国家自然科学基金(10874140)
- 作品数：23 被引量：54H指数：4
- 相关作者：马书懿马李刚陈海霞黄新丽李发明更多>>
- 相关机构：西北师范大学巢湖学院西北民族大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- 生长ZnO薄膜的氧分压对ZnO/PS体系光学性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用电化学阳极氧化法,在p型（100）晶向的单晶Si片上制备多孔Si（PS）样品;以PS为衬底,采用射频反应磁控溅射技术在不同O2分压下沉积ZnO薄膜。X射线衍射（XRD）结果显示,所有ZnO/PS复合体系在衍射角为34.24°附近均出现较强的衍射峰,对应于ZnO的（002）晶面,说明样品具有良好的c轴择优取向;但由于衬底PS粗糙的表面结构,衍射峰的半高全宽（FWHM）都较大。扫描电子显微镜（SEM）形貌显示,ZnO颗粒完全覆盖了PS的孔洞。从室温下测得样品的光致发光（PL）谱观察到,ZnO/PS复合体系在可见光区（400~700 nm）形成一条宽的PL带,其包括ZnO的蓝、绿光峰及PS的红橙光峰,且发光强度随O2分压的减小先增强后减弱,ZnO的蓝、绿光与PS的红橙光叠加,呈现出较强的白光发射。经分析得出,在O2∶Ar为6∶10 sccm气氛中制备ZnO/PS复合体系的发光效率最高。
- 黄新丽马书懿马李刚孙爱民
- 关键词：ZNO射频反应磁控溅射白光发射
- Al掺杂ZnO薄膜的微结构及光学特性研究被引量：4
- 2010年
- 采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备出不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响。结果显示,随着Al掺杂量的增加,薄膜的(002)衍射峰先增强后减弱,同时出现了(100)、(101)和(110)衍射峰,表明我们制备的AZO薄膜为多晶纤锌矿结构,适量的Al掺杂可提高ZnO薄膜的结晶质量,然而AZO薄膜的表面平整、晶粒致密均匀。薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过90%,同时随着Al掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值先增大,后减小。这与采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作出相应的理论计算所得结果的变化趋势完全一致。
- 孟军霞马书懿陈海霞陶亚明侯丽莉贾迎飞尚小荣
- 关键词：磁控溅射法AZO薄膜结构特性光学特性
- 氧化锌薄膜的制备技术被引量：4
- 2009年
- 介绍了氧化锌薄膜的制备方法,主要有物理和化学两种方法。物理方法有:分子束外延法(MBE),脉冲激光溅射沉积法(PLD)以及磁控溅射法;化学方法有:溶液镀膜法和各种化学气相淀积(CVD)。重点讨论了磁控溅射法的优缺点及展望。
- 李勇马书懿李锡森蔡利霞
- 关键词：脉冲激光沉积化学气相淀积磁控溅射法
- ZnO缓冲层上低温生长Al掺杂的ZnO薄膜被引量：2
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性。结果表明,随着Al掺杂量的增加,ZnO薄膜的择优取向性发生了改变,且当Al的掺杂量为0.81%(原子分数)时,(002)衍射峰与其它衍射峰强度的比值达到最大,表明适合的Al掺杂使ZnO薄膜的择优取向性得到了改善。在可见光范围内薄膜的平均透过率超过70%。通过对样品光致发光(PL)谱的研究,发现所有样品出现了3个发光峰,分别对应于以444nm(2.80eV)、483nm(2.57eV)为中心的蓝光发光峰和以521nm(2.38eV)为中心较弱的绿光峰。并对样品的发光机理进行了详细的探讨。
- 马李刚马书懿陈海霞黄新丽
- 关键词：磁控溅射法XRD光致发光
- 温度对传感器气敏材料电阻的影响研究被引量：4
- 2009年
- 从传感器气敏材料的电阻微小变化中可得到许多有用的信息,其电阻对材料的温度非常敏感。实验中所用传感器的气敏材料是在配有加热器的铝基底上沉积SnO2薄膜,通过控制加热器上的电压来改变气敏材料的温度(温度变化范围为25～400℃),研究了温度对材料电阻的影响。通过分析电阻随温度的变化,基于晶界势垒控制模型得到了关于电阻随温度变化的新经验方程,并将此方程的计算结果与实验结果进行了比较。结果表明,此方程可很好地描述某些型号的传感器电阻对温度的依赖行为。
- 丁继军马书懿陈海霞
- 关键词：气敏材料电阻温度
