提高探测器的能量分辨率。; 徐亚东何亦辉王涛查钢强傅莉介万奇; 关键词：CDZNTE Α粒子漏电流

pH值对CBD-CdS薄膜性能的影响被引量：4: 2009年; 重点考察了化学水浴沉积法（CBD）制备CdS多晶薄膜时pH值对薄膜质量的影响规律。分别采用SEM、XRD、UV光谱仪和台阶仪研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、透过率和厚度特征。研究表明，当PH值在8．43～10．09间变化时，薄膜为立方晶型，随着PH值的降低，晶粒出现择优生长，薄膜透过率逐渐升高，吸收边蓝移，禁带宽度增大。当pH值为8．43时得到的薄膜光学禁带宽度为2．44eV，接近其本征值。; 崔岩介万奇高俊宁查钢强何鉴波; 关键词：CDS薄膜太阳能电池

碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究: 2010年; 通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究。实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角。进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释。; 罗林介万奇孙叶王涛傅莉; 关键词：腐蚀坑位错电子背散射衍射

Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的垂直Bridgman法生长系统温度场分析被引量：2: 2010年; 利用ANSYS有限元软件,以实际炉膛内的温度分布为边界条件,分析了包括生长中的Hg0.9Mn0.1Te晶体和晶体生长炉在内的生长系统的温度场。结果表明,晶体、熔体、高压Hg蒸气和石英的存在,使炉膛内的温度分布趋于平缓。在气液(气固)界面、液固界面、石英坩埚顶部和底部,轴向温度出现转折。随着晶体的生长,固液界面的轴向温度梯度逐渐减小。当石英坩埚完全处于高温区或低温区时,所在位置的温度分布更均匀,但远离坩埚区域的温度场受到的影响很小。; 谷智刘泉喜介万奇; 关键词：数值模拟温度场

II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展被引量：2: 2011年; 简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。; 郝建伟查钢强介万奇; 关键词：量子结构量子尺寸效应

非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究: 2013年; 采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列。发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽<500!eV。通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni模型的拟合相当好,而在60～150K,Vina模型的拟合效果更优。3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3。; 谢涌介万奇王涛崔岩高俊宁于晖王亚彬; 关键词：ZNO 纳米线光致发光束缚激子 X射线衍射

国家自然科学基金(50872111)