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贵州省工业攻关项目([2008]3033)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:张正平马奎牛宗超王基石丁召更多>>
相关机构:贵州大学更多>>
发文基金:国家科技支撑计划贵州省科技攻关计划贵州省农业攻关项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇温度系数
  • 1篇基准源
  • 1篇CMOS
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇CMOS带隙...

机构

  • 1篇贵州大学

作者

  • 1篇杨发顺
  • 1篇丁召
  • 1篇王基石
  • 1篇牛宗超
  • 1篇马奎
  • 1篇张正平

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计被引量:2
2010年
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25^+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。
牛宗超杨发顺丁召王基石马奎张正平
关键词:带隙基准源温度系数CMOS
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