天津市自然科学基金(05YFJMJC01600)
- 作品数：7 被引量：36H指数：3
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- 微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究被引量：1
- 2008年
- 采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影响.研究表明:在交流偏压(AC)、悬浮(floating)、负直流加交流(-DC+AC)偏压下,Hα发射强度空间分布规律相似,平均鞘层长度相等;正直流加交流(+DC+AC)偏压和接地(grounded)时Hα发射强度显著增强,并存在双峰(doublelayers)现象.增大功率,Hα发射强度也随着增大,并在17W与22W之间产生跳变.电学测试发现功率增大,等离子体电阻降低,电抗降低,电容性增强.并对此进行了分析.
- 张发荣张晓丹Amanatides EMalams D赵静赵颖
- 关键词：等离子体
- 提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究被引量：13
- 2006年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析.
- 张晓丹赵颖高艳涛陈飞朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：气体流量
- 1nm/s高速率微晶硅薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用被引量：14
- 2007年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1nm/s高速率器件质量级微晶硅薄膜,并且也初步获得了效率达6.3%的高沉积速率微晶硅太阳电池.
- 张晓丹张发荣赵颖陈飞孙建魏长春耿新华熊绍珍
- 二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用被引量：1
- 2008年
- 建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实际高速沉积μc-Si:H薄膜的反应腔室建立的。模型是自适应的,建立在玻尔兹曼方程和泊松方程基础之上,包含87个气相反应和25个表面反应。将模拟沉积速率与相同实验条件下的结果相比较,结果发现,模型在微晶区域运行结果与实验结果吻合得很好。
- 张发荣张晓丹Amanatides EMatras D赵颖
- 关键词：微晶硅
- 氢气、氢气/硅烷等离子体时间分辨光发射谱的研究被引量：1
- 2019年
- 为了加深对等离子体增强化学气相沉积的认识,采用增强型电荷耦合器件(ICCD)研究了氢气及氢气/硅烷混合气体在不同气压条件下的时间分辨光发射谱,获得了辉光放电等离子体瞬态微观动力学过程的清晰图像。纯氢气辉光条件下,在一个射频周期内,Hβ时间分辨光发射谱出现了4个峰。分析表明其中两个峰是由电子冲浪效应引起,额外两个峰的出现是由瞬时阳极时刻存在额外电场所致。另外,可观察到随着气压的增大,体欧姆加热效应增强。同氢气相比,当硅烷引入后,Hβ时间分辨光发射谱由原来4个明显发射峰变成了两个明显发射峰。
- 张发荣张晓丹AMANATIDES E赵颖
- 关键词：等离子体微观动力学
- 硅薄膜沉积中等离子体辉光功率和阻抗的测试分析被引量：4
- 2007年
- 采用改进的电压和电流测试方法对衬底电极外加不同电压Vs的射频等离子体中的阻抗和功率消耗进行了测试分析.结果表明:在射频电极施加恒定的电压Vel时,随衬底电极外加电压Vs的增加,辉光的电流在增加,结果导致阻抗在减小;另外,通过计算分析发现:仅有一小部分功率用于辉光,大部分功率消耗在匹配器和电缆上.通过对等离子体电学特性的综合测试分析也说明:在保证有足够多的硅烷时,衬底电极外加电压Vs增加时将会提高薄膜的沉积速率.
- 张晓丹张发荣Amanatides ElefteriousMataras Dimitris赵颖
- 关键词：等离子体阻抗
- 绒面结构ZnO薄膜及其表面处理被引量：2
- 2008年
- 本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池。
- 陈新亮薛俊明张德坤蔡宁张晓丹赵颖耿新华
- 关键词：MOCVD湿法刻蚀太阳电池