- 电纺丝法制备稀土复合掺杂二氧化钛及其光催化性能研究被引量：2
- 2014年
- 利用静电纺丝法制备了多组分(CeO2+La2O3)稀土掺杂TiO2的纳米纤维,测定了其SEM型貌,通过与未掺杂的纯TiO2粉体及溶胶-凝胶法制备的稀土掺杂TiO2的XRD图谱、光催化性能及沉降性能的比较研究,发现多组分稀土掺杂能够较大幅度提高TiO2的光催化性能,同时该法制备的纳米纤维沉降速度明显高于其他方法制备的光催化剂,能够有效防止二次污染。
- 魏晋军
- 关键词：TIO2纳米纤维光催化性能沉降性能
- Ti掺杂ZnO纳米薄膜的微结构/生长取向程度及其光致发光特性研究被引量：2
- 2013年
- 采用射频(RF)反应磁控溅射技术在Si衬底上分别制备了具有(100)方向生长的ZnO薄膜和Ti掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Ti).利用X射线衍射(XRD)和光致荧光发光(PL)表征技术,研究了不同Ti掺杂浓度对ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.结果显示,Ti掺杂前后ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,同时均表现出沿(100)方向的择优生长特性;掺入2%Ti元素后薄膜的织构系数Tc(100)明显增加,表明Ti的掺入对ZnO薄膜的结晶取向程度有一定影响.与未掺杂的ZnO薄膜相比,ZnO∶Ti薄膜的衍射峰发生宽化且峰强减小,薄膜的结晶质量下降.改变Ti的掺杂量,发现Si衬底上制备的薄膜发光强度和发光峰位随掺杂浓度发生相应的改变.
- 马书懿刘静赵强张小雷李发明
- 关键词：射频反应磁控溅射X射线衍射光致发光
- 锗/氧化硅和碳/氧化硅薄膜电致发光的比较研究
- 2009年
- 分别以锗-氧化硅和碳-氧化硅复合靶作为溅射靶,采用射频磁控共溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米锗的氧化硅薄膜Ge/SiO2和含纳米碳的氧化硅薄膜C/SiO2。将各样品在氮气氛中经过600℃退火处理30min,然后,在p型硅衬底背面蒸镀铝电极,并经过合金形成良好的欧姆接触,最后,在纳米薄膜上蒸镀半透明的Au膜以形成Au/Ge/SiO2/p-Si和Au/C/SiO2/p-Si结构。当正向偏压在5-12V时,对两种结构的电致发光谱（EL）进行了测量,并对其发光机制进行了讨论。
- 李勇马书懿蔡利霞李锡森
- 关键词：电致发光发光中心
- 纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜的光学特性研究被引量：2
- 2009年
- 采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出纳米ZnO镶嵌SiO2非晶薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计研究了纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜相比纯ZnO纳米薄膜结构的变化及镶嵌结构对其光学特性的影响。研究发现与纯ZnO纳米薄膜相比,纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜结构样品呈非晶结构,在紫外区光吸收系数以及光学带隙明显增大,光吸收以及光学带隙的变化与样品制备的衬底温度有关。研究结果表明,由于SiO2的特殊结构实现了对纳米ZnO的束缚,减少了ZnO纳米粒子的集聚,使得量子限制效应变得显著,导致复合膜光学带隙的明显增大以及吸收边的蓝移。
- 薛华徐小丽陈彦张国恒马书懿
- 关键词：纳米ZNOSIO2射频磁控溅射X射线衍射光学特性
- 不同Al掺杂对ZnO薄膜结构及光学性质的影响被引量：7
- 2009年
- 采用磁控溅射法(RF)在玻璃衬底上沉积不同Al含量的ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外分光光度计研究了不同浓度的掺杂对薄膜结构和光学性能的影响.结果显示:所有样品都呈现出较强的(002)衍射峰,有较好的c轴择优取向;薄膜表面平整光滑,晶界较明显;薄膜的平均透射率均在85%以上,并随着Al掺杂量的增加而降低;随着Al掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值先增大,后减小,吸收边先蓝移,后红移.这与量子限制模型计算结果的变化趋势完全一致.
- 马书懿史新福袁玉凤毛雷鸣丁继军周婷婷
- 关键词：磁控溅射法掺杂透射
