国家科技重大专项(2011ZX02506-004)
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 相关作者：田彤马建平袁晨陈阳平袁圣越更多>>
- 相关机构：中国科学院电子科技大学中国科学院大学更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项上海市科学技术委员会资助项目上海市“科技创新行动计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种应用于物联网的双频段射频D类功放的设计被引量：1
- 2013年
- 基于0.18μm CMOS工艺,设计了一个适用于物联网系统的双频段(400MHz/600MHz)射频D类功率放大器.电路采用了一种没有开关的双频段阻抗匹配网络来解决功放多频化的问题,并进行了理论分析及设计.测试结果表明,采用2V电源供电,电路在400MHz/600MHz两个频段上的输出功率分别为14dBm/15.4dBm,功率增益分别为17.4dB/16.8dB,功率附加效率分别为35%/34%.
- 崔剑慧张科田彤
- 关键词：多频段匹配网络功放CMOS工艺
- 一款应用于UHF RFID阅读器接收机的自动增益控制电路被引量：1
- 2016年
- 基于UMC65nm CMOS工艺,实现了一款应用于超高频(UHF)射频识别(RFID)阅读器接收机的自动增益控制电路,系统由可变增益放大器、峰值检测电路、环路滤波器、比较器以及指数增益控制电路组成.仿真结果表明,当控制信号从0.85V变化至0.35V时,可变增益放大器的增益从4dB线性变化到70dB,具有10 MHz恒定的-3dB带宽,对于60%调制深度,调制频率为1kHz的幅度调制信号,系统需要20μs稳定输出电压,电路工作电压为1.2V,消耗总电流为6.6mA.
- 马建平袁晨袁圣越田彤
- 关键词：超高频自动增益控制可变增益放大器环路滤波器
- 一种应用于物联网的高效率D类射频功放设计
- 2015年
- 基于UMC 65nm工艺,设计了一款适用于物联网系统的射频D类功率放大器.电路采用DC-DC降压变换器对功率放大电路进行电源调制,并通过可变输出阻抗匹配网络来获得两个不同的等效负载阻抗,实现了输出功率的大范围可调,并保证了在整个输出范围内的高效率.仿真结果表明,采用1.2V供电电压,电路在780 MHz频率下输出范围达-0.2～9.1dBm,且功率附加效率（PAE）均在60%以上.
- 毛方玉马建平孟凡振阮爱武田彤
- 关键词：D类功放DC-DC变换器阻抗匹配
- 60GHz宽调谐范围推—推压控振荡器设计被引量：1
- 2012年
- 基于65nmCMOS工艺实现了60GHz推—推压控振荡器(VCO)设计。采用互补交叉耦合去尾电流源结构以降低相位噪声。压控振荡器输出包含两级缓冲放大器,第二级缓冲放大器偏置在截止区附近以增大二次谐波的输出功率。在1.2/0.8V电源电压下,压控振荡器核心和缓冲放大器分别消耗2.43mW和2.95mW。在偏离中心频率1MHz处相位噪声为-90.7dBc/Hz。输出功率为-2.92dBm。特别的,压控振荡器的调谐范围达到9.2GHz(15.3%),与调谐范围相关的性能指标FOMT为-182.7dBc/Hz。该压控振荡器可应用于57GHz～64GHz开放频段超高速短距离无线通信。
- 陈阳平叶禹
- 关键词：压控振荡器宽调谐范围相位噪声
- 基于模拟预失真的2.4 GHz CMOS功率放大器设计被引量：1
- 2019年
- 基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2. 4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高集成度和高线性度的功率放大器芯片。芯片面积为1. 08 mm×1. 37 mm。仿真结果表明:在2. 4 GHz的工作频点,功率放大器的-1 d B输出功率为22. 9 d Bm,功率附加效率为23. 5%,小信号增益为27. 2 d B,三阶交调失真为-35. 6 d Bc。
- 徐乐陶李刘宏田彤
- 关键词：模拟预失真高线性度
