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贵州省工业攻关项目([2008]3033)
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
相关作者:
张正平
马奎
牛宗超
王基石
丁召
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贵州大学
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发文基金:
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马奎
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张正平
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年份
1篇
2010
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一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计
被引量:2
2010年
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25^+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。
牛宗超
杨发顺
丁召
王基石
马奎
张正平
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带隙基准源
温度系数
CMOS
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